一、倒置型OLED的新型复合阴极研究（论文文献综述）
张祥[1]（2021）在《交流驱动有机发光器件的研究》文中研究表明有机电致发光器件（Organic Light-emitting Device,OLED）是具有自发光、全固化显示、轻薄环保、可视角度大、响应速度快、图像刷新速度高、温度特性好、可实现柔性显示等独特优势的面光源,在照明和显示领域展现出了巨大的商业价值和应用前景。传统OLED一般都基于直流电驱动,不同于采用50 Hz交流电的家庭供电系统,需要后端电路进行转化,增加了能耗。为了解决这一问题,理想的方法便是设计并制备交流驱动的OLED（Alternating Current OLED,AC-OLED）,并且利用交流电驱动OLED还有着直流驱动OLED难以比拟的优势,例如更加适应人们的家居生活,交流电负半周期有助于抑制器件内部的电荷积累,并且利用交流电的频率、振幅和占空比等相关特性,OLED将会具有更高的可控性,适用于智能照明等场所。目前,关于AC-OLED的研究和应用还鲜有报道,和直流驱动OLED的发展相比存在差距,因此在本论文中我们通过设计新型器件结构,实现了一系列高性能的AC-OLED,深入分析了器件的工作机理,并探讨了其在智能照明中的应用。（1）提出基于新型中间连接层[(Ag/4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline（Bphen）]n的叠层AC-OLED。首先验证了（Ag/Bphen）n的光学特性和电学特性,其展现出了良好的透过率和优良的载流子生成及注入能力,能够满足叠层器件中间连接层的需求。然后,利用此中间连接层连接堆叠的正置发光子单元和倒置发光子单元,我们成功制备了双色叠层AC-OLED,其在正反向电压下能够正常工作,分别发出绿光和黄光,证明了中间连接层（Ag/Bphen）n可以用于叠层AC-OLED之中。进一步,我们利用此中间连接层制备了叠层白光AC-OLED,其在交流电的正负半周期下分别发出蓝光和黄光,通过瞬态响应特性测试,我们发现叠层白光AC-OLED的两个发光子单元分别独立响应交流电的正负半周期,因此叠层白光AC-OLED可以通过调节交流电正负半周期的振幅实现从蓝光、冷白光、白光、暖白光到黄光的调节。（2）提出基于共面电极结构的AC-OLED,简化了AC-OLED的制备工艺并改善了器件性能。首先,为了验证共面电极结构在OLED中的可行性,我们制备了基于共面电极的底发射绿光OLED,实验结果表明通过顶部的中间连接层串联两个发光子单元,在点亮的发光子单元中,注入的空穴和注入的感应电子在发光层中形成激子从而辐射复合发光,而同时在没有点亮的发光子单元中,中间连接层产生的感应空穴在ITO界面处中和,从而实现电中性,因此,共面电极可以用于AC-OLED。然后,通过采用蓝光和黄光发光子单元,我们制备了共面电极型底发射白光AC-OLED,其在交流电的正半周期下发出蓝光,在交流电的负半周期下发出黄光,我们分别利用散射装置和微型化发光单元实现了白光发射,由于两个发光子单元独立响应于交流电的正负半周期,互不干扰,可以通过调节交流电正负半周期的振幅以及占空比,实现器件从蓝光到冷白光、白光、暖白光和黄光的调控。此外,我们还探讨了该共面电极型底发射白光AC-OLED在诸如矿井等场景的智能照明系统中的应用。（3）提出基于双微腔技术和共面电极结构的柔性顶发射白光AC-OLED,实现了光谱稳定的顶发射白光。首先,通过光学模拟分析了单微腔中无法实现高质量顶发射白光OLED的原因,进而提出了双微腔技术,通过分别调整双微腔的腔长,实现了白光互补色微腔效应的分别优化,并利用光取出层改善了其角度特性。然后,利用共面电极结构,制备出了高效的柔性顶发射白光AC-OLED,其在交流电正负半周期内分别发出蓝光和黄光,并且利用微腔效应使得器件性能获得了显着的提升,由于其两个发光子单元分别独立响应于交流电的正负半周期,交流电驱动方式使得其还具有亮度和色温的可控性,通过调整交流电的参数,可以实现从蓝光、冷白光、白光、暖白光到黄光的变化。此外,这种顶发射白光AC-OLED打破了衬底的限制,可以制备于纸基等各种柔性且不透明的衬底上。
臧春秀[2]（2021）在《有机-无机杂化倒置电致发光器件及其稳定性研究》文中进行了进一步梳理在过去的三十年中有机电致发光器件（OLED）领域发展迅速,这种“三明治结构”的薄膜器件在照明和显示方面具有很大的应用潜力并因此一直被广泛研究。作为OLED物质基础的有机半导体与无机半导体相比具有非常多的优势,例如易于制造和改性,机械柔韧性和低成本。但是器件的性能仍然受到有机半导体固有特性的影响,例如电荷不平衡,载流子迁移率较低以及材料玻璃化温度较低易发生形貌变化而影响器件性能。此外,在有机半导体与金属或金属氧化物电极之间的界面处通常存在能级失配的问题。无机半导体,尤其是金属氧化物,因在电子结构,电荷传输机制和光电特性方面与有机半导体有着显着不同,从而有望能够解决有机材料所面临的问题。因此,有机-无机杂化异质结常被引入器件中以增强载流子注入/传输、器件稳定性及光取出效率等。鉴于有机-无机杂化异质结对改善OLED器件性能及稳定性方面的优势,本文中研究了有机-无机杂化结构在倒置OLED（IOLED）器件中的应用及其对于器件稳定性的影响。因为底部阴极可与n沟道薄膜晶体管的漏极直接相连,高性能IOLED对有源矩阵OLED（AMOLED）显示技术的开发具有实际意义,可以大大降低AMOLED的驱动电压,并避免图像残留的产生。目前,底部阴极到有机传输层的电子注入问题仍然制约高性能IOLED的实现。因此,在本工作中,有机-无机杂化异质结被研究以用于在倒置器件中实现高效的载流子注入以及传输和激子辐射复合,具体内容主要包括以下三个部分:（1）采用有机材料聚乙烯亚胺（PEI）掺杂无机材料构建了有机-无机杂化体异质结并研究了其对倒置器件的影响。通过形成分子偶极和界面偶极子,有机烷基胺聚合物PEI可以使各种电极[如ITO,Au,Ag,Al等和聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）]的功函数降低约1 e V。但是,PEI对激子的淬灭作用以及PEI本身的绝缘性质严重限制了器件的性能。针对该问题,我们通过掺入二水合醋酸锌对PEI进行了改性,获得了改性后的PEI-Zn薄膜。通过Zn2+与N原子的螯合,可以减弱胺中孤对电子对于激子的影响,以显着钝化PEI薄膜。与PEI薄膜上发光层相比,PEI-Zn薄膜上发光层的激子寿命从0.78μs大幅提高至0.98μs。采用旋涂法实现PEI以及PEI-Zn薄膜都非常平滑,均方根表面粗糙度（RMS）都要低于2 nm,这一结果表明二水合醋酸锌的引入不会引起薄膜表面形貌的明显变化。基于改性后的PEI-Zn作为电子传输层,我们成功实现了高性能的倒置器件,器件在亮度与效率方面均显着高于基于PEI的器件。在以PEI-Zn为电子传输层的I型杂化OLED器件基础上,我们又引入无机金属氧化物MoO3作为厚膜空穴传输层制备了两侧均采用有机-无机杂化异质结的Ⅱ型杂化OLED器件。研究发现MoO3厚度对器件的效率以及光谱均有显着影响,随着MoO3厚度从3 nm增加至130 nm,器件性能表现出先减小后增加再减小的变化趋势,当其厚度达到120 nm时获得更好的性能,最大外量子效率为15.55%。最后,我们对器件的稳定性进行研究发现PEI-Zn器件的工作寿命是PEI器件的近5倍,表明器件PEI-Zn的稳定性相比于PEI器件也有所提升。此外,厚MoO3空穴传输层也使器件稳定性得到了进一步提升。（2）采用TiO2/PEI构建了有机-无机杂化面异质结,研究了该类型杂化界面对倒置器件性能的影响。金属氧化物TiO2在有机太阳能电池中得到广泛使用,但将TiO2作为电子传输层应用于OLED器件中仍然存在一些问题,如TiO2的激子解离能力较强,易降低激子复合几率。此外,TiO2与有机小分子发光层通常存在巨大的电子注入势垒,严重抑制了电子的注入,降低了器件的载流子平衡性。针对该问题,我们在TiO2与发光层中间引入有机中间层以改善电子注入势垒以及激子淬灭问题。我们基于设计的三层复合中间层PEI/DMAC-BPP/TPBI,成功制备了以TiO2作为电子传输层的倒置OLED器件。通过分析器件的能级结构、激子寿命以及器件中激子复合区位置,我们发现复合中间层可以通过提供阶梯能级实现从TiO2到发光层的高效电子注入,从而改善载流子注入平衡,同时也降低了TiO2表面缺陷态淬灭激子的问题并实现更好的激子限制作用。基于此设计,我们获得了高性能的倒置器件,器件可以实现17.68%的最大外量子效率。在此基础上,我们还实现了最大外量子效率为12.02%的高效倒置白光OLED。此外,我们继续探究了厚膜无机传输层的引入对器件性能及稳定性的影响。在基于TiO2为电子传输层的器件中,我们引入了120 nm的MoO3空穴传输层。与基于3 nm MoO3的常规倒置I型器件相比,基于厚MoO3层II杂化器件具有可媲美的发光性能,而且在器件稳定性上表现更好。（3）采用ZnO/PEI/DMAC-BPP/TPBI作为电子传输层制备了倒置顶发射器件,并探究了有机-无机杂化结构对器件微腔效应的影响。鉴于顶发射器件100%的开口率在显示器件中的巨大潜力,我们首先研究了顶发射结构对于不同发光机制的发光材料性能的影响,包括磷光,荧光以及热激活延迟荧光（TADF）材料。研究发现,在多光束和广角干涉作用下,基于TADF材料器件的发射光谱变窄,接近传统器件的半高宽谱的一半。此外,在没有衬底和波导模式的情况下,利用水平偶极比较高的TADF发光材料可以获得更高的光取出效率。顶发射TADF器件具有更快的辐射复合速率、更高的输出耦合效率和更高的辐射效率,其外量子效率比传统的TADF器件提高了60%以上。在此基础上,我们选用了发光效率较高的TADF材料9,10-双（4-（9H-咔唑-9-基）-2,6-二甲基苯基）-9,10-二硼蒽（CzDBA）以及磷光材料三（2-苯基吡啶）合铱[Ir（ppy）3]作为发光染料制备了倒置顶发射器件。采用无机金属氧化物ZnO作为倒置顶发射器件的电子注入及传输层,并采用有机中间层PEI/DMAC-BPP/TPBI降低了注入势垒并提高了电子注入。通过经典电磁学理论分析,我们还发现无机传输材料的引入对器件内光损耗分布有着重要的影响。与基于常规电子注入材料Li F的顶发射器件相比,基于ZnO的器件表现出更为优良的器件效率以及稳定性。这表明无机传输层的引入对器件光学过程及载流子传输过程产生显着和积极的影响。
李艳梅[3]（2020）在《香豆素衍生物高效发光材料的合成及性能研究》文中研究指明OLED显示已经被广泛称誉为“梦幻显示器”。OLED具有众多让人们为之振奋的功能,例如彩色或白色自发光,可应用于平面和固态设备,快速的响应速度,轻薄的重量以及对灵活应用的适用性。因此,OLED不仅是一个有趣的科学领域,并且在市场中也具备巨大的应用前景。本论文就香豆素材料展开研究,致力于设计合成成本低、性能优良的电致发光客体材料,从而提高OLED的外量子效率以及功率效率。具体研究内容分为以下三个部分:第一部分,利用三种由多环芳烃（蒽,芘和二苯并萘）桥接的双香豆素染料（C-An-C、C-Py-C和C-DBC-C）作为发光材料,制备了有机电致发光器件。描述了三种化合物的化学结构,光物理性质,电化学性质以及有机电致发光器件的性能之间的关系。通过真空沉积法,成功制备了具有ITO/NPB（20 nm）/TBADN:Dopant（x wt%,30 nm）/TPBI（30nm）/Liq（2 nm）/Al（100 nm）结构的多层掺杂器件。所有器件均发出绿光,并具有较高的电致发光效率。其中,化合物C-An-C在7 wt%掺杂浓度下的发光器件性能最佳,发光亮度是7796 cd/m2,最大电流效率为3.24 cd/A,最大功率效率为1.37 lm/W,最大外量子效率（EQE）为2.17%;化合物C-Py-C同样在7 wt%掺杂浓度下的发光器件性能最佳,发光亮度是10552 cd/m2,最大电流效率为5.39 cd/A,最大功率效率为1.94 lm/W,最大外量子效率（EQE）为2.35%;化合物C-DBC-C在10 wt%掺杂浓度下观察到最大亮度为8433 cd/m2,最大发光效率为5.19 cd/A,相应的功率效率为2.16 lm/W,最大外量子效率为2.13%。这三种化合物的器件性能相比,化合物C-Py-C的电致发光性能优于C-An-C和C-DBC-C,这与它们的光致发光量子产率的变化趋势是一致的。第二部分,合成了三种含有芳环并咪唑单元的新香豆素衍生物BI-C、PI-C和PyI-C,并将其成功应用于有机电致发光器件中。由于平面和刚性的聚芳环并咪唑骨架的π共轭结构,三个化合物BI-C、PI-C和PyI-C显示出良好的热稳定性和从蓝绿光（479 nm）到绿光（519 nm）的强发射,并且在氯仿溶液中具有94%、97%和98%的高光致发光量子效率。通过真空沉积法,成功制备了多层掺杂器件。化合物BI-C、PI-C和PyI-C作为掺杂材料制作OLED器件结构为:ITO/TAPC（30 nm）/CBP:Dopant（x wt%,35 nm）/TPBI（30nm）/Liq（2 nm）/Al（100 nm）。其中,化合物BI-C在6 wt%掺杂浓度下的发光器件性能最佳,发光亮度是984 cd/m2,最大电流效率为2.86 cd/A,最大功率效率为0.91 lm/W,最大外量子效率（EQE）为1.59%;化合物PI-C在12 wt%掺杂浓度下的发光器件性能最佳,发光亮度是2421 cd/m2,最大电流效率为6.07 cd/A,最大功率效率为4.77 lm/W,最大外量子效率（EQE）为2.78%;化合物PyI-C在12 wt%掺杂浓度下的发光器件性能最佳,最大亮度为2598 cd/m2,最大发光效率为4.80 cd/A,相应的功率效率为1.35 lm/W,最大外量子效率为2.29%。第三部分,合成了含吩噻嗪或吩恶嗪结构单元的两种新香豆素衍生物PXZ-C和PTZ-C,并通过元素分析法、NMR核磁测试和MS质谱测试对其进行了表征,确定了其分子结构及分子质量。通过测试化合物PXZ-C和PTZ-C的紫外可见吸收光谱、不同溶液及薄膜状态时的光致发光光谱、循环伏安以及热重分析,系统地研究了它们的光物理和电化学性质以及热稳定性,综上结果显示化合物PXZ-C和PTZ-C具有良好的热稳定性。化合物PTZ-C在紫外光激发下发出弱的蓝绿光,而化合物PXZ-C发出弱的蓝光。
那锦[4]（2020）在《基于倒置结构的有机电致发光器件设计及峰值调控》文中研究说明有机发光二极管（OLED）作为新一代冷光源,有着低成本、效率高、视角广、对比度大、响应快速、可柔性制造等诸多优点,在照明和显示技术中有着重要应用。倒置型有机发光二极管相比于传统正置器件,更易于目前主流的AMOLED的n型氧化物薄膜晶体管的漏极相匹配,对于发光器件的稳定性、显示面板制造工艺的简化以及分辨率的提高有着重要意义。本文致力于得到具有短波长、高量子效率及高辐射度的倒置型OLED器件,对基于倒置结构的器件设计和峰值波长变化进行研究。主要包括以下内容:（1）使用ZnO作为倒置OLED的电子传输层,并使用PEI自组装层对ZnO进行修饰,PEI层可以降低ZnO层的表面粗糙度和提高其LUMO能级,有利于降低电极与有机层的注入势垒并提高电子的注入。基于倒置结构,得到了369 nm的超短波长发光波峰,为目前报道的有机物作为发光层的最短发光波峰。其发光峰值随着厚度的减少而出现蓝移现象。研究了TAZ厚度的改变带来的激子寿命变化,测量不同厚度TAZ层的荧光寿命可以发现随着TAZ厚度的减少,其荧光寿命也在减少。通过对TAZ激子的共振能量转移进行分析,得到了TAZ的激子扩散长度、转移速率以及激子扩散系数。（2）建立了以ZnO为电子传输层的倒置OLED的激子弛豫模型,如果由于无辐射通道（例如界面效应）而导致随机游走的激子的寿命缩短,则它们的弛豫将在激子态密度（DOS）的较高状态处停止,并且相应地,辐射发射则必相对于未通过非辐射方式衰减能量的辐射发射在光谱上蓝移。使用MoO3/NPB/MoO3梯度结构空穴注入传输体系代替MoO3后,发光层厚度的改变会带来更大的发光波峰偏移。（3）研究了不同功能层结构以及参数带来的倒置OLED器件的性能及峰值变化。在电子传输层ZnO和发光层TAZ之间插入一层BPhen缓冲层后,延长了激子寿命,器件的波峰出现了红移现象,验证了激子弛豫模型。BPhen厚度为10 nm时,倒置器件的最大辐射度为10.42 mW/cm2（@13 V）,相比5 nm的BPhen器件有25.1%的提升,最大外量子效率为1.21%（@3 mA/cm2）,较5 nm的BPhen器件有33%的提升。（4）探究了使用多空穴传输层带来的器件变化。使用具有较高空穴传输率的TCTA层后,器件的发光波峰可以达到384 nm,最大辐射度为17.2 mW/cm2,为目前报道的紫外OLED的最大辐射度,外量子效率为3.65%。倒置OLED器件的功能层结构及参数的变化可以使器件的发光波峰在369 nm和384 nm之间变化。使用较低空穴传输率的NPB层后,器件表现出现了典型的以NPB层为发光层的蓝光,发光波峰为430 nm。
陈爱[5]（2020）在《基于C60/ZnPc有机电荷产生层的叠层OLED光电性能研究》文中认为叠层有机发光二极管（Tandem Organic Light-emitting Diode,叠层OLED）由两个或两个以上的独立电致发光单元经过电荷产生层串联组成,因在低电流密度下可实现高亮度、高效率和长寿命,近年来被广泛研究。当前,叠层器件的驱动电压成倍增长、电流效率和功率效率得不到同时改善等问题仍然无法有效解决,严重制约了OLED发展和商用化。为此,本文将具有光伏特性的富勒烯（C60）/酞菁锌（Zn Pc）应用在叠层OLED中,对基于C60/ZnPc有机电荷产生层的叠层OLED展开研究,具体内容如下:1.为了获得高性能的电荷产生层结构,通过制备不同厚度的C60/ZnPc双层薄膜和设计一系列非发光倒置器件进行研究。结果表明,C60/ZnPc薄膜在可见光范围内存在明显吸收,且在不同波段的吸收主要来自于单独的C60和Zn Pc薄膜,C60/ZnPc在红（Ir（piq）2acac）、绿（Ir（ppy）3）、蓝（Firpic）三种发光材料发光波段的吸收强弱为红（Ir（piq）2acac）>蓝（Firpic）>绿（Ir（ppy）3）。在倒置器件中,C60/ZnPc两侧无电荷注入层时,电荷产生层与邻近材料存在较大的能垒,致使C60/ZnPc的电荷产生、分离和注入能力较弱。采用电荷产生层C60/ZnPc、电子注入层Li F/Al和空穴注入层Mo O3组成的电荷产生单元（Charge Generation Unit,CGU）具有较强的电荷产生、分离和注入能力,其结构为Li F（0.5 nm）/Al（2 nm）/C60（5 nm）/Zn Pc（5 nm）/Mo O3（3nm）。2.首先,基于该CGU制备绿光叠层器件,对上述结果进行验证,并进一步优化CGU结构。结果表明,采用非发光倒置器件与采用叠层发光器件的实验结果基本吻合。C60/ZnPc两侧无电荷注入层时,其电荷产生、分离和注入能力较弱,不适合应用于叠层器件中,而C60/ZnPc与两侧合适的电荷注入层组成的CGU具有足够电荷产生能力。当CGU结构为Li F（0.5 nm）/Al（1 nm）/C60（5 nm）/Zn Pc（5 nm）/Mo O3（3nm）时,绿光叠层OLED具有最佳光电性能。同时发现,当CGU内Al超过2 nm时,叠层器件内两个独立的发光单元不同时发光。其次,基于最优的CGU,同时获得了在电流效率和功率效率方面都获得显着提升的红、绿、蓝光叠层OLED,有效解决了叠层器件电流效率和功率效率难以同时改善的问题。在1000 cd×m-2的亮度下,红、绿和蓝三种叠层器件的电流效率分别为对应参考器件的3.3倍、2.1倍和2.9倍,功率效率相较于对应参考器件分别提升了72.2%、13.6%和37.2%。最后,进一步分析发现,器件性能提升的主要原因是C60/ZnPc在叠层器件内存在光伏效应,使得CGU的电荷注入能力可与电极媲美,光照条件下产生的电荷改善了器件内部载流子平衡。3.为了实现高性能蓝光叠层OLED,对基于C60/ZnPc有机电荷产生层的蓝光叠层OLED的工作机理展开进一步研究。研究发现,光照条件下C60/ZnPc的光伏特性可提高CGU的电荷产生能力,叠层器件内的CGU与两侧的发光单元形可成一个循环。在高亮度下,该循环可将部分被困在器件内部的光辐射转换到器件外部,以改善器件整体性能。通过进一步优化,最终获得了外量子效率超过42%,在100-1000 cd·m-2亮度范围内效率滚降仅为3.5%的高性能蓝光叠层OLED。
徐凯[6]（2020）在《紫外有机发光器件的电极界面修饰及其载流子注入调控》文中提出作为一种新型固态照明和柔性显示技术,有机电致发光器件（OLED）由于其机械可柔、纤薄便携和节能环保等优异性能而成为国内外研究热点。可见光以及具有更短波长发射的紫外OLED在新一代平板显示、激发光源和高密度信息存储等领域中展现出诱人的应用前景。氧化铟锡（ITO）具有透过率高、导电性好、稳定性好、功函数适中（4.7 e V）,是目前广为使用的透明导电电极。但是紫外有机发光分子的带隙较宽,难以匹配ITO电极,导致载流子注入受限。相比于传统真空热蒸镀工艺,可溶液加工技术迎合了当前对低成本、大规模量产、精确可控等时代特色的需求。本文基于可溶液加工技术制备了一系列阳极缓冲层（空穴注入层）和阴极缓冲层（电子注入层）,克服载流子注入受限,从而调控发光层中载流子的平衡,改善器件性能。主要研究工作概括如下:针对ITO作阳极时与有机发光分子之间存在较高的空穴注入势垒,我们采用溶液法制备不同浓度的二氧化锗（Ge O2）水性溶液并用于修饰ITO电极。原子力显微镜,X射线光电子能谱和紫外光电子能谱测试表明,溶液处理的Ge O2表现出优异的薄膜形貌和增强的表面功函数。使用浓度为0.6%的Ge O2作为OLED的阳极缓冲层,可见光器件以Alq3为发光层的最大发光效率为6.5 cd/A,功率效率为3.5 lm/W。以TAZ为发光层的紫外OLED具有优异的短波长发射,电致发光峰值为376 nm,半峰宽为42 nm,最大辐照度为3.36 m W/cm2,外量子效率为1.5%。通过制备相应单空穴器件并进行伏安特性曲线和阻抗谱分析阐明了适当浓度的Ge O2水性溶液形成的阳极缓冲层有利于增强空穴注入并提升器件性能。针对倒置结构紫外OLED器件,ITO作阴极时与紫外有机发光分子TAZ的电子注入势垒高达2.1 e V。采用溶液法制备氧化锌（Zn O）甲醇溶液和碳酸铯（Cs2CO3）乙醇溶液,并制备了Cs2CO3掺杂Zn O（s-Zn O+Cs2CO3）的混合溶液以及相应的复合电子注入层。X射线光电子能谱分析表明,s-Cs2CO3、s-Zn O和s-Zn O+Cs2CO3具有优异的电学性质。以TAZ为发光层,基于s-Zn O+Cs2CO3（1:1）为复合电子注入层的倒置结构紫外OLED电致发光峰值为380 nm,半峰宽为37 nm,最大辐照度为2.42m W/cm2,外量子效率为0.85%,其性能优于分别使用s-Cs2CO3、s-Zn O、e-Li F和e-Cs2CO3作为单一电子注入层的参考器件,并且也优于使用s-Zn O/s-Cs2CO3的双层电子注入层的参考器件。通过构筑单电子器件并进行电流-电压特性测试和阻抗谱分析证实了最佳掺杂比例的s-Zn O+Cs2CO3（1:1）具有较强的电子注入能力,从而提高了器件的性能。
虢德超[7]（2020）在《倍增型有机光电探测器的结构设计与性能研究》文中认为与无机半导体相比,有机半导体具有材料来源广、质量轻、光谱可调、可大面积制备和柔性可弯曲等优点,有机光电探测器有望成为下一代商业化的光电探测器件。为了满足微弱光的探测需求,需要开发高效率有机光电探测器,倍增型有机光电探测器具有巨大的发展潜力。然而,目前对倍增型有机光电探测器的研究还不够深入,器件性能亟待提高,工作机制有待进一步探讨。本论文以倍增型有机光电探测器为研究对象,从材料选择和器件结构设计出发,提高探测器性能,调节光谱响应范围,最终制备一系列高性能倍增型有机光电探测器。主要研究内容如下:（1）以TAPC:C70作为光敏材料,利用空穴阻挡层（HBL）的阻挡作用积累空穴而诱导电子隧穿注入为倍增机理,通过优化HBL材料,制备出了高效率倍增型有机光电探测器。对比PO-T2T、3TPYMB、BCP、Bm Py Pb、TPBi不同HBL的结果表明,HBL的HOMO能级越大,LUMO能级越低,电子迁移率越高,越有利于空穴的阻挡和电子的遂穿,器件的探测性能越好。而通过在HBL与活性层之间的C70层中掺杂Mo O3,利用Mo O3有效的电子俘获效应,进一步降低了器件的暗电流。最终优化的器件性能,外量子效率EQE>120000%,归一化探测率D*达5.94×1012 Jones。该结构在Pb Pc:C70为光敏材料的器件中也得到了验证,在获得高的EQE同时,响应光谱扩展到了1000 nm。（2）以不同有机给体和C60受体混合作为光敏材料,利用Mo O3俘获电子诱导空穴隧穿注入为倍增机理,制备出了高效率倍增型有机光电探测器。基于TAPC:C60光敏材料的器件,最大EQE超过70000%,D*>1012 Jones;聚集诱导发光（AIE）材料:C60光敏材料的器件,其EQE>60000%,D*=3.08×1012 Jones,在-8 V偏压下以强度为1.0 m W/cm2的460 nm峰值波长的光连续恒定照射下,器件的半衰期达到700小时;而基于Pb Pc/Sub Pc:C60光敏材料的器件,其光谱响应范围达300-1000 nm,器件EQE～10000%,充分表明了用Mo O3俘获电子诱导空穴隧穿注入制备高效率有机光电探测器的有效性。（3）以不同有机给体和C60受体混合作为光敏材料,通过降低受体C60掺杂浓度使电子/空穴传输不平衡,制备出了高效率窄/宽波段响应增益型有机光电探测器。研究表明,器件的窄光谱和宽光谱响应特性强烈依赖于所选择的有机给体材料的性质。当用TAPC、CBP、TCTA、m-MTDATA、NPB掺杂1 wt%C60作为光敏层时,制备出了可见盲紫外窄光谱响应倍增型有机光电探测器,其最好的半高全宽小于30 nm,最大EQE超过了1000000%;而选用Sub Pc和Pb Pc作为吸光层时,则制备出了300-1000 nm宽光谱响应倍增型有机光电探测器,最大EQE>100000%。基于上述结构,通过引入滤光层的方法,制备出了绿光、橙黄光、深红光光谱选择性的倍增型有机光电探测器,最大EQE也在10000%量级。（4）以给体和受体组成的平面异质结和体异质结作为光敏材料,利用酞菁受体俘获电子诱导空穴隧穿注入为倍增机理,制备出了倍增型有机光电探测器。对于制备的ITO/m-MTDATA/Pb Pc/C60/Al三层平面异质结器件,实验发现,当Pb Pc较薄（10 nm）时,器件光谱响应范围为300-400 nm,与m-MTDATA吸收光谱一致;当Pb Pc较厚（20nm）时,器件光谱响应范围为300-1000 nm,与m-MTDATA/Pb Pc吸收光谱一致,最大EQE～1000%,D*<1011Jones。然后,采用体异质结制备了倍增型有机光电探测器。可以看到,由于体异质结增加了激子的分离效率,制备的ITO/m-MTDATA/TAPC:Pb Pc/C60/Al三层二元共混体异质结倍增型器件其最大EQE～2500%,D*=1.17×1011 Jones,而制备的ITO/m-MTDATA/TAPC:Pb Pc:C60/C60/Al三层三元共混体异质结倍增型器件,其性能得到了进一步提高,EQE=9744%,D*=4.48×1011 Jones。
马玉婷[8]（2019）在《V2O5基空穴注入层构筑高效稳定的绿色量子点发光二极管》文中研究表明量子点发光二极管（Quantum-dot Light-emitting Diodes,QLED）由于具有光谱覆盖范围广、色纯度高、能耗低等优点,而使其广泛应用于移动设备、固态照明和平板显示器,特别是在宽色域发光器件中的应用。目前红、绿、蓝三色QLED的最大外量子效率（EQE）分别达到21.6%、22.9%以及19.8%。主流的QLED器件广泛采用聚（3,4-乙烯二氧噻吩）:聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）作为空穴注入材料。由于PEDOT:PSS的酸性和吸湿性,会对ITO电极造成腐蚀进而影响器件的寿命。为了解决这一问题,过渡金属氧化物（NiO、MoO3、V2O5、WO3等）作为新型的空穴注入材料取代或者修饰PEDOT:PSS逐渐引起人们的关注。和基于PEDOT:PSS的QLED器件相比,这些过渡金属氧化物构筑的器件虽然稳定性得到了有效提高,但由于其电荷输运能力不佳以及与发光层间高的空穴注入势垒,引起电子、空穴注入不平衡,造成器件效率低下。为了解决过渡金属氧化物导电能力不佳、空穴注入势垒高引起的器件效率低下问题,本论文选择导带位置与PEDOT:PSS的HUMO能级最为接近的V2O5为空穴注入层,主要围绕溶胶凝胶法合成的V2O5在QLED器件中的应用展开论述,以发光峰位在524nm位置的ZnCdSeS/ZnS量子点为发光层。通过双层空穴注入层梯度化能级的设计和Ti离子掺杂等手段,提高空穴的注入能力,达到电子-空穴注入平衡的效果,促使器件性能和使用寿命都大幅度提高。本论文的主要工作归纳为以下三部分:（1）溶胶凝胶法合成V2O5作为空穴注入层构筑QLED器件采用三异丙醇氧钒作为前驱体,异丙醇为溶剂,通过溶胶凝胶法制备V2O5。经过简单的旋涂法成膜,并将其薄膜作为空穴注入层（HIL）构筑绿光QLED器件。通过优化薄膜厚度、退火温度、紫外臭氧处理时间等调控V2O5薄膜中氧空位的比例,并优化其余各功能层厚度,调控器件性能。结果表明当前驱体与溶剂体积比为1:70,在130℃退火,紫外臭氧照射处理10 min后制备的V2O5薄膜粗糙度小于1.0 nm。当其作为空穴注入层取代PEDOT:PSS时,构筑的QLED器件最大亮度为81690 cd/m2、最大电流效率和最大EQE分别为36.11 cd/A和9.09%。（2）V2O5/PEDOT:PSS双层空穴注入层构筑QLED器件基于第二章的工作,引入V2O5/PEDOT:PSS双层空穴注入层,同时以V2O5和PEDOT:PSS为参比,构筑三种不同HIL的QLED器件。紫外光电子能谱（UPS）和开尔文探针力显微镜（KPFM）结果表明V2O5/PEDOT:PSS双层空穴注入层结构不仅可以在阳极与空穴传输层之间形成阶梯化能级,降低空穴注入势垒,进而提高空穴注入效率。而且还可以抑制PEDOT:PSS的酸性对ITO阳极的腐蚀,从而提高器件的寿命。与标准器件（PEDOT:PSS）相比,双层空穴注入层构筑的QLED器件的最大电流效率和EQE达到71.62 cd/A和18.09%,分别提高了30.6%和31.2%,同时寿命也提高了2倍,由标准器件的6771 h提高到13355 h。（3）Ti掺杂V2O5作为空穴注入层构筑QLED器件利用溶胶凝胶法以三异丙醇氧钒和四异丙醇钛作为前驱体,以异丙醇为溶剂合成Ti掺杂V2O5（Ti-V2O5）,并对其进行X-射线光电子能谱（XPS）、X-射线衍射分析仪（XRD）、UPS等一系列表征。通过控制两种前驱体混合比例调节Ti掺杂量,调控Ti-V2O5的电荷传输特性和电子结构。结果表明当Ti的掺杂比例为1.0%时,V2O5导带位置下移至4.94 eV。和V2O5薄膜相比,在6 V电压下,Ti-V2O5薄膜的微区电流从pA量级提高到nA量级。当Ti-V2O5薄膜作为HIL构筑QLED器件时,可以有效降低空穴注入势垒,提高空穴注入能力。通过后续优化臭氧处理时间、退火温度、薄膜的厚度等,最终QLED器件的最大电流效率和EQE分别为52.28 cd/A和13.35%,工作寿命达到45027 h。
董丹[9]（2019）在《基于溶液法电致发光器件中载流子及激子复合区域调控的研究》文中认为基于电致发光的有机发光二极管（OLEDs）和量子点发光二极管（QD-LEDs）凭借其自发光、响应速度快、对比度高、可柔性化等特点在显示与照明领域大放光彩。在此类含有多功能层薄膜的器件中,采用溶液法的成膜方式可简化制备工艺,降低生产成本,并且有助于实现大尺寸化。但是目前基于溶液法的OLEDs与QD-LEDs仍然普遍存在发光效率低、驱动电压高以及稳定性差等问题,并且关于QD-LEDs的部分工作机制仍没有明确的结论。针对这些问题,本论文基于溶液法的OLEDs与QD-LEDs,从器件的结构设计、功能层材料的选择以及器件制备工艺的优化等角度,研究载流子的注入与传输特性,促进发光层中载流子的平衡以及合理调控激子的复合区域,实现包括发光效率、效率滚降以及发光颜色等发光性能的提升。论文的主要研究成果如下:1)针对磷光OLEDs中基于溶液法主客体掺杂的发光层结构,论文采用具有较高纯度、三重态能级以及化学稳定性的小分子材料作为主体。相对于聚合物主体,空穴传输型的小分子具有较高的空穴迁移率并且其与客体间的能量转移更有效。但是由于空穴注入到发光层的能垒较大,器件的驱动电压偏高。对此,在发光层中引入另一最高占据分子轨道（HOMO）能级更高的空穴传输型的小分子构成混合主体以促进空穴的注入。通过调节此空穴传输型混合主体的组成比例,进一步增强载流子的平衡并拓宽激子的复合区域,使得器件在获得低驱动电压和高发光效率的同时,其效率滚降也得到有效改善。2)针对QD-LEDs中因空穴相对于电子注入至量子点较为困难,进而限制器件发光效率的问题,论文将量子点掺杂于空穴传输型的聚合物中构成混合发光层,利用聚合物的能级特性以及其与量子点间的能量转移实现量子点的发光。为抑制基于此混合发光层的器件中微弱的来自电子传输层的发光,在发光层与电子传输层之间引入具有较高电子迁移率,较强空穴阻挡性的TmPyPB作为缓冲层,促进了电子传输至发光层并同时阻挡空穴越过发光层,进而在发光层形成更多的激子。器件的发光颜色纯度得到有效改善,最大外量子效率比参考器件提高了一倍。3)为了改善载流子在量子点发光层中的平衡,论文首先利用聚合物材料TFB优越的溶液法成膜特性,以及小分子材料CBP较低的HOMO能级以及适中的空穴迁移率,将两者以一定的比例混合作为空穴传输层,并在发光层与电子传输层之间引入缓冲层适当削弱电子注入,有效增强了空穴的传输以及载流子的平衡,提升了器件的发光效率以及发光颜色的纯度。其次,基于ZnO电子传输层实现全溶液法的QD-LEDs,并研究发现由于聚合物空穴传输层TFB相对于PVK的HOMO能级较高,空穴积聚在TFB与量子点发光层界面,进而引发激子以非辐射的俄歇复合辅助空穴注入,使得器件在低电压下具有较大的电流密度以及较低的开启电压,但其发光效率却明显低于PVK单独作为空穴传输层的器件。最后,采用具有价格低、易溶液法成膜、稳定性好、透光率高等特点的无机的磷钼酸PMA作为空穴注入层,研究不同的制备条件对其注入性能的影响,最终获得比传统的PEDOT:PSS更强的空穴注入能力,器件的开启电压从4.4 V降至2.7 V,最大功率效率提升了65.4%。4)在倒置型结构的QD-LEDs中,论文研究了具有不同能级与载流子迁移率的小分子空穴传输层对器件光电性能的影响。结果表明因空穴传输层TAPC较高的HOMO能级而产生的俄歇辅助空穴注入以及其较强的电子阻挡性,使得器件的开启电压大幅降低并且发光效率更高。在此基础上,在TAPC与空穴注入层MoO3之间引入具有超低的最低未占据分子轨道（LUMO）能级以及吸电子能力的HATCN薄层,由于TAPC易将电子转移给HATCN从而产生更多能近乎自由移动的空穴,空穴注入与传输性能得到进一步增强,有效提升了量子点发光层中载流子的平衡并降低器件的工作电压。相应器件的最大功率效率达到26.2 lm/W,比未加插层的参考器件提高了50%。
李巍[10]（2019）在《基于准周期微纳米结构的银纳米线复合电极制备高效柔性白光OLED》文中研究指明有机电致发光二极管（OLED）经历了近三十多年的发展,性能不断完善,被人们认为是理想的接替液晶（LCD）显示的第三代平板显示技术。与此同时,其凭借着自身所拥有的广视角、宽色域、自发光、快速响应、低能耗、体积轻薄以及可柔性化等特质,占据了目前显示领域的主导地位,并且其市场份额也会不断增长。然而,对于OLED显示技术而言,如何解决平面式OLED器件中存在的光子损耗,并且提升器件的光耦合输出效率,成为目前OLED显示技术发展的重要挑战之一。OLED显示技术的其中一个分支一一柔性OLED显示技术,由于其可弯曲的特性成功的吸引了人们的目光,在手机、电视、穿戴式设备等领域中拥有极为广阔的应用前景。在柔性OLED显示技术中,选择一种即具有优异的光学、电学性能,同时还具备较低粗糙度的柔性电极,是这一技术的重要挑战。在本文中,我们研究了一种基于银纳米线的具有准周期纳米结构的新型复合电极,其拥有较高的光学透过率、较低的方阻以及优异的耐弯折性能。我们在银纳米线电极上引入氧化锌修饰层,既可以解决银纳米线电极高表面粗糙度的问题,又可在复合电极上引入准周期纳米结构对器件的光场进行调控。我们应用这种具备准周期纳米结构的复合电极替换传统ITO电极制备柔性OLED器件,器件的性能得到了显着提升:基于平面式柔性绿光倒置OLED器件的最大电流效率达到102 cd A-1;基于双面压印式电极的柔性白光OLED器件在亮度达到1000 cd m-2时,功率效率达到110.3 lm W-1,外量子效率达到59%,而且器件的最大功率效率与最大外量子效率分别为126.6 lm W-1和61.6%。
二、倒置型OLED的新型复合阴极研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、倒置型OLED的新型复合阴极研究（论文提纲范文）
（1）交流驱动有机发光器件的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 有机电致发光技术的概述 |
| 1.1.1 有机电致发光技术的研究进展 |
| 1.1.2 有机电致发光技术的商业化进展 |
| 1.2 有机电致发光器件的工作原理和常见制备工艺 |
| 1.2.1 有机电致发光器件的器件结构 |
| 1.2.2 有机电致发光器件的工作原理 |
| 1.2.3 有机电致发光器件的常见制备工艺 |
| 1.3 交流驱动有机电致发光器件的概述 |
| 1.4 有机电致发光器件的性能表征 |
| 1.5 本论文的研究工作 |
| 第二章 基于(Ag/Bphen)_n中间连接层的叠层型交流驱动有机发光器件的研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 材料和器件制备 |
| 2.2.2 表征与测试 |
| 2.3 基于中间连接层(Ag/Bphen)_n的交流驱动型双色有机电致发光器件的研究 |
| 2.3.1 中间连接层(Ag/Bphen)_n的透过率研究 |
| 2.3.2 中间连接层(Ag/Bphen)_n的载流子生成能力的研究 |
| 2.3.3 基于中间连接层(Ag/Bphen)_n的交流驱动双色有机电致发光器件的研究 |
| 2.4 基于中间连接层(Ag/Bphen)_n的交流驱动白光有机电致发光器件的研究 |
| 2.4.1 交流驱动白光有机电致发光器件的性能研究 |
| 2.4.2 交流驱动白光有机电致发光器件的瞬态响应和色温可调的研究 |
| 2.5 本章工作小结 |
| 第三章 共面电极型交流驱动有机发光器件的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 材料和器件制备 |
| 3.2.2 表征与测试 |
| 3.3 共面电极型交流驱动底发射绿光有机电致发光器件的研究 |
| 3.4 共面电极型交流驱动底发射白光有机电致发光器件的研究 |
| 3.4.1 共面电极型交流驱动底发射白光OLED的制备 |
| 3.4.2 共面电极型交流驱动底发射白光OLED的电学特性研究 |
| 3.4.3 共面电极型交流驱动底发射白光OLED的白光及其光谱可调性研究 |
| 3.4.4 共面电极型交流驱动底发射白光OLED的应用研究 |
| 3.5 共面电极型交流驱动透明绿光有机电致发光器件的研究 |
| 3.6 本章工作小结 |
| 第四章 基于双微腔技术的柔性顶发射白光交流驱动有机发光器件的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 材料和器件制备 |
| 4.2.2 表征与测试 |
| 4.3 基于双微腔技术交流驱动柔性顶发射白光OLED的研究 |
| 4.3.1 单谐振腔中微腔效应的研究 |
| 4.3.2 基于双微腔技术交流驱动柔性顶发射白光OLED中微腔效应的优化 |
| 4.3.3 基于双微腔技术交流驱动柔性顶发射白光OLED的电学特性研究 |
| 4.3.4 基于双微腔技术交流驱动柔性顶发射白光OLED的色温可调性研究 |
| 4.4 本章工作小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 |
| 致谢 |
（2）有机-无机杂化倒置电致发光器件及其稳定性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 有机电致发光技术的概述 |
| 1.1.1 有机电致发光技术的研究进程 |
| 1.1.2 有机电致发光技术的产业化进程 |
| 1.2 有机电致发光器件的工作机理 |
| 1.2.1 有机电致发光器件的器件结构 |
| 1.2.2 有机电致发光器件的基本工作原理 |
| 1.3 有机电致发光器件的性能表征 |
| 1.3.1 光学表征 |
| 1.3.2 电学表征 |
| 1.4 有机-无机杂化结构在OLED中的应用 |
| 1.4.1 有机-无机体异质结 |
| 1.4.2 有机-无机平面异质结 |
| 1.4.3 Ⅰ型与Ⅱ型杂化倒置器件 |
| 1.5 本论文主要研究工作 |
| 第二章 基于PEI-Zn的有机-无机杂化倒置电致发光器件研究 |
| 2.1 概述 |
| 2.2 薄膜与器件的制备和测试 |
| 2.3 基于PEI-Zn电子传输层的I型杂化倒置电致发光器件 |
| 2.3.1 PEI-Zn与PEI薄膜的X射线和紫外光电子能谱 |
| 2.3.2 PEI-Zn与PEI薄膜形貌以及光学透过率的表征 |
| 2.3.3 I型杂化倒置PEI-Zn器件的电致发光特性分析 |
| 2.3.4 器件中激子寿命研究 |
| 2.3.5 器件中激子复合区位置研究 |
| 2.4 基于无机空穴传输层的Ⅱ型杂化倒置PEI-Zn器件 |
| 2.4.1 无机空穴传输层对Ⅱ型杂化倒置PEI-Zn器件电学性能的影响 |
| 2.4.2 无机空穴传输层对Ⅱ型杂化倒置PEI-Zn器件光学性能的影响 |
| 2.5 PEI-Zn倒置电致发光器件的稳定性研究 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 基于TiO_2的有机-无机杂化倒置电致发光器件研究 |
| 3.1 概述 |
| 3.2 器件与薄膜的制备及测试 |
| 3.3 基于TiO_2为电子传输层的I型杂化倒置电致发光的研究 |
| 3.3.1 基于PEI单层中间层器件的研究 |
| 3.3.2 基于双层及三层复合中间层器件的性能研究 |
| 3.3.3 器件中激子分布位置研究 |
| 3.3.4 时间分辨电致和光致发光特性研究 |
| 3.3.5 基于三层复合有机中间层的白光器件的研究 |
| 3.4 基于无机空穴传输层的Ⅱ型杂化倒置TiO_2器件 |
| 3.4.1 无机空穴传输层对Ⅱ型杂化TiO_2器件电学性能的影响 |
| 3.4.2 无机空穴传输层对Ⅱ型杂化倒置TiO_2器件光学特性的影响 |
| 3.5 TiO_2倒置电致发光器件的稳定性研究 |
| 3.6 本章工作小结 |
| 第四章 基于ZnO的有机-无机杂化倒置顶发射器件研究 |
| 4.1 概述 |
| 4.2 薄膜与器件的制备和测试 |
| 4.3 顶发射器件的光物理过程 |
| 4.3.1 顶发射器件的光谱特性分析 |
| 4.3.2 微腔效应对不同发光机制材料辐射速率的影响 |
| 4.3.3 顶发射器件的光取出效率研究 |
| 4.4 基于ZnO电子传输层的倒置顶发射器件 |
| 4.4.1 薄膜性质表征 |
| 4.4.2 ZnO倒置顶发射器件的电致发光特性研究 |
| 4.4.3 ZnO倒置顶发射器件的稳定性研究 |
| 4.5 本章工作小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及在读期间所取得的科研成果 |
| 致谢 |
（3）香豆素衍生物高效发光材料的合成及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 有机电致发光发展简史 |
| 1.2 OLED发光机理 |
| 1.2.1 荧光OLEDs |
| 1.2.2 磷光OLEDs |
| 1.2.3 热激活延迟荧光OLEDs |
| 1.2.4 聚集诱导发光OLEDs |
| 1.3 OLED功能材料 |
| 1.3.1 OLED材料的分类 |
| 1.3.2 电极材料 |
| 1.3.3 空穴注入材料 |
| 1.3.4 空穴传输材料 |
| 1.3.5 发光层材料 |
| 1.3.6 电子传输材料 |
| 1.3.7 电子注入材料和阴极材料 |
| 1.3.8 载流子和激子阻挡材料 |
| 1.4 OLED器件结构 |
| 1.4.1 底发射,顶发射以及两侧发射 |
| 1.4.2 正置结构与倒置结构 |
| 1.5 OLED制备工艺 |
| 1.5.1 真空蒸镀法 |
| 1.5.2 湿法工艺 |
| 1.6 OLED性能参数 |
| 1.7 香豆素材料 |
| 1.8 本论文主要研究内容与研究意义 |
| 2 含多环芳烃桥联香豆素衍生物作为有机发光材料的合成与电致发光性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 材料设计 |
| 2.3 试剂与仪器 |
| 2.4 合成方法 |
| 2.5 性质表征 |
| 2.5.1 化合物的光物理性质 |
| 2.5.2 化合物的电化学性质 |
| 2.5.3 化合物的热稳定性 |
| 2.6 器件制备与表征 |
| 2.7 本章小结 |
| 3 含芳香咪唑基的香豆素衍生物作为有机发光材料的合成与电致发光性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 材料设计 |
| 3.3 试剂与仪器 |
| 3.4 合成方法 |
| 3.5 性质表征 |
| 3.5.1 化合物的光物理性质 |
| 3.5.2 化合物的电化学性质 |
| 3.5.3 化合物的热稳定性 |
| 3.6 器件制备与表征 |
| 3.7 本章小结 |
| 4 吩噻嗪和吩恶嗪对香豆素衍生物光物理性质的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 材料设计 |
| 4.3 试剂与仪器 |
| 4.4 合成方法 |
| 4.5 性质表征 |
| 4.5.1 化合物的光物理性质 |
| 4.5.2 化合物的热稳定性 |
| 4.5.3 化合物的电化学性质 |
| 4.5.4 化合物的PL瞬态衰减特性 |
| 4.6 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
（4）基于倒置结构的有机电致发光器件设计及峰值调控（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 有机电致发光二极管(OLED)简介 |
| 1.2 OLED的发展历程 |
| 1.3 OLED的理论基础 |
| 1.3.1 OLED的发光原理 |
| 1.3.2 激子的能量转移 |
| 1.3.3 OLED的功能层材料 |
| 1.4 本文的研究内容及意义 |
| 1.4.1 本文的研究内容及章节安排 |
| 1.4.2 本文的研究内容意义 |
| 2 倒置OLED器件的制备和表征 |
| 2.1 OLED的器件结构 |
| 2.2 材料及薄膜的制备 |
| 2.3 OLED参数表征 |
| 3 基于倒置结构的紫外有机电致发光器件设计 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 倒置紫外OLED的设计与制备 |
| 3.2.1 器件结构与能级图 |
| 3.2.2 紫外OLED器件制备及光谱测试 |
| 3.3 发光层厚度对波长的影响 |
| 3.4 不同发光层厚度的激子寿命测量 |
| 3.5 激子的扩散距离研究 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 倒置OLED激子的弛豫及峰值调控 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 激子的弛豫模型 |
| 4.3 不同功能层带来的峰值变化 |
| 4.3.1 MoO3/NPB/MoO3梯度结构空穴注入传输体系的峰值变化 |
| 4.3.2 插入BPhen缓冲层的峰值变化 |
| 4.4 多空穴传输层带来的器件峰值变化 |
| 4.4.1 具有TCTA空穴传输层的倒置器件 |
| 4.4.2 具有NPB空穴传输层的倒置器件 |
| 4.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 |
| 致谢 |
（5）基于C60/ZnPc有机电荷产生层的叠层OLED光电性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 注释表 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 OLED概述 |
| 1.1.1 OLED的起源与发展 |
| 1.1.2 OLED的基本结构 |
| 1.1.3 OLED的发光机制 |
| 1.1.4 OLED的性能参数 |
| 1.1.5 OLED的制备工艺和设备简介 |
| 1.2 叠层OLED的理论基础及其发展介绍 |
| 1.2.1 叠层OLED的特点 |
| 1.2.2 叠层OLED的工作原理 |
| 1.2.3 叠层OLED的研究现状 |
| 1.2.4 叠层OLED的现存问题 |
| 1.3 本文的研究意义和主要工作 |
| 1.3.1 研究意义 |
| 1.3.2 主要工作 |
| 第2章 基于C_(60)/ZnPc有机电荷产生层的研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验材料 |
| 2.2.2 器件制备及测试 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 C_(60)/ZnPc的光学性能研究 |
| 2.3.2 C_(60)/ZnPc的薄膜形貌分析 |
| 2.3.3 C_(60)/ZnPc的电学性能研究 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 基于C_(60)/ZnPc有机电荷产生层的叠层OLED光电性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验材料 |
| 3.2.2 器件制备及测试 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 基于C_(60)/ZnPc有机电荷产生层的分析 |
| 3.3.2 基于C_(60)/ZnPc有机电荷产生层的叠层OLED光电性能研究 |
| 3.3.3 C_(60)/ZnPc有机电荷产生层在叠层OLED中的光伏特性分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 基于C_(60)/ZnPc有机电荷产生层的高性能蓝光叠层OLED |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验材料 |
| 4.2.2 器件制备及测试 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 不同电子传输层对传统结构蓝光OLED性能的影响 |
| 4.3.2 蓝光照射对电荷产生单元性能的影响 |
| 4.3.3 基于光伏型电荷产生单元的蓝光叠层OLED工作机理 |
| 4.3.4 基于C_(60)/ZnPc有机电荷产生层的高性能蓝光叠层OLED |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 全文工作总结 |
| 5.2 未来工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间从事的科研工作及取得的成果 |
（6）紫外有机发光器件的电极界面修饰及其载流子注入调控（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| §1.1 引言 |
| §1.2 有机电致发光器件的研究历程和现状 |
| §1.3 有机电致发光器件的工作原理 |
| §1.4 有机电致发光器件的器件结构 |
| §1.4.1 单层器件结构 |
| §1.4.2 双层器件结构 |
| §1.4.3 三层及多层器件结构 |
| §1.4.4 倒置器件结构 |
| §1.5 有机电致发光器件的性能参数 |
| §1.6 有机电致发光器件的材料 |
| §1.6.1 载流子传输材料 |
| §1.6.2 发光材料 |
| §1.6.3 阻挡材料 |
| §1.7 有机电致发光器件电极界面修饰的研究进展 |
| §1.7.1 电极界面修饰的意义 |
| §1.7.2 阳极ITO界面修饰的研究进展 |
| §1.7.3 阴极材料界面修饰的研究进展 |
| §1.8 本论文主要的实验内容及安排 |
| 第二章 实验过程 |
| §2.1 有机电致发光器件制备工艺 |
| §2.1.1 ITO玻璃基片预处理 |
| §2.1.2 旋涂成膜法制备薄膜 |
| §2.1.3 真空蒸镀法制备薄膜 |
| §2.2 有机电致发光器件性能测试 |
| §2.2.1 薄膜结构与形貌测试 |
| §2.2.2 薄膜成份及其电子价态测试 |
| §2.2.3 薄膜表面功函数测试 |
| §2.2.4 薄膜吸收率测试 |
| §2.2.5 器件性能及光谱测试 |
| §2.2.6 阻抗谱测试 |
| 第三章 基于溶液处理GeO_2阳极缓冲层修饰ITO阳极的可见光和紫外OLED |
| §3.1 引言 |
| §3.2 基于溶液处理GeO_2阳极缓冲层修饰ITO阳极的可见光OLED |
| §3.2.1 GeO_2水性溶液的制备 |
| §3.2.2 可见光OLED器件构造 |
| §3.2.3 结果与分析 |
| §3.3 基于溶液处理GeO_2阳极缓冲层修饰ITO阳极的紫外OLED |
| §3.3.1 紫外OLED器件构造 |
| §3.3.2 结果与分析 |
| §3.4 本章小结 |
| 第四章 可溶液处理s-ZnO+Cs_2CO_3修饰ITO阴极的倒置结构紫外OLED |
| §4.1 引言 |
| §4.2 实验过程 |
| §4.2.1 ZnO与Cs_2CO_3溶液的制备 |
| §4.2.2 倒置结构紫外OLED器件的构造 |
| §4.3 结果与分析 |
| §4.4 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 读硕士期间主要研究成果 |
（7）倍增型有机光电探测器的结构设计与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 有机光电探测器概述 |
| 1.1.1 有机光电探测器的定义及工作原理 |
| 1.1.2 有机光电探测器的基本结构 |
| 1.1.3 有机光电探测器的材料选择 |
| 1.1.4 有机光电探测器的主要性能参数 |
| 1.2 有机光电探测器的分类及研究进展 |
| 1.2.1 紫外有机光电探测器 |
| 1.2.2 可见光有机光电探测器 |
| 1.2.3 近红外与全光谱有机光电探测器 |
| 1.2.4 窄带响应有机光电探测器 |
| 1.2.5 有机光电探测器的性能优化 |
| 1.3 倍增型有机光电探测器的研究进展 |
| 1.3.1 小分子类倍增型有机光电探测器 |
| 1.3.2 聚合物类倍增型有机光电探测器 |
| 1.3.3 掺杂量子点倍增型有机光电探测器 |
| 1.4 有机光电探测器的应用 |
| 1.4.1 集成收发器 |
| 1.4.2 成像传感 |
| 1.4.3 健康监测 |
| 1.5 本论文的设计思路与研究内容 |
| 第二章 界面阻挡空穴诱导电子注入倍增型有机光电探测器 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验所用材料 |
| 2.2.2 器件制备工艺 |
| 2.2.3 器件测试 |
| 2.3 实验结果与讨论 |
| 2.3.1 光响应特性 |
| 2.3.2 倍增机理分析 |
| 2.3.3 电子传输材料的影响 |
| 2.3.4 暗电流的降低 |
| 2.3.5 空穴阻挡材料的影响 |
| 2.3.6 器件结构的普适性研究 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 界面俘获电子诱导空穴注入倍增型有机光电探测器 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验所用材料 |
| 3.2.2 器件制备工艺 |
| 3.2.3 测试方法与仪器 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 光响应特性 |
| 3.3.2 倍增机理分析 |
| 3.3.3 电子俘获材料的选择 |
| 3.3.4 空穴传输材料的选择 |
| 3.3.5 基于AIE材料的倍增型有机光电探测器 |
| 3.3.6 宽光谱响应倍增型有机光电探测器 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 降低受体浓度实现窄/宽波段响应倍增型有机光电探测器 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验所用材料 |
| 4.2.2 器件制备工艺 |
| 4.2.3 测试方法与仪器 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 光响应特性 |
| 4.3.2 倍增机理分析 |
| 4.3.3 暗电流的降低 |
| 4.3.4 宽光谱响应倍增型有机光电探测器 |
| 4.3.5 窄光谱响应倍增型有机光电探测器 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于酞菁受体的窄/宽波段响应倍增型有机光电探测器 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 实验所用材料 |
| 5.2.2 器件制备工艺 |
| 5.2.3 测试方法与仪器 |
| 5.3 实验结果与讨论 |
| 5.3.1 三层PHJ倍增型器件的光响应特性 |
| 5.3.2 三层二元BHJ倍增型器件的光响应特性 |
| 5.3.3 三层三元BHJ倍增型器件的光响应特性 |
| 5.4 本章小结 |
| 工作总结 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（8）V2O5基空穴注入层构筑高效稳定的绿色量子点发光二极管（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 量子点发光二极管的概述 |
| 1.1.1 QLED的发光机制及研究进展 |
| 1.2 过渡金属氧化物在光电器件中的应用概述 |
| 1.2.1 过渡金属氧化物的应用 |
| 1.2.2 五氧化二钒在光电器件中的应用 |
| 1.3 目前存在的问题 |
| 1.4 本论文的主要研究思路及内容 |
| 1.4.1 本论文的主要研究思路 |
| 1.4.2 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 溶胶凝胶法合成V_2O_5 作为空穴注入层构筑QLED器件 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验材料及试剂 |
| 2.2.2 实验及表征仪器 |
| 2.2.3 实验过程 |
| 2.2.4 器件制备 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 V_2O_5 的相关表征 |
| 2.3.2 绿光量子点的表征 |
| 2.3.3 V_2O_5 薄膜的厚度对器件性能的影响 |
| 2.3.4 V_2O_5 退火温度对器件性能的影响 |
| 2.3.5 V_2O_5 臭氧处理时间对器件性能的影响 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 V_2O_5/PEDOT:PSS双层空穴注入层构筑QLED器件 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验所需材料与仪器 |
| 3.2.2 实验过程 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 三种不同空穴注入层对器件性能的影响 |
| 3.3.2 双层空穴注入层改善器件性能的机制研究 |
| 3.3.3 器件稳定性研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 Ti掺杂V_2O_5 作为空穴注入层构筑QLED器件 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验材料与实验仪器 |
| 4.2.2 Ti掺杂V_2O_5 的制备 |
| 4.2.3 Ti掺杂V_2O_5 作为空穴注入层构筑QLED |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 Ti掺杂V_2O_5 性能表征 |
| 4.3.2 Ti掺杂V_2O_5 不同的后处理条件对器件的影响 |
| 4.3.3 器件重复性及稳定性研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 总结 |
| 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果 |
| 致谢 |
（9）基于溶液法电致发光器件中载流子及激子复合区域调控的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 OLED的研究概述 |
| 1.2.1 OLED的工作原理及相关概念 |
| 1.2.2 影响OLED效率的参数 |
| 1.2.3 OLED的制备技术 |
| 1.3 QD-LED的研究概述 |
| 1.3.1 量子点的概念 |
| 1.3.2 量子点的发光特性 |
| 1.3.3 QD-LED的工作原理 |
| 1.3.4 QD-LED的结构演变 |
| 1.4 载流子平衡及激子复合区域调控的研究进展 |
| 1.4.1 量子点发光材料 |
| 1.4.2 空穴的注入与传输 |
| 1.4.3 电子的注入与传输 |
| 1.4.4 激子复合区域的调控 |
| 1.5 本论文的研究意义、研究目标与研究内容 |
| 1.5.1 本论文的研究意义 |
| 1.5.2 本论文的研究目标与研究内容 |
| 1.6 本论文的创新点 |
| 第二章 基于溶液法小分子混合主体的磷光OLED的研究 |
| 2.1 研究背景 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 单一主体发光层对器件性能的影响 |
| 2.3.2 小分子混合主体对器件性能的影响 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 基于聚合物-量子点混合发光层的QD-LED的研究 |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 混合与单独量子点发光层对器件性能的影响 |
| 3.3.2 电子传输层厚度对器件性能的影响 |
| 3.3.3 量子点掺杂浓度对器件性能的影响 |
| 3.3.4 浅LUMO能级的小分子缓冲层对器件性能的影响 |
| 3.3.5 荧光-磷光小分子掺杂体系的缓冲层对器件性能的影响 |
| 3.3.6 空穴阻挡型的缓冲层对器件性能的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 QD-LED中空穴注入与传输的研究 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 聚合物-小分子混合空穴传输层对载流子平衡的影响 |
| 4.3.2 全溶液法QD-LED的初步研究 |
| 4.3.3 采用无机空穴注入材料的QD-LED |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 倒置型QD-LED中载流子注入与传输的研究 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 PEIE插层对Zn O电子传输性能的影响 |
| 5.3.2 空穴传输材料的能级对器件性能的影响 |
| 5.3.3 超低LUMO能级的插层增强空穴注入的机理研究 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 工作总结 |
| 6.1.1 基于溶液法空穴传输型小分子混合主体的磷光OLED |
| 6.1.2 基于聚合物-量子点混合发光层的QD-LED |
| 6.1.3 QD-LED中空穴的注入与传输 |
| 6.1.4 倒置型QD-LED中载流子的注入与传输 |
| 6.2 工作展望 |
| 6.2.1 蓝光QD-LED发光性能的提高 |
| 6.2.2 高效全溶液法的倒置型QD-LED的实现 |
| 6.2.3 QD-LED相关工作机理的深入探究 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间已发表或录用的论文 |
（10）基于准周期微纳米结构的银纳米线复合电极制备高效柔性白光OLED（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 OLED技术的发展进程 |
| 1.3 OLED显示技术的现状与前景 |
| 1.3.1 OLED技术的现状 |
| 1.3.2 OLED技术的前景 |
| 1.4 OLED技术的简介 |
| 1.4.1 基本原理 |
| 1.4.2 器件结构 |
| 1.4.3 参数表征 |
| 1.5 柔性OLED的机遇与挑战 |
| 1.5.1 柔性OLED的优势 |
| 1.5.2 柔性OLED存在的问题 |
| 1.6 本论文的主要工作 |
| 1.6.1 选题意义 |
| 1.6.2 研究内容 |
| 第二章 OLED光提取手段及准周期纳米结构设计 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 光提取技术介绍 |
| 2.2.1 外部光提取 |
| 2.2.2 内部光提取 |
| 2.3 准周期纳米结构设计 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 柔性透明电极的选择与制备 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 柔性透明电极的发展概述 |
| 3.3 银纳米线柔性电极优势与挑战 |
| 3.3.1 银纳米线电极的优点 |
| 3.3.2 银纳米线电极的挑战 |
| 3.4 实验流程 |
| 3.4.1 银纳米线电极的制备 |
| 3.4.2 具有蛾眼结构的氧化锌与银纳米线复合电极制备 |
| 3.5 实验结果分析 |
| 3.5.1 银纳米线电极的光电性能表征 |
| 3.5.2 银纳米线电极的形貌表征 |
| 3.5.3 具有蛾眼结构的氧化锌与银纳米线复合电极的表征 |
| 3.5.4 弯折测试 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 基于复合电极制备的柔性绿光OLED器件 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验流程 |
| 4.3 实验结果分析 |
| 4.3.1 银纳米线悬浮液浓度优化 |
| 4.3.2 电子传输层厚度优化 |
| 4.3.3 光学仿真 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于准周期结构的复合电极制备高效柔性白光OLED器件 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验流程 |
| 5.2.1 材料选择与设备 |
| 5.2.2 柔性白光OLED器件的制备 |
| 5.3 实验结果分析 |
| 5.3.1 发光性能 |
| 5.3.2 具有准周期结构复合电极的OLED器件性能测试 |
| 5.3.3 角度依赖性与CIE测量 |
| 5.3.4 光学仿真 |
| 5.4 器件弯折测试 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 全文总结 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间本人出版公开发表的论着、论文 |
| 致谢 |
四、倒置型OLED的新型复合阴极研究（论文参考文献）
- [1]交流驱动有机发光器件的研究[D]. 张祥. 吉林大学, 2021(01)
- [2]有机-无机杂化倒置电致发光器件及其稳定性研究[D]. 臧春秀. 吉林大学, 2021(01)
- [3]香豆素衍生物高效发光材料的合成及性能研究[D]. 李艳梅. 兰州交通大学, 2020(01)
- [4]基于倒置结构的有机电致发光器件设计及峰值调控[D]. 那锦. 大连理工大学, 2020(02)
- [5]基于C60/ZnPc有机电荷产生层的叠层OLED光电性能研究[D]. 陈爱. 重庆邮电大学, 2020(02)
- [6]紫外有机发光器件的电极界面修饰及其载流子注入调控[D]. 徐凯. 桂林电子科技大学, 2020
- [7]倍增型有机光电探测器的结构设计与性能研究[D]. 虢德超. 华南理工大学, 2020(01)
- [8]V2O5基空穴注入层构筑高效稳定的绿色量子点发光二极管[D]. 马玉婷. 河南大学, 2019(01)
- [9]基于溶液法电致发光器件中载流子及激子复合区域调控的研究[D]. 董丹. 上海交通大学, 2019(06)
- [10]基于准周期微纳米结构的银纳米线复合电极制备高效柔性白光OLED[D]. 李巍. 苏州大学, 2019(02)