一、纳米电子陶瓷材料我国研制成果不凡（论文文献综述）
肖潇[1]（2020）在《无卤阻燃环氧模塑料的制备及其热潜伏活性研究》文中认为环氧模塑料（EMCs）是集成电路（IC）芯片封装的重要材料之一。随着IC封装向着小型化、薄型化、高集成化、高输入/输出方向的不断发展,对于EMC的性能要求也不断提升。传统EMC材料在固化性、模塑性、熔体流动性以及可靠性等方面均面临着众多技术挑战。本论文针对先进IC封装技术的发展对于高性能EMC材料的应用需求,从EMC用新型热潜伏型固化促进剂（TLCs）的分子设计入手,旨在通过新型TLCs的使用来解决传统固化促进剂存在的活性高、易在环氧树脂与酚醛固化剂初始混合阶段即部分引发聚合的性能缺陷。从而赋予EMC良好的综合性能。为此,本论文主要开展了如下几个方面的工作。（1）新型TLCs的结构设计、合成与结构表征研究。设计并合成了一系列四苯基膦-双酚电荷转移络合物型TLC,并对其结构进行了表征。（2）新型TLCs的催化活性评价研究。通过量热示差扫描分析（DSC）和流变手段评价了TLCs在催化环氧/酚醛体系中的催化活性,并通过热重分析（TGA）手段评价了TLC的耐热稳定性。测试结果显示,TLC-1（四苯基膦-2,3-二羟基萘络合物）与TLC-6（四苯基膦-六氟双酚A络合物）表现出了最为优良的综合性能,包括良好的热潜伏特性和耐热稳定性。（3）新型TLCs在EMC配方中的应用基础研究。以制备的TLCs为促进剂,以常规三苯基磷（TPP）促进剂为参比,考察了TLCs在EMC制造中的应用基础问题。测试结果显示,TLCs的使用可以显着改善EMC综合性能。以TLC-1为例,使用该促进剂的EMC-1的熔体流动性较使用TPP的EMC-0得到了显着改善,螺旋流动长度由75 cm提高到89 cm,熔体粘度由19.55 Pa s下降到9.54 Pa s。同时,固化物与铜的粘接力由652.4 N提高到913.7 N,弯曲强度由90.2 MPa提高到137.5 MPa。然而,EMC-1的阻燃级别为UL 94 V1级,低于EMC-0的V0级。（4）新型TLCs在无卤阻燃EMC配方中的应用基础研究。以TLC-1和TLC-6为促进剂,以苯氧基膦腈低聚物（FP100）为阻燃剂,制备了无卤阻燃型EMC。测试结果显示,对于TLC-1而言,仅加入0.3wt%FP100阻燃剂,EMC的阻燃级别即可达到UL 94V0级。对于TLC-6而言,加入0.6wt%FP100阻燃剂,EMC的阻燃级别也达到了UL 94 V0级。
刘欣[2]（2019）在《中国物理学院士群体计量研究》文中认为有关科技精英的研究是科学技术史和科学社会学交叉研究的议题之一,随着中国近现代科技的发展,中国科技精英的规模逐渐扩大,有关中国科技精英的研究也随之增多,但从学科角度进行科技精英的研究相对偏少;物理学是推动自然科学和现代技术发展的重要力量,在整个自然科学学科体系中占有较高地位,同时与国民经济发展和国防建设密切关联,是20世纪以来对中国影响较大的学科之一;中国物理学院士是物理学精英的代表,探讨中国物理学院士成长路径的问题,不仅有助于丰富对中国物理学院士群体结构和发展趋势的认识,而且有助于为中国科技精英的成长和培养提供相关借鉴;基于此,本文围绕“中国物理学院士的成长路径”这一问题,按照“变量——特征——要素——路径”的研究思路,引入计量分析的研究方法,对中国物理学院士这一群体进行了多角度的计量研究,文章主体由以下四部分组成。第一部分（第一章）以“院士制度”在中国的发展史为线索,通过对1948年国民政府中央研究院和国立北平研究院推选产生中国第一届物理学院士,1955年和1957年遴选出新中国成立后的前两届物理学学部委员、1980年和1991年增补的物理学学部委员、1993年后推选产生的中国科学院物理学院士、1994年后的中国科学院外籍物理学院士和中国工程院物理学院士,及其他国家和国际组织的华裔物理学院士的搜集整理,筛选出319位中国物理学院士,构成本次计量研究的样本来源。第二部分（第二至九章）对中国物理学院士群体进行计量研究。首先,以基本情况、教育经历、归国工作,学科分布、获得国内外重大科技奖励等情况为变量,对中国物理学院士群体的总体特征进行了计量分析;其次,按照物理学的分支交叉学科分类,主要对中国理论物理学、凝聚态物理学、光学、高能物理学、原子核物理学这五个分支学科的院士群体特征分别进行了深入的计量分析,对其他一些分支交叉学科,诸如天体物理学、生物物理学、工程热物理、地球物理学、电子物理学、声学、物理力学和量子信息科技等领域的院士群体的典型特征进行了计量分析,分析内容主要包括不同学科物理学院士的年龄结构、学位结构、性别比例,在各研究领域的分布、发展趋势和师承关系等;再次,在对各分支交叉学科物理学院士的基本情况和研究领域计量分析的基础上,对不同学科间物理学院士的基本情况进行比较研究,对中国物理学院士研究领域和代际演化进行趋势分析。第三部分（第十章）在第二部分计量分析的基础上,总结归纳出中国物理学院士的群体结构特征、研究领域和代际演化的趋势特征。中国物理学院士的群体结构呈现整体老龄化问题严重,但近些年年轻化趋向较为明显,整体学历水平较高,同时本土培养物理学精英的能力增强,女性物理学院士占比较低但他们科技贡献突出,空间结构“集聚性”较强,但近些年这种“集聚性”逐渐被打破等特征;中国物理学院士的研究领域呈现出,物理学科中交叉性较强的研究领域具有极大的发展潜力,应用性较强的研究领域产业化趋势明显,当代物理学的发展与科研实验设施的关系越发紧密等趋势特征;中国物理学院士的代际演化呈现出,新中国成立初期国家需求导向下的相关物理学科迅猛发展,20世纪80年代以来物理学院士研究兴趣与国家政策支持相得益彰,21世纪以来物理学院士个体对从事学科发展的主导作用越来越大等趋势特征。第四部分（第十一章）通过分析中国物理学院士群体的计量特征得出中国物理学院士的成长路径。宏观层面,社会时代发展大背景的影响一直存在,国家发展战略需求导向要素有所减弱,国家科技管理制度的要素影响有所增强,中国传统文化对物理学院士成长潜移默化的影响;中观层面,物理学学科前沿发展需求的导向要素显着增强,空间结构“集聚性”的影响逐渐在减弱,师承关系的影响主要体现于学科延承方面;微观层面,性别差异对物理学家社会分层的影响很弱,年龄要素对物理学院士成长具有一定的影响,个人研究兴趣对物理学院士的成长影响增强;可见中国物理学院士受社会时代背景、中国传统文化的影响一直存在,受国家发展战略需求的导向影响有所减弱,而受物理学学科前沿发展和物理学家个人研究兴趣的导向逐渐增强,进而得出中国物理学院士的社会分层总体符合科学“普遍主义”原则的结论。最后,在中国物理学院士的群体发展展望中,提出须优化中国物理学院士年龄结构和培养跨学科物理科技人才,辩证看待中国物理学院士空间结构的“集聚性”和师承效应,发挥中国物理学院士的研究优势弥补研究领域的不足,增加科研经费投入和完善科技奖励机制,不断加强国家对物理学的支持力度等建议,以促进中国物理学院士群体的良性发展和推动我国从物理学大国发展为物理学强国。
袁小森[3]（2019）在《原位生长SiC纳米线棉毡的制备工艺探索及其性能表征》文中研究表明SiC材料具有耐高温、耐腐蚀、强度高、硬度高等优异性能,被广泛用做高温高强复合材料、耐磨材料、化学化工耐腐蚀材料等。同时SiC材料还是第三代半导体材料,具有宽带隙、高临界击穿电压、导热性好、电子迁移率大等特点,在高温、高压、高频、腐蚀、强辐射等苛刻环境中有重要的应用。SiC纳米线除了具有SiC块体材料的优异物理化学性能外,由于特殊的纳米尺寸效应,SiC纳米线还具有优异的场发射性能、超塑性、理论强度、光催化性能等SiC块体不具有的特殊性能。因此SiC纳米线在纳米增强复合材料的制备、高频、高压、大功率、抗辐射纳米电子器件的制备及纳米集成电路的制备等方面具有巨大的应用前景。本文采用先驱体热解化学气相沉积（Polymer Pyrolysis Chemical Vapor Deposition PPCVD）法,以碳泡棉为SiC纳米线的生长基体,制备了由超长SiC纳米线组成的SiC纳米线棉毡,并对制备的SiC纳米线棉毡的物相组成、微观结构、力学性能、耐烧蚀性能、隔热性能、疏水性能进行了表征。本文通过热解三聚氰胺泡棉制备了孔隙率高达99%以上的碳泡棉,通过研究在不同热解温度下得到的碳泡棉的密度、体积收缩率、孔隙率、三维碳骨架的长度和直径探索热解三聚氰胺泡棉制备碳泡棉的最佳热解温度。同时研究了不同升温速率下热解制备的碳泡棉的宏观形貌的规律,得到了制备形貌和几何尺寸可控的碳泡棉的稳定制备工艺。之后本文探索了聚合物热解化学气相沉积法制备超长SiC纳米线的工艺,制备了长度在500μm以上,直径为80-100 nm的超长SiC纳米线。在完成三聚氰胺热解制备碳泡棉及制备超长SiC纳米线制备工艺探索的基础上,以碳泡棉为SiC纳米线生长基体及SiC纳米线棉毡的制备模板,Ni为催化剂,采用先驱体聚合物热解化学气相沉积的方法在碳泡棉中沉积大量超长SiC纳米线,之后氧化去除碳泡棉得到了超纯SiC纳米线棉毡。同时,本文通过采用SEM、TEM、TG、XRD、FT-IR、激光导热仪、万能试验机、疏水角度测量仪等对制备的SiC纳米线棉毡的物相组成、微观结构、成型机理、力学性能、隔热性能、疏水性能等进行了表征。实验结果表明组成SiC纳米线棉毡的SiC纳米线的长度超过500μm,直径为80-100 nm,为结晶性良好的?-SiC。组成SiC纳米线棉毡的SiC纳米线的生长模式为气液固模式（Vapor-Liquid-Solid V-L-S）。在SiC纳米线棉毡的微观结构中大量的相互交联的超长SiC纳米线组成了SiC纳米线棉毡的微观三维纳米线网状结构,同时在SiC纳米线棉毡的微观结构中还发现了大量的SiC纳米线分枝现象,这些交联和分枝现象的存在增强了SiC纳米线棉毡的微观结构的稳定性。力学性能测试结果表明SiC纳米线棉毡的抗压强度为0.11 MPa,在压缩量为30%之前的回弹率为90%以上,当压缩量达到60%时,回弹率为53%。热导率测试结果表明SiC纳米线棉毡在常温下的导热系数为0.03 W·K-1·m-1,在900℃时依然保持较低的导热系数0.23 W·K-1·m-1,说明制备的SiC纳米线棉毡具有优异的高温隔热性能。在耐烧蚀性能测试中,将制备的SiC纳米线棉毡放置于酒精灯外焰中灼烧,SiC纳米线棉毡不燃烧,没有发生变化,说明SiC纳米线棉毡具有优异的耐烧蚀性能。最后对SiC纳米线棉毡的疏水性能进行了表征,结果表明未高温氧化去除碳泡棉的SiC纳米线棉毡的疏水角度大于150°,具有超疏水性能。在高温氧化去除碳泡棉的过程中,由于表面疏水基团甲基的消失,失去超疏水性能。
韩熙[4]（2015）在《纳米电子技术分析及发展分析》文中提出随着科学技术的不断发展,纳米电子技术的研究取得了极大的进步。作为国家科技水平的重要体现,纳米电子技术在现代社会诸多领域中得到了十分广泛的应用,并且纳米电子技术的发展将会成为微电子技术发展的必然趋势。鉴于此,本文简单介绍纳米电子技术,提出纳米电子技术发展的起源与背景,阐述纳米电子技术研究的重要地位,并描述纳米电子技术的实际应用,以供参考。
张志勤[5]（2014）在《欧盟工业先进制造系统的研发现状及趋势分析》文中研究说明欧盟是现代工业制造业的发源地,长期保持着世界工业的领先水平。欧委会根据全球高新技术发展态势和欧盟的发展需求及相对竞争优势,确定了欧盟工业可持续发展的六大关键势能技术（KETs）领域。工业先进制造系统是其六大关键势能技术之一,为此,欧盟为之制定了具体的优惠政策和行动举措给予重点扶持,旨在提升欧盟先进制造业的世界竞争力,促进经济增长和扩大就业。通过对欧盟工业先进制造系统的产业发展现状、研发创新、面临的挑战和未来发展趋势进行综合研究分析,意在为我国战略性新兴技术产业的可持续发展提供有益的线索和经验借鉴。
王均洁[6]（2013）在《纳米产品设计中需求与材料的关系探索》文中研究指明纳米材料是21世纪的新型材料之一,当材料的尺寸在纳米级别时则表现出宏观材料所不能具备的特殊物理及化学性能。目前纳米产品设计已经非常广泛的应用在信息、制药与生物、航空航天、健康医疗、农业、环境能源等多个领域并显示出纳米产品独具的性能优势。纳米产品设计俨然成为产品设计的一个重要发展方向。本篇论文站在设计的角度,通过分析多个成熟纳米产品设计案例,探索用户需求和纳米材料之间的关系。通过分析纳米产品设计和已满足的用户需求,发现未满足的用户需求从而指出纳米产品的设计方向,为设计师提供更广阔的设计思路；通过现有的纳米材料和已经满足的用户需求分析,发现未满足的用户需求从而指出纳米材料的研发方向,促进新型纳米材料的探索。本论文分为以下几个章节：第一章介绍纳米产品设计的发展现状,在宏观上掌握纳米材料的应用情况；第二章研究纳米材料所具备的特殊性能。纳米材料做为21世纪最具发展前途的材料具有普通材料很难达到的特性。材料性能的分析为后面的产品案例分析做基础。第三章是纳米产品的案例研究。通过分析已有的成熟纳米产品,解读材料特性和用户需求的关系。还原产品设计的路径：需求——产品——材料。第四章建立在第三章案例分析基础上,通过绘制产品——需求路径图、产品——材料路径图、材料——需求路径图可以发现纳米材料及纳米产品与用户需求之间的关系。第五章的前半部分将产品——需求路径和材料——需求路径对应在马斯洛需求层次论中,得出纳米产品的设计方向和纳米材料的研发方向；后半部分中是对纳米产品的设计探索。第六章对研究作出总结并提出研究的不足,方便后续研究。
李公义[7]（2010）在《碳化硅和氮化硅超长纳米线的制备与性能研究》文中研究指明一维纳米材料具有独特的几何结构和优异的物理化学性能,在基础研究以及纳米电子器件、纳米光子器件、纳米复合材料、能源材料、生物医药等领域具有重要的应用前景。本文针对一维纳米材料可控制备与性能开发的发展趋势,选择耐高温、抗氧化的宽带隙半导体材料碳化硅（SiC）和氮化硅（Si3N4）为研究体系,通过高温氮化反应制备了大量长度在毫米量级的超长Si3N4纳米线,通过聚合物热解-化学气相沉积技术（PPCVD）首次制备了大量长度在厘米量级的超长SiC纳米线,并对产物进行了详细的组成、结构和性能的表征。利用SiO2和短切碳纤维为原料通过特殊的夹层摆放方式,经高温氮化反应制备了大量棉花状高纯度超长Si3N4纳米线,长度为1-2 mm,纳米线的直径分布在70-300 nm,由沿[001]方向生长的α-Si3N4单晶组成。Si3N4纳米线的生长过程服从“气-固”（VS）机制,其中Si元素来源于SiO2和碳纤维反应生成的SiO气体,N元素来源于保护气氛N2,纳米线在一维方向上达到较长的原因与原料气氛的状态有关,SiO气体在高温下缓慢释放,与N2在特殊的夹层环境中形成了较为稳定的气体涡流,有利于原料气体的充分混合反应生成超长纳米线。针对Si3N4纳米线在未来可能的氧化环境中的应用,研究了Si3N4纳米线的高温抗氧化性,发现Si3N4纳米线在1000℃以下的空气中退火后没有明显的形貌变化,1000℃开始在纳米线交叉区因表面氧化熔融形成纳米结,在1200℃形成纳米网状结构,1400℃因氧化熔融形成薄膜状。Si3N4纳米线的高温抗氧化性研究结果对于制备基于Si3N4纳米线的高温纳米复合材料、高温纳米器件等具有重要的意义。基于“气-液-固”（VLS）生长机制的基本原理,设计了独特的PPCVD技术,以聚硅碳硅烷（PSCS）系列先驱体为原料,二茂铁为催化剂,经化学气相沉积（CVD）途径在石墨片表面制备了大量长度为数毫米的超长SiC纳米线,在瓷方舟表面制备了大量棉花状超长SiC纳米线,长度达数厘米,瓷方舟是目前制备超长SiC纳米线的最好基片。纳米线是一种“核-壳”结构,核心由β-SiC晶体组成,沿<111>晶向生长,存在少量层错、位错及多晶结构,表面有约2-3 nm厚的氧化硅无定型层。超长SiC纳米线的直径分布在100-300 nm,原位生长于原料表面的纳米线直径分布在50-100 nm,在低温区收集的纳米线直径分布在6-40 nm。在试验过程中,还发现了少量直径波动型、螺型、项链状、分枝结构、球链状等特殊形貌的SiC纳米线。用“气-液-固”（VLS）生长机制解释了超长SiC纳米线的生长过程,探讨了催化剂、生长基片及原料气对纳米线生长的影响,其中催化剂纳米液滴来源于二茂铁的热解和瓷方舟内部Fe元素的还原析出,原料气来源于PSCS等先驱体在高温下热解产生的硅烷片段。本文所得超长SiC纳米线在一维方向达到宏观量级的主要原因与PSCS等原料在热解过程中产生的大量H2以及SiC纳米线的“根部生长模式”有关。基于超长SiC纳米线的纳米尺寸尖端、大的长径比、高熔点、高化学稳定性等特点,研究了超长SiC纳米线的场电子发射性能。首次在高压脉冲电场中表征了SiC纳米线的强流电子发射性能,发现SiC纳米线阴极的电流发射强度优于目前工程中常用的阴极材料,其电流密度随电场强度的增加而增加,具有明显的尖端效应,并用爆炸发射机理解释了其强流发射过程。对SiC纳米线的强流发射性能研究开辟了SiC纳米线在强流电子束源领域的应用。另外,表征了SiC纳米线的低压场电子发射性能,发现其开启场强和阈值场强分别为7.0 V/μm和11.7 V/μm.针对SiC纳米线在未来可能的高温、氧化等苛刻环境中的应用,研究了超长SiC纳米线的高温稳定性和抗氧化性能。结果表明,在惰性气氛中,SiC纳米线在1800℃以下温度退火后没有明显的形貌变化,于1800℃开始出现Rayleigh不稳定性熔融,形成纳米球链结构。在氧化气氛（空气）中,SiC纳米线在1000℃以下温度退火后没有明显的形貌变化,在1000-1200℃的空气中退火后,纳米线表面发生氧化,在少量纳米线交叉区发生氧化熔融形成纳米结,体系组成主要是晶态SiC;1200℃时,纳米线表面发生开裂,氧气通过裂纹深入到纳米线内部,加速纳米线的氧化过程;1300℃时,纳米线因交叉区的氧化熔融形成纳米网状结构,体系以氧化硅为主,含有少量晶态SiC;1400℃时纳米网状结构继续氧化熔融形成薄膜。研究了SiC纳米线表面状况对其Raman散射光谱和红外吸收光谱的影响,发现SiC纳米线表面的非晶氧化硅层阻止了β-SiC晶格的纵向光学振动模（LO）。结合SiC纳米线的高强度和SiC本体材料的高温电磁损耗特性,本文提出了超长SiC纳米线可以作为高温结构吸波材料的构想,在常温下表征了SiC纳米线的电磁参数并计算了其反射率,结果表明SiC纳米线具有一定的吸波性能。作为一种新型光催化剂,β-SiC纳米线在光催化领域有着重要的前景,为了提高SiC纳米线的光催化效率,并方便回收重复利用,本文将SiC纳米线负载于活性炭表面,采用静态降解甲基橙法表征了SiC纳米线的光降解性能。结果表明活性炭负载SiC纳米线具有光催化降解甲基橙的特性,经过回收重复利用后仍然具有较好的光催化活性。
于海峰[8]（2008）在《基于平板扫描器的新型原子力显微镜的研制及应用》文中研究说明纳米技术已经成为世界科技发展的潮流,极大地推动了现代科学技术、工业生产及人类社会各个重要领域的进步。微纳米检测技术是纳米技术的一个重要方面,也是纳米技术发展的重要基础。随着科技的进步,微纳米检测技术不断有新的理论、新的方法和新的技术产生。扫描隧道显微镜（STM）和原子力显微镜（AFM）的出现是微纳米检测技术发展史的里程碑,是纳米技术发展的基础,是纳米科技工作者必不可少的研究工具。其中又以AFM需求更大,应用领域更为广泛。传统AFM因压电扫描器的横向（X或Y向）与纵向（Z向）存在交叉耦合误差,使得AFM在大范围扫描中,样品图像失真、扭曲,只能通过软件校正,这严重限制了AFM扫描范围的扩大。针对这种情况,本文提出了一种基于新的扫描器的新型AFM系统,较好的解决了交叉耦合误差问题。本文分别从理论方法、系统设计以及实验技术方面对该AFM系统进行了研究,主要研究内容和创新之处包括:1.在原理和设计方面,发展和优化了基于平板扫描器的原子力显微镜的新方法。这一方法的显着特色是用平板扫描器驱动样品扫描和用Z向反馈控制器驱动微悬臂上下作反馈运动,实现了XY平面扫描和Z向反馈的分离,消除了耦合误差,从而在设计方法上保证了AFM在大范围扫描上得到理想图像的性能。2.基于上述原理和新方法,独立研制了基于平板扫描器的原子力显微镜系统。首先,成功研制了基于平板扫描器的AFM探头,包括创新的平板扫描器,特有的Z向反馈控制器、粗调与微调进给机构。其次,自行设计了微悬臂偏转量的检测光路,研制了性能优良的平板扫描驱动电路,PSD前置放大电路,Z向反馈控制器的PID反馈电路,系统采用了高速度、高精度的A/D&D/A卡实现样品AFM图像数据读入和扫描控制信号的输出、转换。另外,独立研制了功能完善的平板扫描驱动控制软件和图像处理软件系统。3.在基于平板扫描器的AFM系统中,引入了CCD显微摄像监控系统,有效实现了对探针一样品间的进给过程及微探针扫描操作过程的实时监控;同时引入了XY微动平台,实现了该系统对任意区域的定位扫描以及基于序列图像扫描和图像拼接技术的大范围扫描的功能。4.对基于平板扫描器的AFM系统进行了误差分析并做出了优化措施,进一步提高和改善系统的性能。最后,进行了大量的实验测试工作,首先,将本文研制的基于平板扫描器的AFM系统和基于传统扫描器的AFM系统做了对比实验,其次对镀银薄膜、有机材料CuPc、锗量子点进行了扫描实验,对镀金膜的成膜过程进行了扫描成像研究。实验表明,基于平板扫描器的AFM具有大范围均匀扫描下良好的图像对比度和清晰度,具有应用的广泛性,扫描的稳定性和重复性。
陈扬文[9]（2008）在《一维硅纳米材料及镍硅异质结纳米线的制备和表征》文中进行了进一步梳理一维纳米结构的硅材料是一类新型的半导体光电材料,由于它具有体硅材料稳定的半导体性,能和当代成熟的微电子技术相兼容,有望将来能够在纳米器件中得到广泛的应用。本文对硅的一维纳米结构材料进行了制备、表征及性能测试的研究。首先,采用高压裂解法对小直径自主生长的硅纳米线合成进行了研究,实验中制备了直径小于10nm、硅晶核仅为5nm左右小尺寸硅纳米线,受量子效应的影响,样品拉曼特征峰发生了明显的红移,这种小直径纳米线极具研究价值,因为它更能反映纳米线所特有的性能。在高压裂解条件下,加入少量去离子水并在保温过程中释放少量的保护气体,首创性地成功制备了自主生长的硅纳米针状结构。其次,采用热蒸发法研究了超长硅纳米线的制备,实验中制备的硅纳米线长度可达150μm,这种超长的硅纳米线在纳米电子器件应用中更具有优势,能够有效提高器件的集成度。文中还对硅氧化合物的半空心结构以及金刚石结构单晶硅纳米管的合成进行了研究。硅纳米管的成功制备是继模板法和水热发之后,又一重大实验突破。硅纳米线在合成过程中是团聚在一起的,并且还伴随着大量的纳米颗粒生成,本文中采用十二烷基硫酸钠、乳化剂OP、二甲基甲酰胺等溶剂为表面分散剂在超声震荡条件下实现了对团聚纳米线的分散,结合离心技术,在不同的离心转速下实现了硅纳米线的分离.最后,研究了硅纳米线表面镀镍工艺以及镍硅异质结纳米线的特性,即在除氧化层后的硅纳米线表面采用磁控溅射的方法对其镀镍,不同条件下的退火处理,分别得到了Ni/NixSiy/Si异质结纳米线和NiSi2纳米线。通过对纳米线高分辨图像（HRTEM）的分析,研究了纳米线异质结的退火行为,应用FIB等实验设备对单根异质结纳米线进行操控和测试,研究了异质结纳米线的电学性能,为将来纳米线在互连及器件化应用中奠定了基础。
许华胜[10]（2007）在《我国纳米材料产业化机制研究》文中研究说明笔者本科学习的是材料化学专业，在同济大学投资研究所就读研究生期间，作为主要成员参与了汉唐证券委托项目“新材料行业研究”和“振兴行动”教育计划——“高科技中小型企业数据库建设”等课题研究。在行业研究和企业调查过程中，特别是在对纳米材料产业调研过程中，引发了笔者对我国纳米材料产业化机制研究的深入思考，并将之作为本博士论文的研究题目。人类发展的历史本身就是一部材料发展的历史。一种新材料的出现，往往引起生产力的大发展。从石器、陶瓷器、青铜、铸铁、钢、塑料到形形色色新材料的出现，均标志着一个相应经济发展历史时期的到来；而每一次材料技术革命催生了一个强国的诞生。纳米材料的出现预示着一个新的纳米时代悄然来临。纳米时代的到来，对我国来说，既是一次机遇，更是挑战。我国纳米材料技术的基础研究水平与其他先进发达国家相比相差不大，有些方面甚至处于世界领先地位，但在产业化方面有一定差距，我们要避免重蹈计算机技术和超导技术的覆辙，利用这一轮技术革命实现我国经济振兴与腾飞的梦想。本文第一章导论首先界定和阐述研究对象，对相关概念进行了详细的分析，接着简要分析本研究的背景、目的和意义，提出研究思路和全文结构。第二章首先回顾了产业化机制研究相关的基础理论——创新理论和产业结构理论，接着对有关产业化机制方面的研究和纳米材料产业化国内外有关研究进行了比较详细地综述。科技进步推动产业结构的演进，技术创新的动力来源于技术推动或市场拉动或二者的结合，纳米材料技术及产业的发展是产业结构优化的一种途径，是纳米材料技术推动和市场拉动的结果，为纳米材料产业化提供了理论依据；产学研合作是纳米材料产业化的一种较好模式，我国在这方面需要加强和引导。第三章和第四章全面详实地研究国内外纳米材料产业现状及发展趋势，从研发、制备、市场和产业化四个方面对纳米材料产业作充分的研究论述，并对国内外纳米材料现状及发展趋势作比较研究，从中找出我国纳米材料产业化过程中的问题和不足：科研投入不足、科技转换介面不畅以及产业环境有待改善等。第五章和第六章分别对我国纳米材料产业化的动力机制和运行机制进行全面的研究分析，并与美日欧等纳米材料强国的纳米材料产业化的运行机制作比较，进一步剖析我国纳米材料产业化过程中的具体问题：以纳米材料企业为主体是技术创新运行机制尚未建立；人才机制不完善；融资机制不健全；技术转移机制不规范；政策法律法规需要改革创新。最后，选用ANP结构模型，构建我国纳米材料产业化评价指标体系并作评价。第七章是解决问题，在前几章研究的基础上，提出我国纳米材料产业化健康快速推进的对策措施并构建我国纳米材料产业化机制模型。全文最后对本研究进行了总结，并指出不足之处和进一步研究方向。本论文具有以下创新之处：1)对我国纳米材料产业化的动力机制和运行机制进行了详尽的研究，剖析纳米材料产业化中的深层次问题。据文献搜索，尚属首次；2)构建我国纳米材料产业化水平评价指标体系，引进网络分析法（ANP）并做实证研究。据文献搜索，尚属首次；3)经过理论和实证研究，构建我国纳米材料产业化机制模型及其子模型，提出我国纳米材料产业化的对策措施，以期有助于我国纳米材料产业化的健康进行。据文献搜索，尚属首次；4)从研发、制备、市场和产业化四个角度对国内外纳米材料产业现状及发展趋势进行全面地研究，并做比较研究，有助于对整个纳米材料产业的全面了解。据文献搜索，尚属首次。
二、纳米电子陶瓷材料我国研制成果不凡（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、纳米电子陶瓷材料我国研制成果不凡（论文提纲范文）
（1）无卤阻燃环氧模塑料的制备及其热潜伏活性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 集成电路封装技术 |
| 1.2 集成电路塑封技术 |
| 1.2.1 引言 |
| 1.2.2 塑封材料 |
| 1.3 环氧模塑料(EMC)研究与发展现状 |
| 1.3.1 引言 |
| 1.3.2 EMC关键材料发展 |
| 1.3.3 EMC用热潜伏型固化促进剂发展概况 |
| 1.4 研究问题的提出 |
| 1.5 论文研究目标及主要研究内容 |
| 第2章 热潜伏型固化促进剂的制备与表征 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 原料与试剂 |
| 2.3 测试与表征 |
| 2.4 热潜伏型固化促进剂的合成 |
| 2.5 结果与讨论 |
| 2.5.1 微观形貌 |
| 2.5.2 熔点 |
| 2.5.3 红外光谱 |
| 2.5.4 核磁 |
| 2.5.5 热稳定性 |
| 2.6 小结 |
| 第3章 热潜伏型固化促进剂的催化活性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 原料与试剂 |
| 3.3 测试与表征 |
| 3.4 环氧/酚醛/TLC复合样品制备 |
| 3.5 结果与讨论 |
| 3.5.1 固化动力学 |
| 3.5.2 流变学 |
| 3.6 小结 |
| 第4章 热潜伏型环氧塑封料的制备与性能 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 原料与试剂 |
| 4.3 测试与表征 |
| 4.4 EMC制备 |
| 4.5 结果与讨论 |
| 4.5.1 螺旋流动长度与胶化时间 |
| 4.5.2 熔体粘度 |
| 4.5.3 热性能 |
| 4.5.4 粘接性能 |
| 4.5.5 力学性能 |
| 4.5.6 阻燃性能 |
| 4.6 小结 |
| 第5章 阻燃型环氧塑封料的制备与性能 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 原料与试剂 |
| 5.3 测试与表征 |
| 5.4 EMC制备 |
| 5.5 结果与讨论 |
| 5.5.1 阻燃性能 |
| 5.5.2 凝胶化时间与螺旋流动长度 |
| 5.5.3 热性能 |
| 5.5.4 粘接性能 |
| 5.5.5 力学性能 |
| 5.6 小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 研究创新点 |
| 6.3 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（2）中国物理学院士群体计量研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 绪论 |
| 一、文献综述 |
| 二、论文选题和研究内容 |
| 三、研究的创新与不足 |
| 第一章 中国物理学院士的产生与本土化 |
| 1.1 民国时期中国物理学院士的产生 |
| 1.1.1 国民政府中央研究院推选产生中国第一届物理学院士 |
| 1.1.2 国立北平研究院推选出与“院士”资格相当的物理学会员 |
| 1.2 当代中国物理学院士的本土化 |
| 1.2.1 中国科学院推选产生物理学学部委员 |
| 1.2.2 中国科学院物理学院士与中国工程院物理学院士的发展 |
| 1.3 其他国家和国际组织的华裔物理学院士 |
| 1.4 中国物理学院士名单与增选趋势分析 |
| 1.4.1 中国物理学院士的名单汇总 |
| 1.4.2 中国本土物理学院士总体增选趋势 |
| 第二章 中国物理学院士总体特征的计量分析 |
| 2.1 中国物理学院士基本情况的计量分析 |
| 2.1.1 女性物理学院士占比较低 |
| 2.1.2 院士整体老龄化问题严重 |
| 2.1.3 出生地域集中于东南沿海地区 |
| 2.2 中国物理学院士教育经历的计量分析 |
| 2.2.1 学士学位结构 |
| 2.2.2 硕士学位结构 |
| 2.2.3 博士学位结构 |
| 2.3 中国物理学院士归国工作情况的计量分析 |
| 2.3.1 留学物理学院士的归国年代趋势 |
| 2.3.2 国内工作单位的“集聚性”较强 |
| 2.3.3 物理学院士的国外工作单位 |
| 2.4 中国物理学院士从事物理学分支交叉学科的计量分析 |
| 2.4.1 物理学院士从事分支交叉学科的归类统计 |
| 2.4.2 物理学院士获得国际科技奖励的计量分析 |
| 2.4.3 物理学院士获得国内科技奖励的计量分析 |
| 第三章 中国理论物理学院士群体的计量分析 |
| 3.1 中国理论物理学院士基本情况的计量分析 |
| 3.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“51-60 岁” |
| 3.1.2 博士占比52.83%,地方高校理论物理教育水平有所提高 |
| 3.2 中国理论物理学院士研究领域的计量分析 |
| 3.2.1 主要分布于凝聚态理论和纯理论物理等领域 |
| 3.2.2 20 世纪后半叶当选的理论物理学院士内师承关系显着 |
| 3.3 中国理论物理学院士的发展趋势分析 |
| 3.3.1 理论物理学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 3.3.2 理论物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 中国凝聚态物理学院士群体的计量分析 |
| 4.1 中国凝聚态物理学院士基本情况的计量分析 |
| 4.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“51—60 岁” |
| 4.1.2 博士占比57.83%,国外博士学位占比将近80% |
| 4.1.3 女性物理学院士在凝聚态物理领域崭露头角 |
| 4.2 中国凝聚态物理学院士研究领域的计量分析 |
| 4.2.1 主要分布于半导体物理学、晶体学和超导物理学等领域 |
| 4.2.2 凝聚态物理学的一些传统研究领域内师承关系显着 |
| 4.2.3 凝聚态物理学院士集聚于若干研究中心 |
| 4.3 中国凝聚态物理学院士的发展趋势分析 |
| 4.3.1 凝聚态物理学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 4.3.2 凝聚态物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 中国光学院士群体的计量分析 |
| 5.1 中国光学院士基本情况的计量分析 |
| 5.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“61—70 岁” |
| 5.1.2 博士占比54.84%,本土培养的光学博士逐渐增多 |
| 5.2 中国光学院士研究领域的计量分析 |
| 5.2.1 研究领域集中分布于应用物理学和激光物理学 |
| 5.2.2 光学院士工作单位的“集聚性”较强 |
| 5.3 光学院士的发展趋势分析 |
| 5.3.1 光学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 5.3.2 光学院士研究领域的发展趋势 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 中国高能物理学院士群体的计量分析 |
| 6.1 中国高能物理学院士基本情况的计量分析 |
| 6.1.1 老龄化问题严重,当选年龄集中于“51—60 岁” |
| 6.1.2 博士占比53.85%,国外博士学位占比超过85% |
| 6.2 中国高能物理学院士研究领域的计量分析 |
| 6.2.1 高能物理实验与基本粒子物理学分布较均衡 |
| 6.2.2 高能物理学院士的工作单位集聚性与分散性并存 |
| 6.3 中国高能物理学院士的发展趋势分析 |
| 6.3.1 高能物理学院士的增选总体呈平稳趋势 |
| 6.3.2 高能物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 6.4 小结 |
| 第七章 中国原子核物理学院士群体的计量分析 |
| 7.1 中国原子核物理学学院士基本情况的计量分析 |
| 7.1.1 老龄化问题严重,80 岁以下院士仅有3 人 |
| 7.1.2 博士占比48.84%,国外博士学位占比超过95% |
| 7.1.3 女性院士在原子核物理学领域的杰出贡献 |
| 7.2 中国原子核物理学院士研究领域的计量分析 |
| 7.2.1 原子核物理学院士在各研究领域的分布情况 |
| 7.2.2 参与“两弹”研制的院士内部师承关系显着 |
| 7.3 中国原子核物理学院士的发展趋势分析 |
| 7.3.1 原子核物理学院士的增选总体呈下降趋势 |
| 7.3.2 原子核物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 7.4 小结 |
| 第八章 其他物理学分支和部分交叉学科院士群体的计量分析 |
| 8.1 中国天体物理学院士群体的计量分析 |
| 8.1.1 天体物理学院士本土培养特征明显 |
| 8.1.2 天体物理学院士的增选总体呈平稳上升趋势 |
| 8.1.3 天体物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.2 中国生物物理学院士群体的计量分析 |
| 8.2.1 群体年龄较小,当选年龄集中于“41—50 岁” |
| 8.2.2 生物物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.3 中国工程热物理院士群体的计量分析 |
| 8.3.1 工程热物理院士内部师承关系十分显着 |
| 8.3.2 工程热物理院士研究领域的发展趋势 |
| 8.4 中国地球物理学院士群体的计量分析 |
| 8.4.1 主要分布于固体地球物理学和空间物理学研究领域 |
| 8.4.2 地球物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.5 部分分支交叉学科院士群体的计量分析 |
| 8.5.1 电子物理学和声学院士的增选呈下降趋势 |
| 8.5.2 中国物理力学由应用走向理论 |
| 8.5.3 中国量子信息科技呈迅速崛起之势 |
| 第九章 中国物理学院士计量分析的比较研究和趋势分析 |
| 9.1 各分支交叉学科间物理学院士基本情况的比较研究 |
| 9.1.1 一些新兴研究领域物理学院士年轻化趋势明显 |
| 9.1.2 21世纪以来本土培养的物理学院士占比一半以上 |
| 9.1.3 女性物理学院士在实验物理领域分布较多 |
| 9.2 中国物理学院士研究领域的发展趋势分析 |
| 9.2.1 各分支交叉学科内的横向发展趋势分析 |
| 9.2.2 各分支交叉学科的纵向年代发展趋势分析 |
| 9.3 中国物理学院士代际演化的趋势分析 |
| 9.3.1 第一代物理学院士初步完成了中国物理学的建制 |
| 9.3.2 第二代物理学院士完成了中国物理学主要分支学科的奠基 |
| 9.3.3 第三代物理学院士在国防科技和物理学科拓展中有着突出贡献 |
| 9.3.4 第四代物理学院士在推进物理学深入发展方面贡献较大 |
| 9.3.5 新一代物理学院士科技成果的国际影响力显着增强 |
| 第十章 中国物理学院士的群体结构特征和发展趋势特征 |
| 10.1 中国物理学院士的群体结构特征 |
| 10.1.1 整体老龄化问题严重,但年轻化趋向较为明显 |
| 10.1.2 整体学历水平较高,本土培养物理学精英的能力增强 |
| 10.1.3 女性物理学院士占比较低,但科技贡献突出 |
| 10.1.4 空间结构“集聚性”较强,但近些年“集聚性”逐渐被打破 |
| 10.2 中国物理学院士研究领域发展的趋势特征 |
| 10.2.1 物理学科中交叉性较强的研究领域具有极大的发展潜力 |
| 10.2.2 物理学科中应用性较强的研究领域产业化趋势明显 |
| 10.2.3 当代物理学的发展与科研实验设施的关系越发紧密 |
| 10.3 中国物理学院士代际演化的趋势特征 |
| 10.3.1 新中国成立初期国家需求导向下的相关物理学科迅猛发展 |
| 10.3.2 20世纪80 年代以来院士研究兴趣与国家支持政策相得益彰 |
| 10.3.3 21世纪以来院士个体对学科发展的主导作用越来越大 |
| 第十一章 中国物理学院士群体的成长路径 |
| 11.1 影响中国物理学院士成长的宏观要素 |
| 11.1.1 社会时代发展大背景的影响一直存在 |
| 11.1.2 国家发展战略需求导向要素有所减弱 |
| 11.1.3 国家科技管理制度的要素影响有所增强 |
| 11.1.4 中国传统文化对物理学院士潜移默化的影响 |
| 11.2 影响中国物理学院士成长的中观要素 |
| 11.2.1 物理学学科前沿发展需求的导向要素显着增强 |
| 11.2.2 空间结构“集聚性”的影响逐渐在减弱 |
| 11.2.3 师承关系的影响主要体现于学科延承方面 |
| 11.3 影响中国物理学院士成长的微观要素 |
| 11.3.1 性别差异对物理学家社会分层的影响很弱 |
| 11.3.2 年龄要素对物理学院士成长具有一定的影响 |
| 11.3.3 个人研究兴趣对物理学院士的成长影响增强 |
| 11.4 结语与展望 |
| 附录 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 个人简况及联系方式 |
（3）原位生长SiC纳米线棉毡的制备工艺探索及其性能表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 注释表 |
| 缩略词 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景与意义 |
| 1.2 碳化硅纳米线的性能、应用及制备方法 |
| 1.2.1 SiC纳米线的发光性能及其应用 |
| 1.2.2 SiC纳米线的力学性能及其应用 |
| 1.2.3 SiC纳米线的电学性能 |
| 1.2.4 SiC纳米线的场发射性能 |
| 1.2.5 SiC纳米线的光催化特性 |
| 1.3 SIC纳米线的制备研究现状 |
| 1.3.1 V-S-L生长机制控制的制备方法 |
| 1.3.2 基于V-S生长机制的SiC纳米线制备方法 |
| 1.3.3 氧化物辅助生长(OAG)机制 |
| 1.3.4 模板法 |
| 1.4 SIC纳米线材料的发展趋势 |
| 1.4.1 SiC纳米线的形貌、组成、性能的可控制备 |
| 1.4.2 SiC纳米线的纳米高级结构的组装 |
| 1.4.3 SiC纳米线组装宏观尺寸预制体 |
| 1.5 SIC纳米线纸及棉毡的研究现状 |
| 1.5.1 SiC纳米纸或薄膜的研究现状 |
| 1.5.2 SiC纳米线棉毡的研究现状 |
| 1.5.3 SiC纳米线棉毡的应用 |
| 1.6 研究内容及研究目的 |
| 第二章 实验及表征 |
| 2.1 实验原料 |
| 2.2 实验设备 |
| 2.3 实验方法 |
| 2.3.1 碳泡棉制备 |
| 2.3.2 超长SiC纳米线的制备方法 |
| 2.3.3 SiC纳米线泡棉的制备 |
| 2.4 分析表征方法 |
| 2.4.1 形貌分析 |
| 2.4.2 物相组成分析 |
| 2.4.3 性能分析 |
| 第三章 SiC纳米线棉毡的制备工艺研究 |
| 3.1 SiC纳米线棉毡的制备流程 |
| 3.2 生长基体碳泡棉的制备工艺探索 |
| 3.2.1 升温速率对制备的碳泡棉几何形状的影响 |
| 3.3 SiC纳米线的制备工艺探索 |
| 3.3.1 温度对SiC纳米线生长的影响 |
| 3.3.2 制备时间对SiC纳米线制备影响 |
| 3.3.3 催化剂浓度的影响 |
| 3.3.4 制备时间对SiC纳米线棉毡的微观结构影响 |
| 3.3.5 碳泡棉氧化去除工艺探索 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 SiC纳米线棉毡的表征与分析 |
| 4.1 SiC纳米线棉毡的制备与宏观形貌 |
| 4.2 SiC纳米线棉毡的物相组成 |
| 4.3 SiC纳米线棉毡的微观结构表征 |
| 4.4 SiC纳米线棉毡的形成机理分析 |
| 4.4.1 超长SiC纳米线的生长过程 |
| 4.4.2 SiC纳米线棉毡内部的SiC纳米线交联结构 |
| 4.5 SiC纳米线棉毡的性能表征 |
| 4.5.1 SiC纳米线棉毡的阻燃性及隔热性能表征 |
| 4.5.2 SiC纳米线棉毡的力学性能表征 |
| 4.6 SiC纳米线棉毡的疏水性能表征 |
| 4.6.1 SiC纳米线棉毡的疏水性能表征 |
| 4.6.2 SiC纳米线棉毡的疏水机理探索 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 研究结论 |
| 5.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及专利 |
（4）纳米电子技术分析及发展分析（论文提纲范文）
| 0前言 |
| 1 纳米电子技术概述 |
| 1.1 纳米电子学的定义 |
| 1.2 纳米电子技术的定义 |
| 2 纳米电子技术的起源 |
| 2.1 微电子技术的发展出现瓶颈 |
| 2.2 纳米技术的产生 |
| 3 纳米电子技术研究的成果 |
| 3.1 纳米材料 |
| 3.2 纳米电子器件 |
| 4 纳米电子技术的应用 |
| 5 纳米电子技术的前景 |
| 5.1 纳米硅薄膜 |
| 5.2 纳米生物电子学 |
| 5.3 MEMS技术 |
| 6 结束语 |
（5）欧盟工业先进制造系统的研发现状及趋势分析（论文提纲范文）
| 1 先进制造系统与欧盟经济社会可持续发展 |
| 1.1 提升欧盟工业企业竞争力 |
| 1.2 促进欧盟经济增长和扩大就业 |
| 1.3 积极应对全球经济社会挑战 |
| 2 欧盟先进制造系统发展现状与关键势能技术 |
| 2.1 先进制造系统与先进材料技术(Advanced Materials) |
| 2.2 先进制造系统与微-纳米电子技术(Micro/Nano-Electronics) |
| 2.3 先进制造系统与纳米技术(Nanotechnologies) |
| 2.4 先进制造系统与光子学技术(Photonics) |
| (1)光子学技术产品 |
| (2)光子学技术装置 |
| (3)太阳能光伏产品 |
| 2.5 先进制造系统与工业生物技术(Industrial Biotechnologies) |
| 3 欧盟先进制造系统的研发趋势 |
| 3.1 市场需求 |
| 3.2 优劣势分析 |
| 3.2.1 优势 |
| 3.2.2 劣势 |
| 3.2.3 机遇 |
| 3.2.4 威胁与挑战 |
| 3.3 总体研发趋势分析 |
| 4 结语 |
（6）纳米产品设计中需求与材料的关系探索（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题来源 |
| 1.2 研究目的及意义 |
| 1.2.1 研究目的 |
| 1.2.2 研究意义 |
| 1.3 研究框架及内容 |
| 1.3.1 研究框架 |
| 1.3.2 研究内容 |
| 1.4 纳米材料及纳米技术的重要性 |
| 1.5 纳米材料在国内外的应用现状 |
| 1.5.1 纳米材料在国外的应用现状 |
| 1.5.2 纳米材料在我国的应用现状 |
| 第2章 纳米材料的特性 |
| 2.1 纳米材料相关概念 |
| 2.1.1 纳米 |
| 2.1.2 纳米科技 |
| 2.2 纳米材料的加工工艺 |
| 2.2.1 自上而下法 |
| 2.2.2 自下而上法 |
| 2.3 纳米材料的分类 |
| 2.3.1 纳米微粒 |
| 2.3.2 纳米固体 |
| 2.3.3 纳米组装体系 |
| 2.4 纳米材料的性能 |
| 2.4.1 纳米材料的效应 |
| 2.4.2 纳米材料的化学及物理性能 |
| 第3章 纳米产品设计案例解析 |
| 3.1 衣 |
| 3.1.1 纳米银抗菌衣服 |
| 3.2 食 |
| 3.2.1 纳米陶瓷刀具 |
| 3.2.2 纳米氧化锌保鲜膜 |
| 3.2.3 纳米玻璃杯 |
| 3.2.4 纳米冰箱 |
| 3.3 用 |
| 3.3.1 纳米绳索 |
| 3.3.2 纳米秤 |
| 3.3.3 纳米药物输送车 |
| 3.3.4 纳米金护肤品 |
| 3.3.5 纳米碳网球拍 |
| 3.3.6 纳米防晒霜 |
| 3.3.7 纳米羟基磷灰石牙膏 |
| 3.3.8 纳米隐形眼镜 |
| 3.3.9 电子纸 |
| 3.3.10 纳米涂层键盘 |
| 3.3.11 纳米灯具 |
| 3.3.12 纳米石墨烯电容器 |
| 3.3.13 纳米硅晶体太阳能电池 |
| 3.3.14 纳米电线 |
| 3.4 行 |
| 3.4.1 纳米二氧化钛汽车漆 |
| 第4章 纳米产品设计的路径分析 |
| 4.1 产品——需求路径 |
| 4.2 产品——材料路径 |
| 4.3 需求——材料路径 |
| 第5章 纳米产品设计探索 |
| 5.1 产品——需求层次路径 |
| 5.2 材料—需求层次路径 |
| 5.3 设计探索 |
| 第6章 结论与不足 |
| 6.1 设计与纳米材料的互动关系 |
| 6.2 不足和后续研究 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（7）碳化硅和氮化硅超长纳米线的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 图表目录 |
| 缩略语列表 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 纳米科技及纳米材料概述 |
| 1.1.1 纳米材料的基本效应 |
| 1.1.2 纳米材料的应用前景 |
| 1.2 一维纳米材料 |
| 1.2.1 一维纳米材料的基本概念 |
| 1.2.2 一维纳米材料的特性及应用前景 |
| 1.2.3 一维纳米材料的制备机制 |
| 1.2.4 一维纳米材料的发展趋势 |
| 1.3 论文选题依据与研究内容 |
| 1.3.1 论文选题依据 |
| 1.3.2 论文的研究目标及研究内容 |
| 第2章 实验及表征方法 |
| 2.1 实验原料与试剂 |
| 2.2 实验方法 |
| 2.2.1 超长Si_3N_4 纳米线的制备 |
| 2.2.2 超长SiC 纳米线的制备 |
| 2.2.3 活性炭负载SiC 纳米线的制备 |
| 2.3 分析表征方法 |
| 2.3.1 形貌分析 |
| 2.3.2 组成与结构分析 |
| 2.3.3 物理化学性能测试 |
| 第3章 超长Si_3N_4纳米线的制备及其高温抗氧化性 |
| 3.1 超长Si_3N_4 纳米线的制备 |
| 3.1.1 超长Si_3N_4 纳米线的形貌、组成与结构表征 |
| 3.1.2 超长Si_3N_4 纳米线的生长机制 |
| 3.2 超长Si_3N_4 纳米线的高温抗氧化性 |
| 3.3 小结 |
| 第4章 超长SiC 纳米线的制备研究 |
| 4.1 超长SiC 纳米线的制备思路 |
| 4.2 超长SiC 纳米线的制备与表征 |
| 4.2.1 生长基片的影响 |
| 4.2.2 制备温度和保温时间的影响 |
| 4.2.3 催化剂的影响 |
| 4.2.4 超长SiC 纳米线的组成与结构表征 |
| 4.2.5 超长SiC 纳米线的晶体缺陷 |
| 4.3 活性炭负载SiC 纳米线的制备 |
| 4.4 特殊形貌SiC 纳米线 |
| 4.4.1 直径波动型纳米线 |
| 4.4.2 螺型纳米线 |
| 4.4.3 项链状纳米线 |
| 4.4.4 分枝结构纳米线 |
| 4.4.5 球链状纳米线 |
| 4.5 超长SiC 纳米线的生长机理研究 |
| 4.5.1 原料分子结构的影响 |
| 4.5.2 生长基片与催化剂作用机理探讨 |
| 4.5.3 Base-growth 模式 |
| 4.5.4 超长SiC 纳米线的生长过程分析 |
| 4.6 小结 |
| 第5章 SiC 纳米线的物理化学性能 |
| 5.1 SiC 纳米线场发射性能 |
| 5.1.1 高压脉冲电场电子发射性能 |
| 5.1.2 低压场电子发射性能 |
| 5.2 SiC 纳米线热稳定性及抗氧化性 |
| 5.2.1 试验方法 |
| 5.2.2 SiC 纳米线的热稳定性 |
| 5.2.3 SiC 纳米线的高温抗氧化性 |
| 5.3 SiC 纳米线的振动光谱研究 |
| 5.4 SiC 纳米线的电磁参数表征 |
| 5.5 SiC 纳米线的光降解性能 |
| 5.6 小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 |
| 致谢 |
（8）基于平板扫描器的新型原子力显微镜的研制及应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| §1.1 纳米技术概述 |
| §1.1.1 纳米技术的发展现状 |
| §1.1.2 纳米技术的应用 |
| §1.2 微纳米检测技术的发展 |
| §1.2.1 电子显微镜(EM)技术 |
| §1.2.2 扫描隧道显微镜(STM)技术 |
| §1.2.3 原子力显微镜(AFM)技术的发展及应用 |
| §1.3 本文的主要研究内容及研究成果 |
| 参考文献 |
| 第二章 AFM的基本原理与方法 |
| §2.1 AFM的基本工作原理 |
| §2.2 AFM系统的组成 |
| §2.3 微悬臂偏转量的检测方法 |
| §2.3.1 常用的几种检测方法 |
| §2.3.2 光束偏转法 |
| §2.4 压电陶瓷扫描器 |
| §2.4.1 压电效应 |
| §2.4.2 压电陶瓷的推拉式控制方法 |
| §2.4.3 压电陶瓷扫描器的特性 |
| §2.4.4 传统压电陶瓷扫描器的类型及优缺点 |
| 参考文献 |
| 第三章 基于平板扫描器的新型AFM系统的研制 |
| §3.1 系统总体设计 |
| §3.2 AFM探头的研制 |
| §3.2.1 扫描结构的选择 |
| §3.2.2 平板扫描器的研制 |
| §3.2.3 Z向反馈控制器的设计 |
| §3.2.4 微探针的选择 |
| §3.2.5 粗调与微调进给机构的研制 |
| §3.2.6 光电检测系统及几何光路设计 |
| §3.3 控制电路及硬件部分 |
| §3.3.1 平板扫描驱动电路 |
| §3.3.2 前置放大电路及PID反馈控制电路 |
| §3.3.3 A/D与D/A接口 |
| §3.4 软件设计与优化 |
| §3.4.1 扫描控制软件的开发 |
| §3.4.2 图像处理软件系统 |
| §3.5 系统其它部分的研制 |
| §3.5.1 CCD显微摄像监控系统 |
| §3.5.2 XY微动平台的设计 |
| 参考文献 |
| 第四章 基于平板扫描器的AFM系统的误差分析及性能优化 |
| §4.1 平板扫描器的性能优化研究 |
| §4.1.1 大范围均匀扫描的研究 |
| §4.1.2 扫描速度的影响及优化 |
| §4.1.3 结构误差的分析和优化研究 |
| §4.2 系统电路的分析及优化 |
| §4.2.1 扫描驱动电路精度的分析 |
| §4.2.2 其他电路部分的优化 |
| §4.3 压电陶瓷的非线性及校正 |
| §4.4 其它因素的影响分析 |
| 参考文献 |
| 第五章 基于平板扫描器的AFM系统的实验及应用研究 |
| §5.1 平板扫描器与传统压电扫描器的对比实验 |
| §5.1.1 多孔氧化铝小范围扫描实验 |
| §5.1.2 光栅的中范围扫描实验 |
| §5.1.3 光栅的大范围扫描实验 |
| §5.2 金属膜的AFM测试实验研究 |
| §5.2.1 镀银薄膜的纳米结构图像 |
| §5.2.2 镀金膜的成膜过程研究 |
| §5.3 其他材料的扫描实验 |
| §5.3.1 有机材料CuPc的扫描实验 |
| §5.3.2 锗量子点的AFM纳米结构图像 |
| §5.4 基于平板扫描器的AFM系统的其他应用研究 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| §6.1 研究工作总结 |
| §6.2 展望 |
| 致谢 |
（9）一维硅纳米材料及镍硅异质结纳米线的制备和表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 一维纳米材料的研究 |
| 1.3 硅的基本性质 |
| 1.4 一维硅纳米线材料的制备 |
| 1.5 硅纳米材料的表征 |
| 1.6 一维硅纳米材料的组装 |
| 1.7 硅纳米线应用于纳米电子器件 |
| 1.8 硅纳米线的金属化 |
| 1.9 课题研究的意义及主要创新点 |
| 第二章 高压条件下制备硅纳米线 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 硅纳米线普适生长机理 |
| 2.3 高压裂解法制备硅纳米线 |
| 2.4 硅纳米线生长讨论 |
| 2.5 总结 |
| 第三章 硅纳米针结构的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 纳米针结构文献综述 |
| 3.3 硅纳米针结构的制备 |
| 3.4 硅纳米针结构的生长 |
| 3.5 总结 |
| 第四章 热蒸发法制备超长硅纳米线 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验设备及原材料 |
| 4.3 实验部分 |
| 4.4 实验结果 |
| 4.5 对超长硅纳米线生长的讨论 |
| 4.6 总结 |
| 第五章 硅纳米线的分散和离心处理 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验所需 |
| 5.3 硅纳米线分散 |
| 5.4 硅纳米线离心处理 |
| 5.5 总结 |
| 第六章 硅纳米管及特殊结构硅纳米材料的制备 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 硅纳米管的稳定性 |
| 6.3 热蒸发法制备硅纳米管 |
| 6.4 实验结果 |
| 6.5 硅纳米管生长机理 |
| 6.6 总结 |
| 第七章 镍/硅异质结构纳米线退火处理 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 磁控溅射 |
| 7.3 实验设备及原料 |
| 7.4 硅纳米线表面镀镍 |
| 7.5 镍/硅异质结构纳米线的退火处理 |
| 7.6 硅镍异质结纳米线镍硅化物形成的动力学原理 |
| 7.7 镀镍硅纳米线电学性能测试的实现方法与结果 |
| 7.8 总结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 发表论文 |
| 致谢 |
（10）我国纳米材料产业化机制研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 导论 |
| 1.1 研究对象 |
| 1.1.1 纳米和纳米技术 |
| 1.1.2 纳米材料和纳米材料产业 |
| 1.1.3 纳米材料产业化和产业化机制 |
| 1.2 研究设计 |
| 1.2.1 研究背景 |
| 1.2.2 研究目的和意义 |
| 1.2.3 研究思路和全文结构 |
| 第二章 文献回顾 |
| 2.1 创新理论及相关研究综述 |
| 2.1.1 创新理论回顾 |
| 2.1.2 创新概念的界定 |
| 2.1.3 创新的本质特征 |
| 2.1.4 创新的环境和动力模式 |
| 2.1.5 创新的激励 |
| 2.2 产业结构理论及相关研究综述 |
| 2.2.1 产业结构的涵义 |
| 2.2.2 产业结构理论的产生 |
| 2.2.3 产业结构的演进动因 |
| 2.3 有关产业化机制方面的研究综述 |
| 2.3.1 有关产业化模式方面的研究 |
| 2.3.2 有关产业化动力机制方面的研究 |
| 2.3.3 有关产业化运行机制方面的研究 |
| 2.4 纳米材料产业化有关研究综述 |
| 2.4.1 纳米材料产业化现状方面的研究 |
| 2.4.2 纳米材料产业化问题和对策方面的研究 |
| 2.4.3 纳米材料产业化其他相关方面的研究 |
| 本章小结 |
| 第三章 国外纳米材料产业现状及发展趋势研究 |
| 3.1 国外纳米材料研发现状及发展趋势 |
| 3.2 国外纳米材料制备现状及发展趋势 |
| 3.3 国外纳米材料市场现状及发展趋势 |
| 3.4 国外纳米材料产业化现状及发展趋势 |
| 本章小结 |
| 第四章 我国纳米材料产业现状和发展趋势研究 |
| 4.1 我国纳米材料研发现状 |
| 4.2 我国纳米材料制备现状 |
| 4.3 我国纳米材料市场现状 |
| 4.4 我国纳米材料产业化现状 |
| 4.5 我国纳米材料产业发展趋势 |
| 4.6 国内外纳米材料产业化现状及发展趋势的比较 |
| 本章小结 |
| 第五章 我国纳米材料产业化的动力机制研究 |
| 5.1 我国纳米材料产业化的外部动力研究 |
| 5.1.1 纳米材料技术发展是其产业化的重要推动力 |
| 5.1.2 市场需求是纳米材料产业化的重要拉动力 |
| 5.1.3 技术推动和市场需求拉动的合力及相互关系 |
| 5.1.4 国家的宏观政策和经济环境的引导推动与保障作用 |
| 5.1.5 国际竞争是一种重要推动力 |
| 5.2 我国纳米材料产业化的内在动力研究 |
| 5.2.1 纳米材料产业化过程的创新特征 |
| 5.2.2 纳米材料产业化过程中的技术创新 |
| 5.2.3 纳米材料产业化过程中的制度创新 |
| 5.2.4 纳米材料产业化过程中的金融创新 |
| 5.3 我国纳米材料产业化动力系统研究 |
| 5.3.1 纳米材料产业化动力系统 |
| 5.3.2 内部动力系统主体结构——"三套车"模式 |
| 本章小结 |
| 第六章 我国纳米材料产业化的运行机制研究 |
| 6.1 我国纳米材料产业化的技术创新机制研究 |
| 6.1.1 以纳米材料企业为主体是技术创新运行机制的根本 |
| 6.1.2 官产学的有机结合是技术创新运行机制的运行保障 |
| 6.1.3 技术引进缺乏必要的调控消化吸收和再创新机制 |
| 6.2 我国纳米材料产业化的人才机制研究 |
| 6.2.1 我国纳米材料产业化的人才培养机制 |
| 6.2.2 我国纳米材料产业化的人才引进机制 |
| 6.2.3 我国纳米材料产业化的人才流动机制 |
| 6.2.4 我国纳米材料产业化的人才竞争激励机制 |
| 6.3 我国纳米材料产业化的融资机制研究 |
| 6.4 我国纳米材料产业化的政策法律保障机制 |
| 6.4.1 我国纳米材料产业化的政策导向不够明确 |
| 6.4.2 我国纳米材料产业化的政策协调性不够,缺乏科学、统一、系统设计 |
| 6.5 我国纳米材料产业化的技术转移机制研究 |
| 6.5.1 我国纳米材料产业化过程中科技中介的功能及分类 |
| 6.5.2 我国纳米材料产业化过程中科技中介的发展现状 |
| 6.6 纳米材料产业化的运行机制国内外比较 |
| 6.7 我国纳米材料产业化水平的评价 |
| 6.7.1 评价方法的选择 |
| 6.7.2 构建我国纳米材料产业化评价指标体系 |
| 6.7.3 应用ANP方法评价我国纳米材料产业化水平 |
| 本章小结 |
| 第七章 我国纳米材料产业化的对策措施 |
| 7.1 构建纳米材料产业化的技术创新体系,大力推进技术创新 |
| 7.1.1 确定纳米材料企业的技术创新主体地位 |
| 7.1.2 加强协作,共同推进纳米材料技术创新 |
| 7.1.3 加强纳米材料技术的引进吸收和再创新 |
| 7.1.4 加大研发投入,促进技术创新 |
| 7.1.5 我国纳米材料产业化技术创新体系模型 |
| 7.2 建立和完善我国纳米材料产业化的人才体系 |
| 7.2.1 建立以市场需求为导向的人才培养机制 |
| 7.2.2 建立和完善有效的人才引进机制 |
| 7.2.3 构建适应纳米材料产业化的人才竞争激励机制 |
| 7.2.4 建立和完善适合市场经济要求的纳米材料人才流动机制 |
| 7.2.5 我国纳米材料产业化人才体系模型 |
| 7.3 建立和完善符合我国纳米材料产业化的融资机制 |
| 7.3.1 充分发挥政府在我国纳米材料产业化融资过程中的作用 |
| 7.3.2 完善我国纳米材料产业化过程中的银行信贷机制 |
| 7.3.3 发展金融创新工具,为我国纳米材料产业化增加新的融资渠道 |
| 7.3.4 大力发展内风险投资,促进我国纳米材料产业化 |
| 7.3.5 积极利用海外资本市场,进行多渠道融资 |
| 7.3.6 我国纳米材料产业化融资机制模型 |
| 7.4 建立和完善我国纳米材料产业化技术转移机制 |
| 7.4.1 培育我国纳米材料产业化的技术市场体系 |
| 7.4.2 培育和规范我国纳米材料技术转移中介机构 |
| 7.4.3 培养专业科技中介人才 |
| 7.4.4 我国纳米材料产业化技术转移机制模型 |
| 7.5 建立和完善我国纳米材料产业化政策法律保障体系 |
| 7.5.1 健全促进我国纳米材料产业化的法律保障体系 |
| 7.5.2 制定和实施有利于我国纳米材料产业化的相关政策 |
| 7.5.3 我国纳米材料产业化政策法律保障体系模型 |
| 本章小结 |
| 第八章 全文总结与研究展望 |
| 8.1 全文总结 |
| 8.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 个人简历 在读期间发表的学术论文与研究成果 |
| 致谢 |
四、纳米电子陶瓷材料我国研制成果不凡（论文参考文献）
- [1]无卤阻燃环氧模塑料的制备及其热潜伏活性研究[D]. 肖潇. 中国地质大学(北京), 2020(08)
- [2]中国物理学院士群体计量研究[D]. 刘欣. 山西大学, 2019(01)
- [3]原位生长SiC纳米线棉毡的制备工艺探索及其性能表征[D]. 袁小森. 南京航空航天大学, 2019(02)
- [4]纳米电子技术分析及发展分析[J]. 韩熙. 电子测试, 2015(10)
- [5]欧盟工业先进制造系统的研发现状及趋势分析[J]. 张志勤. 全球科技经济了望, 2014(08)
- [6]纳米产品设计中需求与材料的关系探索[D]. 王均洁. 武汉理工大学, 2013(S2)
- [7]碳化硅和氮化硅超长纳米线的制备与性能研究[D]. 李公义. 国防科学技术大学, 2010(08)
- [8]基于平板扫描器的新型原子力显微镜的研制及应用[D]. 于海峰. 浙江大学, 2008(07)
- [9]一维硅纳米材料及镍硅异质结纳米线的制备和表征[D]. 陈扬文. 复旦大学, 2008(08)
- [10]我国纳米材料产业化机制研究[D]. 许华胜. 同济大学, 2007(02)