一、关于等离子电视机/显示器（论文文献综述）
查尔顿·佩特斯,余书华[1]（2021）在《脱身策略》文中进行了进一步梳理一家着名医药科技公司创始人乔丹·帕里什拥有一个美满的家庭,然而,看似成功的人生其实早已千疮百孔。乔丹觉得自己山穷水尽,心力交瘁的他只想着早日逃离现实。乔丹的心理医生罗森给了他一个电话号码,告诉他这是一条不能回头的路。绝望的乔丹拨通了电话,随后被自称是"脱身策略公司"的人带走。这家公司专门帮助那些想要摆脱现有生活,在世界的另一处改头换面、重新生活的人。他们制造了乔丹遭遇车祸死亡的假象,乔丹的家人获得了一笔赔偿金,接受了这个事实。但是乔丹很快就后悔了,他不愿以这种狼狈的方式退出原来的生活。想念家人的他希望回归家庭,但脱身策略公司的人强行将乔丹送到日本,严格监视他的生活。乔丹无意中发现以前的同事兼好友亚历克斯与脱身策略公司有过联系。难道这一切都是圈套?
刘畅[2]（2021）在《基于等离子体辅助制程的InGaZnO薄膜晶体管的研究》文中研究表明近年来,基于InGaZnO（IGZO）薄膜晶体管（Thin Film transistor,TFT）的背板驱动技术,由于其具有迁移率高、大面积均匀性好、可见光透过率优异、兼容现有a-Si TFT制程以及可应用于柔性显示等优点而被众多科研机构以及公司所关注。随着IGZO TFT在有源矩阵式显示等领域的广泛应用以及对显示品质要求的不断提高,人们对IGZO TFT的制程以及性能提出了更为严苛的要求。一方面,为了满足柔性显示的驱动电路的需求,匹配柔性衬底的耐受温度以及降低研发成本,IGZO TFT的制备温度需要进一步的降低;另一方面,随着显示需求的逐步升级,高分辨率、高刷新率的显示应用对IGZO TFT的迁移率、亚阈值摆幅以及稳定性等指标提出了更高的要求。因此,本论文的主要工作以基于等离子体辅助制程的IGZO TFT为主线,利用等离子体辅助相关方法,从降低IGZO薄膜沉积温度、提高IGZO TFT器件性能、增强IGZO TFT器件的稳定性等几个角度出发,探索研究实现低制备温度、高性能、高稳定性的IGZO TFT的方法,主要研究成果包括以下内容:（1）针对IGZO TFT面向低玻璃化温度廉价柔性衬底上的应用,扩展IGZO TFT应用于柔性显示时衬底的选择范围,我们提出利用电容耦合等离子体辅助方法在100℃的后退火温度下制备了IGZO TFT。相较于未引入等离子体辅助方法所制备的IGZO TFT,在同一退火温度下引入等离子体辅助方法制备的IGZO TFT各项电学性能指标有了较大幅度的提高。我们利用这一方法,在40 W辅助等离子体功率、100℃的后退火温度条件下,获得了迁移率高达26.03 cm2/V·s,阈值电压为2.00 V,亚阈值摆幅为0.33 V/decade的高性能IGZO TFT。为了进一步调控利用电容耦合等离子体辅助方法制备的IGZO TFT的电学特性,我们引入了低温制备的组分可调缓冲层对IGZO TFT中的栅介质层进行修饰,这种组分可调的栅介质缓冲层是利用电感耦合-等离子体增强化学气相沉积系统在70℃的条件下实现沉积,通过控制沉积过程中的O2流量,可以对栅介质缓冲层的成分进行调节。在后续的等离子体辅助制备IGZO沟道层的过程中,这种栅介质缓冲层中的H原子可以在辅助等离子体轰击的作用下掺杂至正在沉积过程中的IGZO薄膜内,从而改善了IGZO TFT的电学性能。此外,在IGZO TFT制备的后退火过程中,在浓度梯度的作用下,栅介质缓冲层中残留H原子也可以通过扩散作用掺杂至IGZO薄膜中。我们所提出的这一方法所研制的IGZO TFT具有工艺温度低、电学性能优异的特点,为未来高性能柔性显示提供了一种全新的思路。另一方面,我们还利用电容耦合等离子体辅助方法同时结合高Zn组分的IGZO,在无需后退火的条件下,成功制备了具有C轴结晶取向的IGZO TFT,然而受限于这种方法所制备薄膜的Zn含量较高,迁移率仅有6.05 cm2/V·s,其性能有待进一步提高。（2）目前,由于未钝化的IGZO TFT普遍存在的空气中偏压稳定性的问题,我们针对IGZO TFT产生阈值电压漂移问题的根源—背沟道水氧吸附进行了研究。我们提出利用电感耦合—等离子体增强化学气相沉积法,以HMDSO为前驱体在大约80℃的温度下制备了有机硅薄膜作为IGZO TFT的背沟道钝化层。得益于这种背沟道钝化层对水氧的优良阻隔特性,在引入了背沟道钝化层后IGZO TFT的正负偏压下阈值电压漂移现象得到了明显的改善,并且在偏压测试后展现了良好的恢复特性。针对在负偏压稳定性的测试过程中观察到的Ids电流异常现象,我们从陷阱捕获/发射的角度对这一现象进行了详细阐述。此外,我们利用在沉积背沟道钝化层过程中由前驱体HMDSO的氧化分解引起的H掺杂效应,实现了IGZO TFT电学特性的提高。相较于未使用有机硅钝化层的IGZO TFT,器件的迁移率从11.99 cm2/V·s提高至17.78 cm2/V·s,亚阈值摆幅从0.63 V/decade降低至0.41 V/decade,而开关比则从106提高至107。我们利用傅立叶红外光谱,动态二次离子质谱等多种表征手段详细分析了性能提高的内在机理。这种利用有机硅作为钝化层的方法具有工艺温度低、可见光透过率高兼容全透明TFT、稳定性好等优点,为实现稳定的高性能IGZO TFT提供了一种新的方法。（3）为了满足对IGZO TFT的日益提高的性能需求,进一步降低亚阈值摆幅等关键电学指标,我们提出利用电容耦合等离子体氧化SiNx栅介质的方法大幅降低了IGZO TFT的亚阈值摆幅。在引入了等离子氧化SiNx栅介质后,我们获得了亚阈值摆幅仅有0.097 V/decade的低亚阈值摆幅IGZO TFT。通过对SiNx表面的X射线光电子能谱（XPS）测试结果进行分析我们发现,引入等离子氧化SiNx栅介质过程后,会在SiNx表面形成一层富氧层,通过角分辨XPS对SiNx/IGZO界面附近进行测试,证明了这一预植入的富氧层可以有效地抑制SiNx/IGZO界面处的氧空位的形成,从而降低了SiNx栅介质与IGZO沟道层界面处的缺陷态密度。除此之外,我们还对引入等离子体氧化栅介质前后的IGZO TFT在光照条件下的负偏压稳定性进行了测试。测试结果表明,得益于SiNx/IGZO界面处的氧空位的减少,引入等离子体氧化SiNx栅介质层的IGZO TFT在7200 s负偏压光照测试后阈值电压漂移量从-4.75 V大幅降低至-0.37 V。而我们利用电导法对界面处的缺陷态密度进行了测量估算,进一步证明了等离子体氧化SiNx栅介质过程的引入可以使得界面缺陷态密度降低,从而令IGZO TFT的电学性能以及稳定性有了大幅度的提高。（4）在我们对IGZO TFT的研究过程中,发现国际上不同课题组所制备的结构相近的IGZO TFT所获得的亚阈值摆幅不尽相同,离散程度很高,通过进一步对不同栅介质材料以及亚阈值摆幅的相关工作进行统计分析,我们发现亚阈值摆幅与栅电压的采样间隔呈现一定的变化规律。为了探究出现这一现象的原因,我们利用了不同的栅电压采样间隔对制备的IGZO TFT进行了测试,并通过泰勒展开对前向差分以及中心差分法提取的亚阈值摆幅进行了分析,解释了出现上述离散现象的原因。此外,我们提出了一个兼顾测试效率以及测试准确性的栅电压采样间隔的经验公式,对同行的相关工作提供了一定参考作用。
李阳[3]（2021）在《Micro-LED阵列理论及显示技术研究》文中研究指明发光二极管（LED）以亮度高、寿命长、响应速度快和环保等优点在照明和显示领域得到广泛的应用。近几年,半导体微纳制造技术与LED技术的结合使LED显示技术向着微显示、高分辨率的方向迅速发展,具有微米量级特征尺寸的微型发光二极管（Micro-LED）在国际上得到广泛关注。与OLED和LCD等技术相比,Micro-LED具有很多优异的特性,如更高的亮度、分辨率与色彩饱和度,更低的能耗,更长的寿命和更快的响应速度,具有广阔的应用前景。Micro-LED阵列是在较小面积内集成的高密度、微尺寸的LED二维阵列。其微尺寸、高亮度等优点使之可以应用在高分辨显示、无透镜显微镜、超分辨显微镜、光学镊子、光神经接口、无掩膜光刻和可见光通信等众多领域。同时,随着需求的升级,全彩Micro-LED阵列器件也进入人们的视野。全彩显示器件具有更广泛的应用,如面板显示器、平视显示器（HUD）、增强现实（AR）、虚拟现实（VR）、智能手表和智能手机等。本文针对Micro-LED的阵列理论及显示技术开展了研究,具体工作可分为以下几个部分:（1）开展了Micro-LED器件光电特性的研究。通过有限元仿真分析了电极结构和尺寸对Micro-LED光电特性的影响,并提出通过将Micro-LED阵列化提高电光转换效率的方法。通过有限元仿真,将40μm、80μm和160μm的大尺寸的Micro-LED阵列化成2×2的20μm、40μm和80μm的小尺寸的Micro-LED阵列,对比分析相应的光电特性,结果表明,由于电流密度分布和散热能力的改善,阵列化的Micro-LED比具有相同发光面积的大尺寸Micro-LED具有更高的峰值光功率。（2）开展了Micro-LED阵列器件制备工艺的实验研究。对比分析了掩膜材料对ICP刻蚀的影响和沉积方式对二氧化硅介质层质量的影响,并通过ICP台面刻蚀、N电极沉积、二氧化硅沉积和P电极沉积制作了可单独驱动的像素尺寸为10μm×10μm,阵列数为6×6的倒装蓝光Micro-LED显示阵列。（3）开展了三色集成Micro-LED全彩显示阵列器件的研究。首先设计了全彩色Micro-LED阵列显示器件的整体结构和工艺流程;然后在硅衬底上设计和制作了图形化内部驱动电路,并通过转印将红绿蓝单色Micro-LED集成到该硅基板上形成全彩色Micro-LED阵列;红绿蓝Micro-LED均是倒装型结构,其中,倒装红光Micro-LED是通过衬底转移,台面刻蚀,金属沉积和芯片切割制作而成;将全彩色Micro-LED阵列与外部驱动电路集成,完成48×48全彩色像素化可寻址Micro-LED显示器件的制作。（4）开展了单片集成Micro-LED全彩显示阵列器件的研究,提出通过微流控技术制作用于Micro-LED全彩显示的量子点色转换层的新方法。制作了具有高效的发光性能的钙钛矿量子点,绿光量子产率高达90%、FWHM可达14.2nm,红光量子产率可达51%、FWHM可达23.8nm。通过微流控技术制作了全彩像素单元尺寸为400μm和200μm,阵列数为10×10和20×20的三种钙钛矿量子点色转换层。实验表明,2mg/m L浓度的红绿钙钛矿量子点具有最佳的性能,所对应的量子点色转换层色空间覆盖率为131%NTSC,具有较好的显示效果。
刘荒,汪奥娜[4]（2021）在《逆光看合肥“最牛风投城市”的产业投资故事》文中研究表明去年以来,被网友戏封为"赌城"的安徽合肥,以"最牛风投城市"标签刷爆朋友圈——当地政府凭借缓建地铁"押宝"京东方、千亿资金"投注"长鑫存储、联手战略投资者"接盘"蔚来汽车等一系列"神操作",不仅赚得盆满钵满,还培育出三个国家级战略性新兴产业集群。从民间追捧"霸都""豪赌"之类的流行语,到官方推崇"芯屏器合""集终生智"等谐音梗,这个多年不温不火的中部省会城市,终于迎来宏大叙事的高光时刻,被外界誉为政府培育产业的"合肥模式"。
徐正兴[5]（2020）在《TFT LCD亮点缺陷改善研究》文中进行了进一步梳理TFT LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器）是由具双折射性的液晶和具半导体特性的薄膜晶体管元件组成的显示器件。TFT LCD的生产工艺复杂且对制程精度、环境要求高,导致生产成本高,若生产中有不良产生将导致生产出的产品无法销售而造成大量损失。本论文通过科学的分析方法和精密的解析手法,对亮点不良进行分析,确定亮点的发生原因。科学的分析方法主要体现在对不良现象的精准描述,及对不良在面板上的坐标点位聚集性特征采用大数据分析来确定不良可能发生的站点。精密的解析手法体现在采用500倍及以上光学显微镜观察样品上不良的现象,采用电子隧道显微镜、电流电压量测仪、应力量测仪、傅里叶频谱分析仪等高精密设备对样品在微米级或微安培等微观上进行表征,找出亮点发生机理。生产线根据上述方法得出的结论,针对性的进行不良改善,如进行微米级别的微小异物的排查和管控,清洗参数的调整,设备易磨耗零件的重新设计更换等。但完全避免亮点是不可能的,所以针对已经发生亮点的面板在出货之前体检检测出来并进行维修也是有效降低亮点缺陷对产品造成成本损失的有效手段。在成盒制程完成后通过模拟点灯方式将面板点亮的进行画面检测筛选出有亮点不良的产品。通过研究亮点发生的成因,设计实验调整点灯参数,找到可以将亮点有效检测出的方法并应用于实际。亮点维修主要是将发生亮点的像素电极进行暗点化,即将亮点像素电与与阵列公共电极用激光熔接的方式进行导通,使得亮点像素会被阵列公共电极持续通电,与公共电极等电位而液晶不会被驱动,所以保持暗点状态,暗点通常不易被消费者察觉,对显示画面没有影响,所以暗点化是一种非常有效的修补方式。而在实践过程中,亮点的激光修补亦是有成功率的问题。本论文作者通过大量的企业实践总结经验,针对不同发生成因的亮点设计激光修补方法,便于产线操作员作业。同时针对系统性的亮点维修失败,进行真因理清,从机理上分析维修失败原因,实验论证改善方案,从根本上解决维修失败的问题,如成功解决将绿亮点修补成异物暗的问题,修补亮点后成碎亮点的问题,阵列长膜品修补失败的问题。
张吉润[6]（2020）在《两个含DPHA结构的OLED材料的合成工艺研究》文中指出有机电致发光二极管（OLED）除了具有独特的动态显示能力,十分饱满的对比度外,更重要的是它轻薄可挠曲的特性非常符合未来预期的各种通讯设备及显示器的要求,所以将来OLED市场是十分庞大的,因此对于OLED的研究已然成为各国研究的重点。蒽分子是OLED中的明星蓝光小分子,其常常作为荧光分子的基本骨架结构,但是未经修饰的蒽分子荧光量子效率较低,成膜性能不好,所以蒽分子几乎都会被其他官能团修饰,从而提升它的性能。其中DPHA是蒽分子在9位,10位引入苯环后,具有出色发光性能的材料。现有研究中使用芴与芘类分子对DPHA进行修饰,合成DPHA-芴类材料与DPHA-芘类材料,将使其具有良好的热稳定性与蓝色荧光发光区。其中以11,11-二甲基-3-[3-（10-苯基蒽-9-基）苯基]-11H苯并[b]芴（DPHA-F）与1,6-双（3-（10-苯基蒽-9-基）苯基）芘（DPHA-P-DPHA）为典型代表,它们拥有良好的热稳定性与稳定的蓝光性能。通过文献查阅,发现这两种结构有部分合成报道,但是其报道的实验室合成条件较为苛刻,且收率不高,为克服现有办法的不足,本研究优化选择了一条可行且较为经济的合成路线,并使用响应面法将每一步反应进行了优化,为这两种材料的中试生产奠定了基础,本文对DPHA-F与DPHA-P-DPHA及其中间体DPHA硼酸的合成工艺进行了研究,主要研究内容包括:（1）针对中间体DPHA硼酸,对其唯一报道的合成技术路线进行了考察,发现其中有一步难以实现,于是从实际实验出发,将此路线从5步反应优化至4步,并经过单因素及响应面法研究,最终选定以9-溴蒽为初始原料,经过Suzuki-Miyaura、取代等反应得到DPHA硼酸。结果表明:合成DPHA硼酸各步反应中,反应时间、温度和催化剂等对各步反应收率的影响是很明显的,经过响应面法优化参数,可得其总收率为57.22%,相较于文献报道的49.86%的收率有一定提高。（2）针对两个目标化合物DPHA-F与DPHA-P-DPHA,使用单因素法确定了反应溶剂、单体加量区间以及反应时间与温度区间,并使用响应面法优化了它们收率,分别使它们总收率为:50.74%与44.37%,总产品纯度大于99%。该路线与报道路线相比,其反应周期短、操作简便、成本低、效率高。（3）以1H NMR和MS确证了DPHA-F、DPHA-P-DPHA、DPHA硼酸及其中间体的结构,并且对它们进行了DSC-TGA与紫外荧光光谱测定。其中DPHA硼酸、DPHA-F与DPHA-P-DPHA的分解温度分别为146℃、337℃与320℃,最强荧光发射波长分别在454nm、450nm、489nm处,且都为蓝色荧光。
阎双耀[7]（2009）在《浅谈大屏幕显示》文中进行了进一步梳理论述了大屏幕显示技术的发展和各种大屏幕显示器的特点,并从环保和节能的角度分析了大屏幕显示技术的发展前景。
应根裕[8]（2009）在《中国平板显示技术发展30年》文中研究表明1前言从1978年至2008年这30年中,中国大陆地区人民生活发生了翻天覆地的变化,在显示领域也同样。我毕业于清华大学无线电系电真空专业,1958年留校后从事电子束管方面的教学和科研工作,应
黄绍平[9]（2008）在《CES’2008掠影》文中研究指明为期四天的2008年国际消费电子展（2008 International CES）在美国当地时间1月10日正式闭幕,作为全球最大的消费电子盛会之一,今年的CES云集了140个国家和地区的14万名商人,30万件新产品,4500多名各路记者蜂拥而至。数字技术凯歌高奏,全面进军家庭及个人多媒体视听娱乐、电脑互联网办公商务、车载电子设备和通讯医疗保健产品等广泛领域。
刘全恩[10]（2006）在《SJ/T 11339-2006《数字电视等离子体显示器通用规范》编制说明》文中指出介绍了SJ/T11339-2006《数字电视等离子体显示器通用规范》的编制情况,并对有关主要技术参数要求和相应的测量方法进行了解释说明,供有关人员在实施和贯彻标准中参考。
二、关于等离子电视机/显示器（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、关于等离子电视机/显示器（论文提纲范文）
（2）基于等离子体辅助制程的InGaZnO薄膜晶体管的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 TFT的发展 |
| 1.1.1 氢化非晶硅TFT(a-Si:H TFT) |
| 1.1.2 低温多晶硅TFT(LTPS TFT) |
| 1.1.3 IGZO TFT |
| 1.2 IGZO TFT的结构以及工作原理 |
| 1.2.1 IGZO TFT的结构 |
| 1.2.2 IGZO TFT的工作原理 |
| 1.3 IGZO TFT的主要参数 |
| 1.3.1 场效应迁移率 |
| 1.3.2 阈值电压 |
| 1.3.3 开关比 |
| 1.3.4 亚阈值摆幅 |
| 1.3.5 偏压稳定性 |
| 1.4 IGZO TFT的研究进展 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 等离子体辅助低温制备IGZO TFT的研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 器件的制备 |
| 2.3 等离子体辅助低温制备高性能IGZO TFT的研究 |
| 2.3.1 等离子体辅助制备IGZO TFT的电学特性 |
| 2.3.2 辅助等离子体对IGZO TFT电学特性的影响机理研究 |
| 2.4 低温制备有机硅栅介质缓冲层对IGZO TFT性能影响的研究 |
| 2.4.1 不同O_2流量沉积的栅介质缓冲层对IGZO TFT电学特性的影响 |
| 2.4.2 栅介质缓冲层对IGZO TFT电学特性的影响机理研究 |
| 2.5 等离子体辅助低温制备C轴结晶IGZO TFT的研究 |
| 2.5.1 Zn含量以及等离子体功率对IGZO C轴结晶的影响 |
| 2.5.2 O_2浓度对等离子体辅助制备C轴结晶IGZO的影响 |
| 2.5.3 C轴结晶IGZO TFT的电学特性 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 ICP-PECVD低温制备有机硅背沟道钝化层(PVL)对IGZO TFT电学特性的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 器件的制备 |
| 3.3 有机硅背沟道PVL对 IGZO TFT电学性能的影响 |
| 3.4 H掺杂的机理研究 |
| 3.5 有机硅PVL对 IGZO TFT偏压稳定性的影响 |
| 3.5.1 PVL对 IGZO TFT的正栅偏压稳定性(PBS)的影响 |
| 3.5.2 PVL对 IGZO TFT的负栅偏压稳定性(NBS)的影响 |
| 3.5.3 NBS过程中的源漏电流异常及其形成机理的研究 |
| 3.5.4 IGZO TFT偏压测试后的恢复特性 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 等离子体氧化SiN_x栅介质对IGZO TFT电学特性的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 器件的制备 |
| 4.3 SiN_x栅介质的表面氧化对IGZO TFT电学特性的影响 |
| 4.3.1 等离子体氧化对SiN_x表面粗糙度的影响 |
| 4.3.2 等离子体氧化对SiN_x表面化学键的影响 |
| 4.3.3 等离子体氧化对SiN_x/IGZO界面的影响 |
| 4.3.4 电导法提取SiN_x/IGZO界面态密度 |
| 4.4 等离子体氧化SiN_x栅介质对IGZO TFT光照稳定性的影响. |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 栅电压采样间隔对亚阈值摆幅参数提取的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 器件的制备 |
| 5.3 栅电压采样间隔对IGZO TFT转移特性的影响 |
| 5.4 亚阈值摆幅对栅电压采样间隔的依赖关系 |
| 5.4.1 前向差分法 |
| 5.4.2 中心差分法 |
| 5.4.3 两种差分方法提取亚阈值摆幅的结果分析 |
| 5.5 栅电压采样间隔的经验公式 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 |
| 致谢 |
（3）Micro-LED阵列理论及显示技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究的背景及意义 |
| 1.2 Micro-LED简介 |
| 1.2.1 Micro-LED结构 |
| 1.2.3 Micro-LED的特性 |
| 1.3 Micro-LED阵列研究现状 |
| 1.3.1 单色Micro-LED阵列显示器件 |
| 1.3.2 全色Micro-LED阵列显示器件 |
| 1.3.3 Micro-LED阵列器件其他应用 |
| 1.4 论文的研究内容与结构安排 |
| 第2章 Micro-LED光电特性分析 |
| 2.1 Micro-LED的发光机理 |
| 2.1.1 辐射复合 |
| 2.1.2 SRH复合 |
| 2.1.3 俄歇复合 |
| 2.1.4 载流子泄漏 |
| 2.1.5 缺陷相关隧穿 |
| 2.2 Micro-LED的效率 |
| 2.3 Micro-LED的侧壁效应 |
| 2.4 尺寸效应 |
| 2.4.1 倒装型Micro-LED的电流扩展 |
| 2.4.2 垂直型Micro-LED的电流扩展 |
| 2.4.3 尺寸对电流密度的影响 |
| 2.5 Micro-LED的调制特性 |
| 2.5.1 限制Micro-LED调制带宽的因素 |
| 2.5.2 电流密度对带宽的影响 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 Micro-LED阵列理论研究 |
| 3.1 Micro-LED光电特性表征 |
| 3.2 电极结构对的光电特性的影响 |
| 3.3 尺寸对Micro-LED光电特性的影响 |
| 3.4 阵列化对Micro-LED光电特性的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 Micro-LED阵列器件的设计与制作 |
| 4.1 Micro-LED的制作工艺 |
| 4.2 Micro-LED阵列关键制作工艺研究 |
| 4.2.1 ICP台面刻蚀 |
| 4.2.2 二氧化硅沉积 |
| 4.2.3 Micro-LED阵列显示 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 三色集成Micro-LED阵列全彩显示研究 |
| 5.1 三色Micro-LED阵列集成技术 |
| 5.1.1 COB技术 |
| 5.1.2 转移印刷技术 |
| 5.1.3 小结 |
| 5.2 倒装型Micro-LED的制作 |
| 5.2.1 蓝绿光倒装型Micro-LED的制作 |
| 5.2.2 红光倒装型Micro-LED的制作 |
| 5.3 全彩Micro-LED显示器的设计 |
| 5.4 全彩Micro-LED显示基板的制作 |
| 5.5 全彩Micro-LED的集成 |
| 5.6 全彩Micro-LED显示器的驱动与点亮 |
| 5.7 全彩Micro-LED显示器的测试与表征 |
| 5.8 本章小结 |
| 第6章 单片集成Micro-LED阵列全彩显示研究 |
| 6.1 单片Micro-LED全彩色显示技术 |
| 6.1.1 喷墨技术 |
| 6.1.2 光刻法 |
| 6.1.3 小结 |
| 6.2 基于微流控的量子点色转换层的设计 |
| 6.3 量子点的合成与表征 |
| 6.3.1 钙钛矿量子点的合成 |
| 6.3.2 量子点的表征 |
| 6.4 PDMS微流道制作 |
| 6.5 量子点色转换层的制作 |
| 6.5.1 双行量子点色转换层 |
| 6.5.2 P0.4-10×10量子点色转换层 |
| 6.5.3 P0.2-10×10量子点色转换层 |
| 6.5.4 P0.2-20×20量子点色转换层 |
| 6.6 量子点色转换层的测试 |
| 6.7 本章小结 |
| 第7章 总结与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 创新点 |
| 7.3 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（4）逆光看合肥“最牛风投城市”的产业投资故事（论文提纲范文）
| 海尔救活一条“休克鱼” |
| 销声匿迹的等离子“备胎” |
| “节外生枝”引来“千亿企业” |
| 产业配套“缺憾”的秘密 |
| 蔚来汽车本是“合肥造” |
| 再硬核故事也不止一个面向 |
| 越热炒时越需要理性 |
（5）TFT LCD亮点缺陷改善研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 研究背景 |
| 1.3 液晶显示器的发展 |
| 1.4 TFT LCD面板的结构 |
| 1.5 研究意义 |
| 1.6 本论文研究内容 |
| 第二章 TFT LCD生产工艺及亮点发生原因分析 |
| 2.1 阵列工艺流程 |
| 2.1.1 GE工艺流程 |
| 2.1.2 AS、SE工艺流程 |
| 2.1.3 PV、ITO工艺流程 |
| 2.2 彩膜工艺流程 |
| 2.2.1 BM工艺流程介绍 |
| 2.2.2 RGB工艺流程介绍 |
| 2.2.3 PS、彩膜ITO工艺流程介绍 |
| 2.3 成盒工艺流程 |
| 2.3.1 配向膜喷印工艺 |
| 2.3.2 组立工艺 |
| 2.3.3 光配向工艺 |
| 2.3.4 切割和偏贴工艺 |
| 2.3.5 端子切割和包装工艺 |
| 2.4 亮点的检查和成因 |
| 2.4.1 亮点的检查 |
| 2.4.2 形成亮点的机理 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 亮点的分析和制程改善研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 亮点不良的分析方法 |
| 3.2.1 亮点不良的制程分析方法 |
| 3.2.2 亮点不良的解析方法 |
| 3.3 阵列制程亮点的改善 |
| 3.3.1 曝光制程亮点改善 |
| 3.3.2 PVD制程亮点改善 |
| 3.4 成盒制程亮点的改善 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 亮点检出率提升及亮点的维修 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 亮点的检出率提升 |
| 4.2.1 亮点漏检原因分析 |
| 4.2.2 亮点漏检改善 |
| 4.3 亮点的维修 |
| 4.3.1 亮点维修的机理 |
| 4.3.2 成盒激光修补机修补原理介绍 |
| 4.3.3 异物暗的问题 |
| 4.3.4 电压差造成亮点修补失败的问题 |
| 4.3.5 阵列长线修补造成的亮点问题 |
| 4.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附件 |
（6）两个含DPHA结构的OLED材料的合成工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 有机电致发光材料的研究进展 |
| 1.3 有机电致发光器件 |
| 1.3.1 有机电致发光器件的基本结构 |
| 1.3.2 有机电致发光器件的机理 |
| 1.4 有机蓝光材料 |
| 1.4.1 芳胺类蓝光材料 |
| 1.4.2 二苯乙烯类蓝光材料 |
| 1.4.3 有机硅类蓝光材料 |
| 1.4.4 芴类材料 |
| 1.4.5 稠环类发光材料 |
| 1.5 选题的目的和意义 |
| 1.6 涉及的反应机理 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 实验器材和化学试剂 |
| 2.1.1 实验器材 |
| 2.1.2 化学试剂和药品 |
| 2.1.3 主要试剂预处理 |
| 2.2 化合物的表征 |
| 2.3 热学性质测试 |
| 2.4 紫外吸收光谱测试 |
| 2.5 荧光发射光谱测试 |
| 2.6 工艺优化方法 |
| 第三章 DPHA硼酸的合成工艺考察及性质 |
| 3.1 DPHA硼酸的合成路线选择 |
| 3.2 DPHA硼酸与其中间体的合成及工艺考察 |
| 3.2.1 9-苯基蒽(B)的合成及工艺考察 |
| 3.2.2 9-苯-10-碘蒽(D)的合成及工艺考察 |
| 3.2.3 3-(10-苯基-9-蒽基)溴苯(F)的合成及工艺考察 |
| 3.2.4 DPHA硼酸的合成及工艺考察 |
| 3.3 DPHA硼酸的表征 |
| 3.3.1 氢谱与质谱表征 |
| 3.3.2 光学性质 |
| 3.3.3 热学性质 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 DPHA-F的合成工艺考察及性质 |
| 4.1 DPHA-F的合成及工艺考察 |
| 4.2 DPHA-F的表征 |
| 4.2.1 氢谱与质谱表征 |
| 4.2.2 光学性质 |
| 4.2.3 热学性质 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 DPHA-P-DPHA的合成工艺考察及性质 |
| 5.1 DPHA-P-DPHA的合成及工艺考察 |
| 5.2 DPHA-P-DPHA的表征 |
| 5.2.1 氢谱与质谱表征 |
| 5.2.2 光学性质 |
| 5.2.3 热学性质 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录 |
| 附图 |
（7）浅谈大屏幕显示（论文提纲范文）
| 1 CRT显示 |
| 2 CRT投影大屏幕彩色显示技术的发展 |
| 3 平板显示技术的迅速发展 |
| 3.1 液晶显示技术 |
| 3.2 等离子 (PDP) 显示技术 |
| 3.3 液晶显示技术和等离子显示技术的比较 |
| 3.3.1 屏幕尺寸 |
| 3.3.2 显示屏的像素数 |
| 3.3.3 价格 |
| 3.3.4 发光效率和亮度 |
| 3.4 液晶显示技术和等离子显示技术面临的危机 |
| 4 MD大屏幕显示技术的崛起 |
| 4.1 开口率 |
| 4.2 显示图像的像素效应 |
| 4.3 响应速度 |
| 4.4 分辨率及芯片尺寸 |
| 5 各种大屏幕显示器件快速发展 |
| 6 我国大屏幕显示的机遇与挑战 |
（8）中国平板显示技术发展30年（论文提纲范文）
| 1 前言 |
| 2 我们还要生产大尺寸液晶电视用TFT-LCD面板 |
| 2.1 LCD产业发展历史回顾 |
| 2.1.1 TN-LCD |
| 2.1.2 STN-LCD |
| 2.1.3 TFT-LCD |
| 2.1.4 LCD模块 (LCM) |
| 2.1.5 LCD的开发和研究 |
| 2.2 中国液晶产业的现状与发展 |
| 2.3 关于是否要上第7.5代或第8代TFT-LCD生产线的争论 |
| 3 CRT显示技术的发展史的启迪 |
| 4 我们要成为PDP面板生产大国 |
| 5 发展OLED显示技术有可能实现我国显示产业强国梦想 |
| 6 我国平板显示技术标准制定工作开始与国际同步 |
| 6.1 平板显示技术产业标准现状 |
| 6.2 成立了平板显示技术标准工作组 |
| 6.3 参与国际标准化工作, 在IEC平台有了话语权 |
| 6.4 在面板厂商和整机厂商之间搭建一个平台 |
| 6.5 根据技术发展制订新的标准 |
| 6.6 参与海峡两岸标准合作, 共同参与国际竞争 |
（10）SJ/T 11339-2006《数字电视等离子体显示器通用规范》编制说明（论文提纲范文）
| 1 本规范的内容和使用范围 |
| 2 主要内容 |
| 2.1 基本功能要求 |
| 2.2 显示格式 |
| 2.3 接口要求 |
| 2.4 常温性能要求 |
| 2.4.1 有用平均亮度 |
| 2.4.2 对比度 |
| 2.4.3 色度性能要求 |
| 2.4.4 物理分辨力和清晰度 |
| 2.4.5 像素缺陷 |
| 2.4.6 可视角 |
| 2.4.7 残留影像 |
| 2.4.8 待机消耗功率 |
| 2.4.9 关于声性能 |
| 2.4.1 0 遥控性能 |
| 2.5 可靠性要求 |
| 3 结束语 |
四、关于等离子电视机/显示器（论文参考文献）
- [1]脱身策略[J]. 查尔顿·佩特斯,余书华. 译林, 2021(05)
- [2]基于等离子体辅助制程的InGaZnO薄膜晶体管的研究[D]. 刘畅. 吉林大学, 2021(01)
- [3]Micro-LED阵列理论及显示技术研究[D]. 李阳. 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2021(01)
- [4]逆光看合肥“最牛风投城市”的产业投资故事[J]. 刘荒,汪奥娜. 中共合肥市委党校学报, 2021(03)
- [5]TFT LCD亮点缺陷改善研究[D]. 徐正兴. 华南理工大学, 2020(05)
- [6]两个含DPHA结构的OLED材料的合成工艺研究[D]. 张吉润. 贵州大学, 2020(01)
- [7]浅谈大屏幕显示[J]. 阎双耀. 现代显示, 2009(05)
- [8]中国平板显示技术发展30年[J]. 应根裕. 现代显示, 2009(02)
- [9]CES’2008掠影[J]. 黄绍平. 卫星电视与宽带多媒体, 2008(05)
- [10]SJ/T 11339-2006《数字电视等离子体显示器通用规范》编制说明[J]. 刘全恩. 信息技术与标准化, 2006(08)
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