一、多箔活化法测量铀氢锆脉冲堆辐照腔中子注量谱（论文文献综述）
陈舞辉[1]（2020）在《CFETR水冷包层中子学模块设计与实验研究》文中进行了进一步梳理包层作为聚变堆关键部件,承担着产氚、核热提取、中子屏蔽等重要的涉核功能。水冷陶瓷增殖剂（WCCB）包层是中国聚变工程试验堆（CFETR）一个候选包层概念。基于蒙特卡洛程序MCNP和IAEA聚变评价数据库开展中子学模拟分析表明,其设计满足氚自持的目标。为了评估WCCB包层的中子学特性和设计的工程裕量,需要开展实验模块设计和实验测量技术研究。使用DT中子源开展WCCB包层小模块中子学积分实验和相关的实验测量技术研究,获得包层产氚率、单核反应率等积分参数的理论值和实验值比值（C/E比）,对检验包层概念设计的可靠性、评价包层概念的综合性能有重要意义。本文首先针对200MW聚变功率下的WCCB包层特征,开展中子学缩比实验模块的设计。在保持中子学特点、几何材料相似性的基础上,确定了实验模块径向材料布置依次为钨、第一壁、氚增殖区、中子倍增区、冷却板、氚增殖区、中子倍增区、冷却板。随后针对氚增殖剂层数、钨铠甲、数据库、氚增殖剂厚度对实验模块关键参数的影响进行了敏感性分析。为更好的体现原有包层采用球床增殖剂的工程特点,将板状钛酸锂密度优化为单元钛酸锂球床密度,最终确定实验模块的几何尺寸为210.0mm（环向）×210.0mm（极向）×193.0mm（径向）,对优化的实验模块进行中子学计算,预测其中子通量、氚产生率及活化水平。随后对模块中子学实验中涉及的活化法测量技术及理论方法进行了研究。开发了基于NJOY的多群截面迭代加工程序、基于反卷积算法的中子能谱解谱程序。分别在252Cf中子场和DT中子场下进行实验,其中在DT中子场下单核反应率的C/E比为0.96～1.05,对所确定的活化法测量技术路线进行不确定度实验研究,在DT中子源项下使用活化法测量的不确定度约为5.06%。结合活化法测量结果,采用基于反卷积算法的解谱程序对各中子场下活化箔区域进行解谱,其中DT中子场石墨慢化体下的解谱结果验证了群截面加工和解谱程序的可靠性。基于验证的活化法测量技术,开展了 DT中子发生器环境下的缩比实验模块的中子学实验。利用Au、In、Al、Ti、Mg、Zr几种活化箔进行了反应率的测量,结果表明,热中子主导的197Au（n,g）198Au反应的C/E比范围在0.93～1.03,高能中子主导的90Zr（n,2n）89Zr反应的C/E比的范围在0.90～1.07。通过与微型锂玻璃、钛酸锂陶瓷片等其他测量技术进行对比,结果显示了活化法与其他测量技术的一致性。本文通过开展WCCB包层缩比模块中子学实验,较为系统地进行了包层中子学实验层面的活化法测量技术研究,相关参数的C/E比结果增强了包层中子学设计的信心,为后续中子学实验中基于活化法中子测量的开展奠定了基础。
张雅玲[2]（2018）在《9Be（d,n）和9Be（p,n）反应加速器中子源中子学特性研究》文中进行了进一步梳理可控核聚变能被公认为是解决人类未来能源危机的最佳途径之一,聚变反应堆中的结构材料在高强度快中子场中辐照的损伤问题是决定聚变堆研究成功与否的关键因素。截至目前为止,由于中子源通量等条件的限制,有关聚变堆结构材料快中子辐照损伤实验研究仍无法开展。中国科学院近代物理研究所提出了研制小型高通量快中子材料辐照装置（CMIF）的研究计划,该装置将利用超导直线加速器加速强流氘离子轰击流动的金属铍颗粒靶,发生9Be（d,n）反应产生高通量快中子辐射场来模拟聚变反应堆中的中子辐照环境,为聚变堆结构材料的研究提供实验条件。基于CMIF项目的需求和9Be（d,n）反应截面实验数据及评价数据缺乏的现状,本论文开展了9Be（d,n）反应中子源的中子学特性参数的理论计算及模拟研究;开展了Be颗粒靶条件下9Be（d,n）反应加速器中子源中子辐射场的特性参数、样品及靶结构材料的快中子辐照损伤和放射性分析等方面的M-C模拟研究,目的是为CMIF项目的设计提供基础数据。另外,9Be（p,n）反应加速器中子源也是有潜力成为聚变堆结构材料辐照损伤的一种快中子源,本论文采用阈活化法开展了9Be（p,n）反应加速器中子源的特性参数的实验测量,其目的是一方面研究9Be（p,n）反应加速器中子源的特性,另一方面,为将来9Be（d,n）加速器中子源的中子学特性的实验研究准备条件和积累经验。论文的具体研究内容如下:1.针对厚Be靶加速器中子源,研究并发展了多层（Multi-layer）薄靶近似模型计算9Be（d,n）反应中子源的中子能谱、中子角分布及中子产额的方法。采用TALYS程序计算了氘束流能量从0.5MeV到102MeV范围内9Be（d,n）反应产生中子的双微分截面,并与实验数据进行了比较;利用所发展的Multi-layer模型计算了9Be（d,n）反应中子的能谱,与实验数据进行了对比。比较结果显示,当入射氘束能量小于等于25MeV时,计算结果与实验数据符合的较好;而在氘束能量较高时,计算结果与实验数据存在显着差异,主要的差异表现为,双微分截面和中子能谱实验数据在近似氘入射能量的一半处出现明显凸起,入射氘束能量越高,实验数据的凸起越显着,分析原因可能主要是氘核的弹性破裂和质子削裂反应所致,说明TALYS程序物理模型对氘核的破裂和削裂反应描述不够完善,需要发展新的模型加以合理描述。2.研究了包含弹性破裂、削裂、预平衡、复合核及多次预平衡等反应过程的统计模型,在充分考虑较高氘能量下的弹性破裂、削裂反应的基础上,采用统计模型,重新计算了氘能量大于25MeV小于102MeV的9Be（d,n）反应的双微分截面,在此基础上,计算了9Be（d,n）反应的中子能谱、中子角分布和积分中子产额,并与实验数据进行了对比,结果显示,基于TALYS程序（0.5MeV-25MeV氘束能量）结合统计模型（26MeV-102MeV氘束能量）计算的双微分截面,计算所得的中子学特性参数能够较好的与实验结果相符合。3.针对CMIF计划所提出的Be颗粒流靶,基于所计算的9Be（d,n）反应中子特性参数和靶系统结构,构建了模拟模型,采用MCNPX模拟了Be颗粒流靶和50MeV氘能量条件下中子的增殖效应,得到增殖系数约为1.046;模拟研究了中子对Be颗粒流靶斜槽背板的辐照损伤,结果显示在年满功率运行5000h、束斑尺寸为0.5cm×1.0cm下,背板上中子辐照损伤产生的最大辐照剂量高达100dpa/fpy,设定背板316L最大可承受的辐照剂量为10dpa,则运行500h,背板就须更换。采用蒙卡程序PHITS对D-Be反应辐照500h之后靶和背板的放射性活度、剂量等进行了模拟和分析,发现辐照500h之后背板中最大活度可达2.5×1012Bq,冷却10年之后也只能降低到1010Bq。背板周围的最大剂量可达3.8×105μSv/h,冷却10年之后才能降到1.0μSv/h,因此更换背板和对背板的后续操作都需要在热室中进行。最后对紧靠背板放置的被辐照铁基样品在满功率年运行下的损伤程度进行了分析。4.开展了阈活化法中子能谱的实验研究。利用中科院近代物理研究所的超导直线加速器加速的20.34MeV质子束轰击静态Be颗粒靶发生9Be（p,n）反应产生中子,完成了阈活化片的辐照实验。利用所建立的HPGe-γ谱仪系统测量了各活化片的γ能谱,由此计算给出了各活化产物的单核反应率、辐照结束时刻的活度等数据,并与MCNPX+ORIGEN耦合模拟计算结果进行了比较,结果显示,两者符合较好。在上述工作的基础上,采用SAND-II迭代程序完成了解谱,给出了四个中子出射方向的中子能谱。另外,利用MCNPX计算的单群截面,结合实验测量的单核反应率,经数据处理得到了7群能谱实验数据及各个角度的中子通量,通过分段积分得到20.34MeV质子能量下,9Be（p,n）反应中子的产额约为1.64×1014n/（s mA）,即单位质子的中子产额为0.026n/p。
曾丽娜,王强,艾自辉,郑春[3]（2015）在《活化法测量散裂靶中子能谱的实验验证》文中研究说明散裂靶中子的能谱对加速器驱动次临界系统的倍增因数和嬗变率等影响很大,计算表明散裂靶中子谱在MeV能区与裂变中子谱相近。本文利用活化法测量临界装置的泄漏中子谱和中子注量率,提出了用In、Al、Mg、Ti、Au、Zn、Ni、Rh、Fe和Co等活化箔测量散裂靶中子能谱和中子注量率的方案。结果表明,将活化箔在散裂靶中子场中辐照5h,中子注量最高达5×1014 cm-2量级,辐照后1h内取出活化箔,根据半衰期的长短安排测量顺序,可测量散裂靶的中子能谱和中子注量率。
苏春磊,欧阳晓平,李达,刘洋,宋晓靓,余小任,欧阳潇[4]（2014）在《测量反应堆快中子注量率的电流型宽禁带半导体探测器设计》文中指出为解决强流混合场快中子注量率实时测量的难题,本文基于反冲质子法,以耐辐照性能强、噪声低的半绝缘型（SI）GaN半导体材料为基础,采用带石墨平衡体及聚乙烯转换靶的并联结构,设计补偿式电流型探测器的方案,有效地降低了γ射线灵敏度。利用该探测器测量了西安脉冲堆1#径向孔道内混合场的快中子注量率,其结果与已有测量结果符合较好,验证了该方案的可行性。
李达,张文首,江新标,仲云红,于青玉,长孙永刚,苗亮亮,马燕,朱广宁,张强,苏春磊,余小任,宋晓靓[5]（2014）在《西安脉冲堆大空间中子辐照实验平台辐射场参数测量》文中进行了进一步梳理西安脉冲堆于2010年建成了大空间中子辐照实验平台。本文介绍了该实验平台辐射场设计参数、辐射场测量方法和实测结果。采用蒙特卡罗方法计算了实验平台内中子初始谱。利用多箔活化法测量了中子能谱,解谱方法采用遗传算法,并与SAND-Ⅱ解谱方法进行了对比,对比结果较为一致,证明了遗传算法解谱的有效性。应用热释光剂量计测量了γ射线吸收剂量率。测量结果表明,该实验平台辐射场参数符合设计要求。
曾丽娜[6]（2014）在《临界装置中子能谱测量》文中认为临界装置的中子能谱可以用于检验计算方法和校验参数,在中子注量测量中也需要通过中子能谱来获得平均截面等。对Godiva类似的快中子临界装置,采用高富集度的金属铀作为活性区,无慢化和反射层,中子能谱为稍微软化的裂变谱。对类似的能谱（稍微慢化的裂变谱）主要的测量方法有：氢反冲法、6Li和3He谱仪、飞行时间法、活化法等。其中活化法操作简单,对仪器设备要求不高,在快中子临界装置和其它辐射场被广泛使用,用于中子能谱测量。本论文工作主要包括以下四个方面的内容：（1）对圆柱形快中子临界装置泄漏中子能谱的分析；（2）采用活化法测量了临界装置泄漏中子能谱；（3）根据球形3He计数管测量单能中子的能谱响应结果,提出来用其来测量临界装置中子能谱的建议；（4）提出了中子能谱测量不确定度评定的意见。利用239Pu裂变室和包镉皮、硼套的裂变室分能段测量了圆柱形快中子临界装置的三个能区的中子注量率,对中子场进行了初步分析。结果表明所测量中子场中热中子所占份额约为2.1%,共振中子约为2.1%,快中子为95.8%。确定中子能谱测量所采用的活化片种类,采用了Au、In、Zn、Ni、Fe、Ti、 Al、Mg、Rh、Co等十种活化片的十四种活化反应测量装置能谱,最终选用了Au、In、Ni、Ti、Al、Mg六种活化片的六种活化反应的有效计数来解谱。每一种活化片所在的位置都布放一片Ni作为中子注量率监测,表明所选的活化箔位置中子注量率相差极小。采用SAND-Ⅱ迭代法解谱,给出了中子全能谱以及中子的分十五群能谱图,解得的能谱10keV以下的中子份额只有0.08%,10MeV以上的中子份额只有0.1%左右,,85%的中子集中在0.2MeⅤ～3MeⅤ范围内,平均能量为1.34MeV。解得的能谱计算的活化片的单核活化反应率与实际测量所得到的单核活化反应率最大相差不超过5%。利用了SP9型3He谱仪进行了典型能点单能中子测量,得到单能中子的响应函数。根据测量结果得出：SP9型探测器可用于测量临界装置的中子能谱,并给出了用3He谱仪测量中子能谱的实验方案。对造成中子能谱不确定性的关键因素进行了分析,给出了20keⅤ,0.6MeⅤ以及5MeV三个典型能点的合成不确定度。不确定度最大来源在于平均截面的不确定度。论文的主要成果在于提出将中子能谱分为三段,利用239Pu裂变室分别测量三段的中子注量率的方法；利用活化法测量得到了临界装置的中子能谱,建立了对于一般快中子能谱测量具有一定借鉴的活化法测量过程,对反应率的不确定度进行了分析,并且对造成测量能谱不确定度的因素进行了分析；利用3He与中子的两种反应信号,测量了单能中子的响应函数,根据测量结果设计了用于测量临界装置中子能谱的实验方案。
周雪梅[7]（2013）在《钍基熔盐堆中子能谱测量方法的研究》文中研究指明中子能谱对于核工程、核物理及核实验的研究工作有重要的意义，特别是对于新型堆的设计和建造，中子能谱的测量可为堆参数设计的合理性提供参考。本文采用理论与实验相结合的方法，重点就如何提高活化法测量中子能谱的精度及实验中所涉及的相关问题作了深入研究，为测量钍基熔盐堆内特殊环境下的中子能谱提供测量方案。本论文共分为八个部分，第一部分为引言，主要介绍钍基熔盐堆建造的背景及中子能谱测量对新型堆-钍基熔盐堆的意义；第二部分为中子能谱的理论计算方法，从中子输运方程着手，阐述了确定论方法和蒙特卡罗法的基本原理及其发展和应用，将两种方法的优缺点进行比较，结合本研究的需要，选用基于蒙特卡罗思想的MCNP计算程序作为本文中子能谱理论模拟计算的主要工具；第三部分为中子能谱的测量方法，从中子的特性开始，研究探测中子的原理，根据中子与物质作用的基本原理，结合不同中子源类型及中子场的特点，逐步介绍各种中子能谱测量的方法，综合考虑决定采用活化法测量中子能谱；第四部分为活化法测量中子能谱，首先从理论计算与实验测定两方面介绍活化法测量中子能谱的基本原理，然后介绍解谱的方法及解谱程序，详细分析了解谱程序SAND-Ⅱ和MSIT的解谱原理及解谱过程，研究了解谱中所需的群截面受箔片厚度和温度的影响；第五部分为对活化材料和高纯锗探测器的研究，这一部分为采用活化法测量中子能谱实验前的准备工作，通过大量调研、总结，介绍了活化材料的选取原则及活化箔的制备原则，分析了影响探测效率的主要因素，通过模拟计算比较了点源与面源对高纯锗探测效率的影响及源的自吸收问题；第六部分为活化法测量中子能谱的实验验证，利用活化法分别测量了西安脉冲堆辐照腔及原型微堆辐照孔道内的中子能谱，利用解谱程序SAND-Ⅱ和MSIT进行解谱，利用蒙特卡罗对解谱结果的不确定度进行分析，探讨了初始输入谱对于解谱结果的影响，分析了整个实验过程中可能出现的误差，将解谱结果与前人的实验结果进行比较，二者基本一致；第七部分为拟建钍基熔盐堆（TMSR-SF1）内中子能谱的理论计算及测量方案，TMSR-SF1是一个以液态熔盐为冷却剂，燃料元件为固态球型的实验堆，由于其在2MW功率正常运行时，反射层与堆内温度达550oC～650oC，这样的高温测量环境对中子能谱的测量技术有很大的考验，本部分通过对耐高温“兔盒”的研制及耐高温活化箔的选取、制备等，给出高温环境下测量中子能谱的方案；第八部分为结论与展望，归纳了本文所研究的主要内容，指出下一步的主要工作及工作设想。本论文采用理论计算与实验测量相结合的方法，掌握了测量环境温度不高于100oC的活化法测量中子能谱的关键技术，为拟测高温环境下的中子能谱打下基础。
白小燕,林东生,杨善潮,李达,刘岩,金晓明,王桂珍[8]（2012）在《晶体管中子损伤常数的测量以及不确定度分析》文中研究表明在西安脉冲反应堆上,利用自建的晶体管放大倍数在线测试系统测量了型号为2N2222A的晶体管放大倍数,获得了放大倍数随中子注量的变化曲线。晶体管放大倍数的倒数和中子注量之间有良好的线性关系,利用最小二乘法对该线性关系进行拟合,得到晶体管的中子损伤常数。重点在于对损伤常数不确定度的评定。详细给出了不确定度评定的过程,分析了过程中的各种不确定度来源并对它们逐一进行了计算。不确定度评定的难点在于利用最小二乘法拟合损伤常数过程中如何同时考虑自变量和因变量的不确定度。这个问题在实际问题中很少被碰到。并引入迭代的思想,在现有的数据处理工具基础上简单有效地解决了该问题,避免了复杂运算。
白小燕,彭宏论,林东生,陈伟,李瑞宾,王桂珍,杨善潮,李斌,郭晓强[9]（2010）在《商用三端稳压器的中子辐射效应》文中指出实验研究了两种型号（CJ79L05011和CJ7905011）的商用三端稳压器在不同负载情况下中子辐射效应,得到了输出电压随中子注量的变化曲线。借助三端稳压器的简化模型,分析认为中子辐射下晶体管放大倍数的减少是造成三端稳压器输出电压变化的关键因素,并理论推导了输出电压和晶体管放大倍数的关系,利用PSPICE软件进行了模拟仿真,结果表明理论曲线和实验现象是基本一致的。
杨宁,江新标,张文首,温海兵[10]（2009）在《3He半导体夹心谱仪解谱方法理论探讨》文中研究说明通过介绍3He半导体夹心谱仪探测器结构、工作原理及电子学系统组成,给出谱仪测量信号的两大来源反应,并与多箔活化法相比较,提出基于SAND-Ⅱ算法的解谱方法;最后进行了数值校验,证实了该方法的理论可行性。
二、多箔活化法测量铀氢锆脉冲堆辐照腔中子注量谱（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、多箔活化法测量铀氢锆脉冲堆辐照腔中子注量谱（论文提纲范文）
（1）CFETR水冷包层中子学模块设计与实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 包层模块中子学实验现状 |
| 1.2.1 日本包层中子学实验 |
| 1.2.2 欧洲包层中子学实验 |
| 1.2.3 印度包层中子学实验 |
| 1.2.4 我国包层中子学实验 |
| 1.2.5 包层中子学实验小结 |
| 1.3 中子学实验中关键测量技术 |
| 1.3.1 核反冲法 |
| 1.3.2 核反应法 |
| 1.3.3 核裂变法 |
| 1.3.4 核活化法 |
| 1.3.5 飞行时间法 |
| 1.3.6 测量技术小结 |
| 1.4 论文研究内容及意义 |
| 第2章 水冷包层实验模块设计 |
| 2.1 设计准则与分析工具 |
| 2.1.1 模块设计准则 |
| 2.1.2 输运模拟工具 |
| 2.1.3 活化分析工具 |
| 2.1.4 聚变评价中子数据库 |
| 2.2 WCCB原型包层设计 |
| 2.3 双层氚增殖层模块设计方案 |
| 2.3.1 总体设计 |
| 2.3.2 中子学分析 |
| 2.3.3 敏感性分析 |
| 2.4 双层氚增殖层模块改进方案 |
| 2.4.1 改进的方案 |
| 2.4.2 中子学分析 |
| 2.4.3 活化分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 活化法中子测量技术路线与方法程序 |
| 3.1 技术路线 |
| 3.2 关键程序与方法 |
| 3.2.1 多群截面加工 |
| 3.2.2 中子能谱反卷积算法 |
| 3.2.3 多群截面-反卷积方法耦合 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 活化法中子测量不确定度研究 |
| 4.1 ~（252)Cf中子源下聚乙烯慢化体内中子测量实验 |
| 4.1.1 实验过程与参数 |
| 4.1.2 测量结果与分析 |
| 4.2 DT中子源下聚乙烯慢化体内中子测量实验 |
| 4.2.1 实验过程与参数 |
| 4.2.2 测量结果与分析 |
| 4.3 DT中子源下石墨慢化体内中子测量实验 |
| 4.3.1 实验过程与参数 |
| 4.3.2 测量结果与分析 |
| 4.4 活化法总结与不确定度分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 包层实验模块中子学实验 |
| 5.1 中子学实验平台 |
| 5.2 单层材料泄露谱实验 |
| 5.2.1 钛酸锂板泄露谱 |
| 5.2.2 铍板泄露谱 |
| 5.3 模块中子学实验 |
| 5.3.1 部件参数与布局 |
| 5.3.2 实验布局 |
| 5.3.3 活化法测量实验结果与分析 |
| 5.3.4 活化法与其他方法结果验证 |
| 5.3.5 锂玻璃在线液闪测量结果 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 本文总结 |
| 6.2 本文特色与创新 |
| 6.3 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（2）9Be（d,n）和9Be（p,n）反应加速器中子源中子学特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 中子源类型及特点综述 |
| 1.2.1 放射性核素中子源 |
| 1.2.2 反应堆中子源 |
| 1.2.3 加速器中子源 |
| 1.3 聚变堆结构材料用中子源发展现状 |
| 1.4 ~~9Be(d,n)反应中子学特性研究现状及进一步研究的必要性 |
| 1.5 论文主要研究内容及结构 |
| 第二章 ~9Be(d,n)反应相关理论及厚靶~9Be(d,n)中子源中子特性参数计算方法.. |
| 2.1~~9Be(d,n)反应的基本理论 |
| 2.2 薄铍靶中子源中子特性的计算方法 |
| 2.2.1 薄铍靶中子能谱的计算方法 |
| 2.2.2 薄铍靶中子角分布的计算方法 |
| 2.2.3 薄铍靶积分中子产额的计算方法 |
| 2.3 厚铍靶~9Be(d,n)反应中子源中子特性计算方法 |
| 2.3.1 第一层薄靶中产生的中子特性参数 |
| 2.3.2 第二层薄靶中产生的中子特性参数 |
| 2.3.3 第i层薄靶中产生的中子特性参数 |
| 2.3.4 厚铍靶的中子能谱、中子角分布以及积分中子产额 |
| 2.4 氘离子在厚铍靶中的阻止本领 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 ~9Be(d,n)反应双微分截面和厚靶~9Be(d,n)中子源中子特性参数计算 |
| 3.1 TALYS程序及对~9Be(d,n)反应双微分截面的计算 |
| 3.1.1 TALYS程序简介 |
| 3.1.2 采用TALYS程序对~9Be(d,n)反应双微分截面的计算与检验 |
| 3.2 基于TALYS双微分截面的厚靶~9Be(d,n)反应中子能谱计算 |
| 3.3 统计模型及对~9Be(d,n)反应双微分截面的计算 |
| 3.3.1 统计模型简介 |
| 3.3.2 统计模型对~9Be(d,n)反应双微分截面的计算 |
| 3.4 厚靶~9Be(d,n)反应中子特性参数计算结果 |
| 3.4.1 厚靶~9Be(d,n)反应中子能谱 |
| 3.4.2 厚靶~9Be(d,n)反应中子角分布 |
| 3.4.3 厚靶~9Be(d,n)反应积分中子产额 |
| 3.5 厚靶D-Be反应中子源中子特性参数计算数据的不确定度分析 |
| 3.5.1 氘束流强度恒定引入的不确定度 |
| 3.5.2 阻止本领的不确定度 |
| 3.5.3 双微分截面的不确定度 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 Be颗粒靶条件下D-Be中子源相关问题的M-C模拟研究 |
| 4.1 CMIF斜槽颗粒靶介绍 |
| 4.2 MonteCarlo程序简介 |
| 4.2.1 MCNPX程序简介 |
| 4.2.2 PHITS程序简介 |
| 4.3 厚铍颗粒靶的中子学特性和热沉积分布 |
| 4.3.1 中子在厚铍颗粒靶中的增殖 |
| 4.3.2 厚铍颗粒靶的中子学特性 |
| 4.3.3 厚铍颗粒靶中的沉积功率 |
| 4.4 靶结构材料的辐照损伤和放射性分析 |
| 4.4.1 辐照损伤计算原理 |
| 4.4.2 背板的辐照损伤 |
| 4.4.3 靶及其结构材料的放射性分析 |
| 4.5 铁基样品上的辐照损伤 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 活化法p-Be反应加速器中子源中子能谱测量研究 |
| 5.1 p-Be反应的基本理论 |
| 5.2 阈活化法测量中子能谱的基本原理 |
| 5.3 活化片及核反应道的选择 |
| 5.4 HPGe-γ谱仪测量系统及刻度 |
| 5.4.1 HPGe-γ谱仪测量系统简介 |
| 5.4.2 HPGe-γ谱仪的能量刻度 |
| 5.4.3 HPGe-γ谱仪效率刻度 |
| 5.5 活化片辐照实验 |
| 5.5.1 p-Be反应加速器中子源及靶系统 |
| 5.5.2 活化片辐照过程 |
| 5.6 活化片的γ能谱测量 |
| 5.7 数据处理 |
| 5.7.1 单核饱和反应率及活度计算方法及理论 |
| 5.7.2 相关修正 |
| 5.7.3 单核反应率实验结果及讨论 |
| 5.7.4 辐照结束时刻活化片的放射性比活度实验结果及讨论 |
| 5.8 SAND-Ⅱ迭代解谱方法及中子能谱测量结果 |
| 5.8.1 SAND-Ⅱ程序及迭代解谱相关理论 |
| 5.8.2 迭代解谱相关数据准备 |
| 5.8.3 p-Be反应中子能谱实验结果及讨论 |
| 5.8.4 少群能谱和总通量实验结果及讨论 |
| 5.9 实验数据的不确定度分析 |
| 5.9.1 反应截面的不确定度 |
| 5.9.2 初始输入谱的不确定度 |
| 5.9.3 单核饱和反应率的不确定度 |
| 5.10 本章小结 |
| 第六章 总结和展望 |
| 6.1 主要工作总结 |
| 6.2 下一步工作的展望 |
| 参考文献 |
| 在校期间的科研成果 |
| 致谢 |
（3）活化法测量散裂靶中子能谱的实验验证（论文提纲范文）
| 1原理和实验 |
| 1.1活化法基本原理 |
| 1.2实验 |
| 2测量结果和解谱 |
| 3分析与讨论 |
| 4结论 |
（4）测量反应堆快中子注量率的电流型宽禁带半导体探测器设计（论文提纲范文）
| 1 补偿式探测结构原理及设计 |
| 1.1 中子响应特性模拟 |
| 1.2 γ射线响应特性模拟 |
| 1.3 并联补偿结构的改进 |
| 2 西安脉冲堆1#径向孔道快中子注量率测量 |
| 2.1 探测器的平均响应 |
| 2.2 测量结果 |
| 3 小结 |
（5）西安脉冲堆大空间中子辐照实验平台辐射场参数测量（论文提纲范文）
| 1 大空间中子辐照实验平台设计指标 |
| 2 中子能谱测量 |
| 2.1 初始谱计算 |
| 2.2 实验测量 |
| 2.3 解谱方法 |
| 2.4 解谱结果与分析 |
| 2.5 不确定度讨论 |
| 3 γ射线吸收剂量率测量 |
| 4 测量结果 |
| 5 结论 |
（6）临界装置中子能谱测量（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 临界装置中子能谱测量的意义 |
| 1.1.1 临界装置简介 |
| 1.1.2 临界装置中子能谱测量的重要性 |
| 1.2 临界装置中子能谱测量的发展和现状 |
| 1.2.1 SPR-Ⅲ |
| 1.2.2 Godiva |
| 1.2.3 CFBR-Ⅱ |
| 1.3 临界装置中子能谱测量方法概述 |
| 1.3.1 ~6Li反应法 |
| 1.3.2 ~3He反应法 |
| 1.3.3 活化法 |
| 1.4 现有条件 |
| 1.5 论文结构 |
| 第二章 临界装置的中子能谱分析 |
| 2.1 纯裂变谱 |
| 2.2 快中子临界装置的中子能谱 |
| 2.3 分能段测量中子注量率 |
| 2.3.1 探测器 |
| 2.3.2 实验测量及结果 |
| 2.3.3 分析和讨论 |
| 2.4 小结 |
| 第三章 活化法测量中子能谱 |
| 3.1 基本原理及解谱方法 |
| 3.1.1 活化法基本原理 |
| 3.1.2 活化法的解谱方法 |
| 3.2 实验 |
| 3.2.1 活化箔选择 |
| 3.2.2 实验过程 |
| 3.2.3 实验结果 |
| 3.2.4 分析与讨论 |
| 3.3 活化箔的单核反应率测量不确定度分析 |
| 3.4 造成能谱测量不确定的因素分析及改进建议 |
| 3.4.1 中子能谱不确定度基本定义 |
| 3.4.2 活化法测量中子能谱的不确定度主要来源 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 球形~3HE计数管测量快中子临界装置中子能谱实验设计 |
| 4.1 原理 |
| 4.2 单能中子响应函数测量实验 |
| 4.2.1 探测器 |
| 4.2.2 响应函数测量实验设计 |
| 4.2.3 实验测量 |
| 4.2.4 测量结果 |
| 4.3 分析和临界装置能谱实验设计 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 进步与创新 |
| 5.3 问题与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录：发表学术论文与参加学术交流情况 |
| 附录A：攻读硕士期间发表的学位论文 |
| 附录B：攻读硕士期间参加的学术交流会议 |
| 附录C：攻读硕士期间参加的学术报告 |
（7）钍基熔盐堆中子能谱测量方法的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 图目录 |
| 表目录 |
| 第一章 引言 |
| 1.1 熔盐堆建造的背景 |
| 1.2 熔盐堆研究的历史 |
| 1.3 中子能谱测量的意义 |
| 1.4 研究内容 |
| 第二章 中子能谱的理论计算方法 |
| 2.1 中子输运方程 |
| 2.2 中子输运方程的数值计算方法 |
| 2.2.1 确定论数值计算方法 |
| 2.2.2 非确定论数值计算方法 |
| 2.3 MCNP 的介绍 |
| 第三章 中子能谱的测量方法 |
| 3.1 探测中子的原理 |
| 3.1.1 核反应 |
| 3.1.2 核反冲 |
| 3.1.3 核裂变 |
| 3.1.4 活化 |
| 3.2 中子能谱测量的历史与现状 |
| 3.3 中子能谱仪 |
| 3.3.1 性能参数 |
| 3.3.2 飞行时间谱仪 |
| 3.3.3 反冲质子谱仪 |
| 3.3.4 3He 谱仪 |
| 3.3.5 6Li 谱仪 |
| 3.3.6 Bonner 球中子谱仪 |
| 3.3.7 活化探测器 |
| 第四章 活化法测量中子能谱 |
| 4.1 活化法测量中子能谱的基本原理 |
| 4.1.1 中子能谱模拟计算单核反应率 |
| 4.1.2 实验测定单核反应率的过程 |
| 4.2 基于活化法的中子能谱求解方法 |
| 4.2.1 迭代法 |
| 4.2.2 待定系数法 |
| 4.2.3 蒙特卡罗法 |
| 4.3 解谱程序 |
| 4.3.1 SAND-Ⅱ程序 |
| 4.3.2 MSIT 程序 |
| 4.4 群截面的加工 |
| 4.4.1 厚度对群截面的影响 |
| 4.4.2 温度对群截面的影响 |
| 第五章 活化材料与高纯锗探测器的研究 |
| 5.1 活化材料的选择原则 |
| 5.2 活化箔的制备 |
| 5.3 高纯锗探测器 |
| 5.3.1 探测效率的定义 |
| 5.3.2 HPGe 探测器探测效率的实验刻度 |
| 5.4 高纯锗探测器 |
| 5.4.1 建立模型 |
| 5.4.2 面源与点源探测效率的比较 |
| 5.5 源的自吸收 |
| 第六章 活化法测量中子能谱的实验 |
| 6.1 西安脉冲堆辐照实验 |
| 6.1.1 西安脉冲堆简介 |
| 6.1.2 实验测定单核反应率 |
| 6.1.3 SAND-Ⅱ和 MSIT 解谱结果 |
| 6.1.4 SAND-Ⅱ中平滑处理对解谱结果的影响 |
| 6.1.5 解谱结果的不确定度分析 |
| 6.1.6 初始谱对解谱结果的影响 |
| 6.1.7 中子能谱的估算 |
| 6.2 原型微堆内辐照座中子能谱的测量 |
| 6.2.1 原型微堆简介 |
| 6.2.2 原型微堆内辐照座中子能谱的模拟计算 |
| 6.2.3 实验过程及解谱结果 |
| 6.3 测量结果的偏差来源 |
| 第七章 拟建反应堆中子能谱的理论计算与测量方案 |
| 7.1 拟建反应堆简介 |
| 7.2 拟建反应堆反射层内中子能谱的模拟计算 |
| 7.3 拟建反应堆堆芯内中子能谱的模拟计算 |
| 7.4 测量方案 |
| 7.4.1 所采用的活化材料 |
| 7.4.2 所采用的“兔盒” |
| 第八章 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
| 文章发表情况 |
| 致谢 |
（9）商用三端稳压器的中子辐射效应（论文提纲范文）
| 1实验原理及测试方法 |
| 2 实验结果 |
| 3 结果分析 |
| 4 结论 |
四、多箔活化法测量铀氢锆脉冲堆辐照腔中子注量谱（论文参考文献）
- [1]CFETR水冷包层中子学模块设计与实验研究[D]. 陈舞辉. 中国科学技术大学, 2020
- [2]9Be（d,n）和9Be（p,n）反应加速器中子源中子学特性研究[D]. 张雅玲. 兰州大学, 2018(11)
- [3]活化法测量散裂靶中子能谱的实验验证[J]. 曾丽娜,王强,艾自辉,郑春. 原子能科学技术, 2015(04)
- [4]测量反应堆快中子注量率的电流型宽禁带半导体探测器设计[J]. 苏春磊,欧阳晓平,李达,刘洋,宋晓靓,余小任,欧阳潇. 原子能科学技术, 2014(12)
- [5]西安脉冲堆大空间中子辐照实验平台辐射场参数测量[J]. 李达,张文首,江新标,仲云红,于青玉,长孙永刚,苗亮亮,马燕,朱广宁,张强,苏春磊,余小任,宋晓靓. 原子能科学技术, 2014(07)
- [6]临界装置中子能谱测量[D]. 曾丽娜. 中国工程物理研究院, 2014(03)
- [7]钍基熔盐堆中子能谱测量方法的研究[D]. 周雪梅. 中国科学院研究生院（上海应用物理研究所）, 2013(10)
- [8]晶体管中子损伤常数的测量以及不确定度分析[J]. 白小燕,林东生,杨善潮,李达,刘岩,金晓明,王桂珍. 半导体技术, 2012(01)
- [9]商用三端稳压器的中子辐射效应[J]. 白小燕,彭宏论,林东生,陈伟,李瑞宾,王桂珍,杨善潮,李斌,郭晓强. 核电子学与探测技术, 2010(09)
- [10]3He半导体夹心谱仪解谱方法理论探讨[J]. 杨宁,江新标,张文首,温海兵. 核电子学与探测技术, 2009(06)