一、Ag纳米颗粒与纳米结构薄膜的研究进展（论文文献综述）
李海龙,杨盛谊,张珍衡,胡津铭,蒋玉蓉,唐利斌[1]（2021）在《该用何种金属纳米颗粒来提升硅薄膜太阳电池的效率？》文中进行了进一步梳理提升光电转换效率一直是太阳电池领域的主要研究方向。基于等离激元共振效应提高硅薄膜太阳电池效率是一种行之有效的技术和手段。入射光在金属/半导体界面处产生的等离激元增强散射机制能有效增强有源层对入射太阳光的吸收,从而提高能量转换效率。本文从介绍太阳电池的工作机制及基本参数入手,综述了利用金属纳米颗粒及化合物纳米材料、等离子体激元、表面钝化、光栅和陷光结构等提升硅薄膜太阳电池效率的研究进展。综合不同金属（Au、Ag和Al等）纳米颗粒对提升单晶硅薄膜太阳电池效率的效果及成本因素,肯定了用Al纳米颗粒提升单晶硅薄膜太阳电池效率的可行性及重要意义。
沈洁莲[2]（2021）在《基于阳极氧化铝模板的表面等离激元光电探测器》文中研究说明光电探测器作为一种对特定波段信号探测的一类光电器件,被广泛应用于可见光成像、红外遥感、光通信等领域中。新型的纳米结构表面等离激元光电探测器能够激发丰富的局域光学共振模式,具有光吸收效率高、吸收光谱范围可调等优点。为了实现低成本制备纳米结构、有效控制纳米结构的形貌大小及分布位置,本研究采用了自制的双通阳极氧化铝（AAO）模板作为掩膜,制备了颗粒型表面等离激元光电探测器。由于AAO掩膜的结构参数决定了纳米颗粒的形貌参数,本文分别对自组织生长的单通AAO模板以及去除阻挡层的双通AAO模板的制备工艺条件进行了优化探索。在此基础上,利用自制的双通AAO模板沉积金属纳米颗粒,并将其应用到4H-Si C薄膜光电探测器中,提高器件的亮电流、拓宽响应谱。主要的研究成果如下:（1）对于AAO模板:通过对单通AAO模板的制备条件,包括氧化时间、扩孔时间、添加剂浓度等优化,成功制备了较为有序的周期为100 nm以及周期为500 nm的单通AAO模板。然后,利用聚合物保护AAO模板,结合低成本的化学腐蚀法成功制备了周期100 nm、孔径约75 nm以及周期500 nm、孔径约300 nm的双通AAO模板。（2）基于双通AAO模板的颗粒型表面等离激元高性能光电探测器:利用双通AAO模板作为掩膜,在4H-Si C基底上进行蒸镀,成功制备了颗粒大小为300 nm、高度为80nm的Ag纳米颗粒,将薄膜的吸收从400 nm以下拓宽到了近红外波段。由于金属纳米颗粒能够激发表面等离激元热电子,从而提高了Si C光电探测器在375 nm、565 nm、660 nm、850 nm波长下的亮电流。此外,在可见光-近红外的范围内器件的响应率与探测率均有所提高,在1100 nm波长下器件的响应率与探测率分别由2.05×10-3 m A/W、5.61×108 Jones上升至1.11×10-1 m A/W、3.02×1010 Jones,将器件的响应谱由200-400 nm拓宽到200-1100 nm。总之,本论文提出了双通AAO模板制备表面等离激元光电探测器,实现了紫光下亮电流的提升,将器件的响应谱拓宽到了近红外。本工作内容为今后拓宽光电探测器吸收光谱、提高响应率等方面的研究提供参考。
谢金麒[3]（2021）在《化学铜及其原位衍生的微纳米阵列在电子器件中的应用研究》文中研究指明化学铜因其具有优异的导电性,强的抗电迁移能力以及较低的材料成本而作为目前电子设备中常用的导电材料。化学铜通常是以镀层的形式均匀地沉积在衬底表面的,其适合的沉积对象包括导体、半导体与绝缘材料。这种可将绝缘材料表面金属化的能力使得化学铜常作为导电互连材料应用于印制电路板（PCB）,柔性电路（FCB）以及大规模集成电路（IC）中,是实现电子设备高密度封装的关键材料之一。近年来,越来越多的研究者开始对化学铜在电子领域中的应用展开了更为前瞻性的研究,其中大部分的研究是通过设计各种化学铜图案用以构筑电子线路、平面型电极以及简易的平面型电子器件。然而,这些由化学铜图案构筑的电子材料与器件大多只是基于金属铜材料自身特性的简单应用与拓展,因此相应的应用范围和功能都非常有限。相比而言,金属铜的各种衍生材料的应用则更趋于多元化,目前已广泛应用于储能、热电、光电、传感等多个领域中。随着消费类电子产品不断向着小型化,多功能化,高集成化的方向发展,如何在化学铜自身特性及其衍生材料的多功能性的基础上,进一步探索化学铜的发展途径显得愈发重要,这对于电子材料与器件的制备、集成与封装工艺的优化具有重要的意义。本论文在对国内外化学铜材料研究现状进行分析以及对未来化学铜及其衍生材料的发展趋势与挑战进行归纳的基础上,通过多种技术交叉结合,对化学铜材料进行了各种设计和转化。在开发高效廉价的化学镀铜催化剂的基础上,发展了简易、普适的印刷电路“加成法”制备技术。进一步地,基于这种化学铜镀层与图案的制备工艺及其原位衍生微纳米阵列材料的多功能性,发展了各类化学铜衍生电子材料与器件的原位制备与集成技术,为优化电子材料与器件的集成与制备工序以及推动化学铜材料通往多元化应用的进程提供了新的思路与发展途径。主要的研究工作归纳为如下几点:1.鉴于目前电子工业上缺乏高效、廉价的化学镀铜催化剂的现状,本文以降低材料成本,提高生产效率以及减少环境污染为目标,提出了一种简易的乙醇溶剂热合成方法,制备了一种廉价、高效的Sn/Ag纳米复合催化剂。通过石英晶体微天平定量分析了催化剂的对化学镀铜反应的催化活性,并进一步探讨了金属Sn载体对Ag的催化活性的影响。研究发现金属Sn在作为防止Ag颗粒团聚的载体的同时,对Ag的催化活性也有着显着的促进作用。所制备的Sn/Ag复合催化剂的活性接近于商用Pd黑,满足了化学镀铜反应对催化剂活性的要求。同时,制备该催化剂的原料廉价易得,制备过程无毒无污染,兼顾了经济效益与环境保护。2.针对目前常用于制备印刷电路的光刻技术（“减法策略”）在工序上的复杂性,以及刻蚀过程中带来的大量原料消耗以及环境污染等问题,本文提出了一种简易、通用的“加成法”用于化学铜导电图形的制备。基于化学铜催化沉积的特点,采用环氧复合催化剂,结合丝网印刷技术与化学镀铜工艺,成功地在一系列硬质与柔性衬底上实现了优质的化学铜导电图形,其中包括硬质的商用PCB环氧基板,柔性的聚酰亚胺薄膜（PI;商用柔性电路基材）,透明的聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）膜,耐热的聚四氟乙烯（PTFE）膜,可穿戴的棉质织物以及纸质基材。研究发现通过该工艺所制备的铜镀层具有接近块体铜的导电性、优异的柔韧性以及与基板之间良好的结合力。此外,该工艺操作简单易行,具有高度的可操作性和可调节性,适合于各种电子设备中的电子线路,电极图案的制备,同时为后续研究中进一步设计和制备各种功能性平面型电子器件提供了技术基础。3.针对现有微电容器件在电极加工以及活性电极材料结构设计方面存在的短板,同时为了优化微电容器件在电子设备中的集成工序,本文设计了一种可原位集成的微电容器件。通过简单的化学浸泡处理,设计好的化学铜电极图案表面可原位转化为具有阵列结构的Cu（OH）2@Fe OOH亚微米管电极活性材料。研究结果表明,这种亚微米管活性材料具有极大的比表面积(224 m2 g-1)以及非常优异的电解质亲和性。此外,由于活性材料原位衍生于化学铜集流体表面,因此两者之间结合非常紧密。得益于电极与活性材料结构的合理设计,所构筑的微电容器件实现了高的比电容量,高的能量密度以及优异的柔韧性。在器件制备工艺方面,电子电路与微电容电极同属于金属铜图形,使得微电容器件在电路中实现原位制备与集成成为了可能,推动了微电容器件在电子设备中应用的进程。4.针对目前传统的涂布、抽滤、直接印刷等热电薄膜制备技术在热电材料结构设计与性能上的不足,本文提出了一种基于化学铜镀膜原位转化的新型热电薄膜制备与成膜工艺,开发了一种具有纳米片阵列结构的p型Cu2Se高效热电薄膜。在热电性能方面,所制备的Cu2Se纳米片阵列结构同时具备原子级（阳离子空位）,纳米级（片厚）以及微米级（片宽）的宽尺度范围,可有效地散射不同波长范围的声子,从而实现优异的热电性能（ZT:0.5）与极低的热导率(0.13 W m-1 K-1)。在柔性薄膜构筑方面,通过在多孔PI基材上原位制备的方式使热电薄膜根植于衬底中,从而实现了附着力与柔性俱佳的热电薄膜。此外,这种原位制备与设计热电薄膜的工艺简单易行,材料与制备成本较低,为柔性热电薄膜的设计与应用展现了新的思路与途径。5.可印刷的热电器件因其简单灵巧的制备技术在批量生产以及器件设计方面具有独特的优势,但直接印刷的技术难以对热电材料的结构进行合理调控与加工,不利于材料与器件在热电性能上的进一步优化。此外,印刷热电器件与印刷电路在构筑工序上的差异给热电器件在电子设备中的集成应用造成了较大阻碍。鉴于此,本文发展了一种可原位集成的热电器件构筑技术。在化学铜图案的基础上,依次采用硒化处理与阳离子交换技术制备了一种pCu2Se-nAg2Se热电器件。由p型Cu2Se薄膜进一步转化得来的n型Ag2Se薄膜同样具备独特的纳米片阵列结构,也同样地表现出了极低的热导率(0.15 W m-1 K-1)与优异的热电性能（ZT:0.7）。此外,通过在多孔PI基材上原位制备的方式使热电薄膜根植于衬底中,从而实现了附着力与柔性俱佳的Ag2Se热电薄膜以及pCu2Se-nAg2Se热电器件。这一项研究展示了一种可在铜基电子线路系统中原位制备和集成高性能热电器件的可行途径,促进了热电器件在电子领域中的发展与集成应用。
郭小星[4]（2021）在《基于Ag@SiO2核壳纳米复合功能层的有机浮栅存储器研究》文中研究说明近年来,随着有机电子学基础研究的深入,有机存储器件的研究得到了快速的发展。其中,有机浮栅存储器的结构设计和存储机理研究均较为成熟（闪存）,且其具有可低温溶液处理以及有望作为信息存储单元而应用于柔性电子技术领域等优势,因而成为研究重点。然而,当前有机浮栅存储器的研究仍存在功能层材料价格昂贵、堆叠结构器件制备过程繁琐以及器件存储性能可靠性差等问题。针对有机浮栅存储器研究过程中面临的上述问题,本文从引入廉价高性能功能层材料、优化器件结构和引入适当的辅助优化手段三个方面进行了有机浮栅存储器的研究,主要研究工作如下:首先,采用柠檬酸钠还原法和Stober法分别进行浮栅纳米功能层材料Ag纳米颗粒和Ag@SiO2核壳纳米球的制备,Ag纳米颗粒的制备工艺简单成熟,且同时具有价格低廉和电荷俘获能力好的特点。其次,利用所制备的浮栅纳米功能层材料进行Ag-PMMA堆叠结构器件和Ag@SiO2核壳纳米复合功能层器件的制备和存储性能对比研究,研究结果表明,采用较小粒径Ag纳米颗粒和较薄隧穿层的器件均获得了最优的的存储特性。两种结构器件的对比研究发现,Ag@SiO2器件具有更加简化的制备步骤,并且其存储性能更优,这是由于Ag@SiO2浮栅-隧穿复合功能层材料具有包裹型隧穿层,其能够降低存储电荷侧向泄漏的几率,并为器件保持特性的进一步优化创造条件。最后,为了优化Ag@SiO2复合功能层器件的电脉冲擦除特性,我们在器件的擦除操作过程中引入了适当的光辅助信号,研究了器件的光响应特性和光辅助擦除特性,同时对光辅助擦除过程中载流子的隧穿转移机理提出了合理的解释。研究结果表明,395 nm紫外光更加适用于器件的光辅助电脉冲擦除过程,在二氧化硅壳层平均厚度5 nm的Ag@SiO2器件中实现了36.1 V的存储窗口,104 s后器件存储电荷保持度达到66%。在零栅偏置下进行紫外光擦除时,该器件也获得了良好的非易失性紫外光擦除性能,这说明光信号可以独立地作为器件的擦除操作信号,即Ag@SiO2器件不仅具有紫外光信号响应能力,同时也能将紫外光信号进行存储。这种有机浮栅存储器的制备和研究方案将为紫外光传感-存储多功能器件的研制提供新的思路。
李明成[5]（2021）在《TiN/Ag复合薄膜的制备及其SPR效应研究》文中进行了进一步梳理表面等离子体共振（SPR）技术能够精确地测量邻近金属膜的介质的折射率变化,已经被广泛用于传感器领域。TiN作为一种成本低、稳定性好、光学性能可调且与CMOS工艺兼容的新型等离子体材料,成为近期研究的热点。本文以TiN薄膜作为主体,采用棱镜耦合的方式产生表面等离子体共振（SPR）现象,棱镜和基底都采用BK7玻璃。具体研究内容如下:1.通过改进制备条件得到了具有等离子体特性的TiN薄膜,在空气中能产生明显的SPR现象,研究表明,能够作为等离子体材料的TiN薄膜需要在高温、低本底真空条件下沉积,且对氮气氩气流量比敏感。2.TiN:Ag薄膜中的Ag以纳米颗粒的形式存在于薄膜中,TiN:Ag薄膜的SPR图谱相较于单层TiN薄膜表现出更小的共振峰半高宽（FWHM）,随着Ag含量的增加,共振波长红移。3.制备具有纳米结构的Ag,并在其上沉积TiN薄膜制得纳米结构Ag/TiN薄膜拥有表面纳米结构,制得的纳米结构Ag/TiN薄膜能够产生表面增强拉曼光谱（SERS）现象,相较于TiN:Ag薄膜,灵敏度也得到了提高。4.利用单层Ag和单层TiN薄膜叠层制备成Ag/TiN双曲超材料,实验和仿真结果表明该材料对折射率变化非常敏感。
李子琦[6]（2020）在《飞秒激光与低维材料及介电晶体相互作用及其应用》文中指出激光技术是20世纪人类最伟大的发明之一,在科研、工业、医疗、国防等众多领域有着广泛的应用。按照工作模式进行划分,激光可以分为连续激光和脉冲激光。得益于锁模技术的发展,在时间尺度上激光单脉冲的持续时间可被压缩到飞秒量级。相较于传统的连续激光,飞秒激光具有脉冲宽度极短、峰值功率极高以及覆盖频谱范围极广等特点。飞秒激光脉冲与凝聚态物质的超快相互作用,为解决当代物理、化学和生物等领域内的重大挑战提供了强有力的工具。飞秒激光与低维材料的相互作用为探索自然界的不同物质的物理化学性质提供了一种全新的工具途径。随着电子被限制在纳米尺度范围内运动,低维纳米材料,包括例如零维纳米颗粒、一维纳米管和二维层状材料等,表现出了三维体材料所不具备的反常物理性质。飞秒激光泵浦探测技术可以在飞秒量级实时地观测低维凝聚态系统中非平衡态的时间演化,其中包括载流子动力学、声子动力学、电荷密度波和自旋能谷特性。飞秒激光Z扫描光谱可以得到低维材料的三阶非线性光学参数（如饱和强度、调制深度）,对脉冲激光的实现有着重要的指导作用。飞秒激光与介电晶体材料的相互作用打开了通向微型、多种功能集成光学器件的大门。作为集成光子学系统中的基本元件之一,光波导是由高折射率区域被低折射率区域包裹所构成的微结构通道,光信号在其中可以实现无衍射传输。作为波导器件的重要基质材料,介电晶体由于其具有种类丰富、功能多样等优点,被广泛应用于固态激光、非线性光学、量子光学等领域。近年来,利用飞秒激光对介电晶体进行直写从而制备光波导的研究引起了科研人员的广泛的关注。在飞秒激光与透明光学材料晶体相互作用过程中,飞秒激光脉冲的能量通过非线性吸收过程沉积到进入材料内部,引发局域性折射率改变,结合飞秒激光加工系统的优势,可以制备出不同类型的三维光波导结构。低维材料与介电晶体光波导的巧妙结合可以形成新型集成光学器件,如波导脉冲激光器。它们的结合方式主要有两种:一种是通过透射模式结合,另一种是通过倏逝场吸收来实现结合。由于在波导结构中,入射光被限制在微米量级的空间范围内传输,因此波导脉冲激光器具有高效率、体积小、可集成、稳定性高等优点。结合不同种类激光晶体、不同类型光波导和不同维度纳米材料,可以实现基于波导平台的不同光波段（可见光与近红外波段）和不同工作模式（调Q与锁模）的脉冲激光器,扩展了波导激光的应用范围。本论文的主要内容包括利用飞秒激光研究低维纳米材料的超快非平衡态动力学过程;利用飞秒激光研究低维纳米材料的非线性吸收性质;利用飞秒激光微加工技术直写光波导结构;利用离子注入技术在介电晶体材料中合成金属纳米颗粒以及光波导结构与低维纳米材料结合实现波导脉冲激光的产生。根据实验技术和选用纳米材料种类的不同,可以将本论文的主要研究内容和结果总结如下:半导体中的准粒子激发和多体相互作用是理解凝聚态物理和材料科学的基础,在光子技术中也有着巨大的应用潜力。利用化学气相沉积技术（Chemical vapor deposition,CVD）,在石英基底上制备出大尺寸、高质量的二硒化钯（PdSe2）薄膜。通过超低波数拉曼实验,发现了 PdSe2具有与其他二维材料相比不同的反常层间的相互作用。通过飞秒激光脉冲触发PdSe2的非平衡态,观测到A激子的能带重整化效应,激子共振峰改变量达到了 180 meV。利用多体微扰理论,解释了飞秒激光激发的载流子诱导能带减少的物理规律。此外,利用飞秒激光脉冲相干地驱动PdSe2层间和层内的太赫兹（THz）量级原子振荡。其中,诱导的层内原子振荡频率为4.3 THz,层间相干声子振荡频率为0.35 THz。结合自由载流子的能带重整化效应,实现了对能带的4.3 THz的超高重复频率调制。通过宽带泵浦探测技术和第一性原理计算,构建了电子-声子、激子-声子耦合的直观的微观图像,揭示了层内和层间两种不同的相干声子与不同类型电子激发的耦合规律。利用低能银离子注入技术,在钒酸钇（YVO4）晶体内部制备球形银（Ag）纳米颗粒。通过截面透射电子显微镜和线性吸收谱,证明了嵌入式纳米颗粒的成功合成以及其具备的局域表面等离激元共振效应。基于飞秒激光瞬态吸收实验,揭示了 Ag:YVO4复合结构在可见光到近红外范围的载流子动力学过程。基于飞秒激光Z扫描光谱,证明了嵌入银纳米颗粒的复合结构在近红外波段具有优异的饱和吸收特性,可被应用于超快光开关。利用飞秒激光与YVO4晶体的相互作用,我们首次在Nd:YVO4晶体中制备了类光子晶格包层光波导,且波导区域的荧光特性得到了完好的保留。基于嵌入式纳米颗粒与光波导结构,实现了1μm波段调Q激光的产生,其峰值功率达到298 mW。具有高重复频率,特别是重复频率在1 GHz以上的锁模激光器在很多领域有着巨大的应用价值,比如精密计量学、超快非线性光谱学和高速光通信等。利用飞秒激光与YVO4晶体的相互作用,我们在Nd:YVO4晶体中制备了圆形的包层光波导结构。利用石墨烯、MoS2和Bi2Se3三种典型二维材料作为可饱和吸收体,在808 nm激光泵浦下的Nd:YVO4晶体光波导中实现了 6.5 GHz超高基频重复频率调Q锁模脉冲激光输出,三者信噪比均大于50 dB,最短脉冲宽度达到26 ps。探索具有优异非线性光学特性的新型二维材料将有助于提高波导脉冲激光的性能。基于新型的石墨烯/WS2异质结结构和飞秒激光直写的Nd:YVO4晶体光波导,我们实现了工作波长为1064 nm的高效被动调Q波导激光器,最大输出功率为275 mW,斜效率为37%。与相同条件下单一石墨烯或WS2饱和吸收体相比,基于石墨烯/WS2异质结的波导脉冲激光输出具有更高的脉冲能量和更高的斜效率;借助金属纳米颗粒对二维材料进行修饰,可以提升其光学性质和器件性能。利用激光液相烧蚀法在石墨烯表面合成了 Ag2S@Ag纳米复合材料。通过飞秒激光Z扫描光谱,Ag纳米颗粒修饰的石墨烯的非线性光学性能有了显着的提升,饱和强度降低了 56倍,调制深度增大了 19倍。基于更高的调制深度和更低的饱和强度,我们将其应用在Nd:YVO4包层光波导平台中,得到了更短的锁模脉冲;从理论和实验上系统性地研究了新型二维材料二硒化铼（ReSe2）的物理性质,并通过超快Z扫描技术发现其相比其他二维材料具有更低饱和强度和调制深度,这表明ReSe2更易于在波导平台中实现连续锁模脉冲。实验上,我们进一步实现了基于ReSe2被动连续锁模波导激光器,产生了脉宽为29 ps,工作频率为6.5 GHz的超高重复频率连续锁模脉冲激光。利用飞秒激光微纳加工技术,在偏硼酸钡（β-BBO）晶体中制备出微米量级不同尺寸的圆形包层光波导结构。基于端面耦合系统,测量了各个波导在400 nm与800 nm波长的传输损耗及近场光强分布。研究发现基于β-BBO晶体的包层光波导在400 nm与800 nm波长的TM偏振方向显示出良好的传输特性。在800 nm波长下,最小传输损耗为0.19 dB/cm,并且共聚焦显微拉曼技术展示出波导区域的物理性质得到了较好的保留。使用Rsoft（?）软件,模拟了光波导在400 nm与800 nm波长下的传输特性。利用全飞秒激光微加工的方式,在掺钕钇铝石榴石（Nd:YAG）晶体中制备出不同类型的脊型光波导,包含了分支角度不同的Y分支型光波导器件。实验表明,全飞秒激光制备的脊型光波导同时支持TE和TM偏振传输,且具有较低的传输损耗。基于MoSe2作为可饱和吸收体,将Y分支器件与单片波导脉冲激光器件相集成,实现了 1 μm波段的调Q锁模脉冲输出,重复频率高达7.7 GHz。
霍德贤[7]（2020）在《三维SERS衬底的构筑及对有机污染物的敏感性》文中提出表面增强拉曼散射（SERS）具有响应速度快、灵敏度高以及指纹识别的特点,广泛应用在有机污染物、毒品等分子的检测领域。目前,SERS技术所面临的关键是如何构筑理想的衬底以获得重复性好,灵敏度高的SERS信号。本文以毒性有机污染物的检测为导向,构筑了灵敏度高、信号均匀的三维SERS衬底,并研究了三维SERS衬底在毒性有机污染物快速痕量检测中的应用。本论文的主要研究内容和创新性如下:1、利用聚苯乙烯（PS）微球模板制备了有序的Ag纳米颗粒修饰的ZnO纳米棒阵列。该阵列具有均匀分布的高密度SERS热点,有利于提高衬底的灵敏度,并且ZnO的化学增强作用与Ag的电磁场增强作用相结合,进一步提高衬底的SERS活性。该阵列以高灵敏度、高信号均匀性实现了对罗丹明6G、福美双和甲基对硫磷的检测。由于ZnO的光催化性能,此阵列可以实现自清洁。吸附在衬底上的分子可在紫外光照射下被催化降解,在检测中可重复使用,降低成本。2、以三维多孔氧化铝（AAO）为模板,制备了三维自支撑Ag纳米棒阵列。该阵列解决了直立纳米棒团聚导致SERS信号不均匀问题;直立与横向的Ag纳米棒交叉互联成三维网络结构,形成高密度SERS热点。因此,该三维自支撑阵列SERS灵敏度高,可检测到低至1 0-12 M浓度的R6G。同时实现了对痕量福美双和对氨基苯硫酚的检测,且浓度和特征峰强度之间具有较好的线性响应,为定量快速识别痕量污染物提供了新思路。3、以三维多孔AAO为模板,构筑了大面积有序的自支撑三维多孔Au纳米棒阵列。与实心纳米棒比,三维多孔阵列的SERS热点,不仅来自于相邻纳米棒之间的耦合电场,还来自于纳米棒上介孔处产生的局域电场,进而在整个衬底形成了均匀分布的三维热点;多孔Au纳米棒比实心纳米棒具有更大的比表面积,有利于分子吸附;横向纳米棒与直立纳米棒相互连接形成三维自支撑结构,避免了纳米棒的团聚,提高衬底的稳定性。因此,该SERS衬底灵敏度高和信号均匀,在毒性农药快速定量检测中有巨大的应用潜力。4、通过银镜反应,将高密度Ag纳米颗粒原位生长在细菌纤维素上,得到了Ag纳米颗粒修饰的细菌纤维素柔性复合衬底,并利用细菌纤维素的体积收缩特性提高了 Ag颗粒密度。高密度的Ag颗粒之间产生大量均匀分布的热点,因此,该结构的SERS灵敏度高,信号重复性好;亲水的细菌纤维素具有好的渗透性和吸附性,可将目标分子捕获到高活性区域,进一步提高衬底的SERS灵敏度。此外,该衬底在不同的检测条件下都表现出好的稳定性和柔性。因此,三维柔性Ag纳米颗粒@细菌纤维素衬底在分子快速检测和分析中表现出良好的应用前景。
吕媛媛[8]（2020）在《铜基氧化物/ZnO复合材料的制备及光电性能研究》文中提出在光电器件中,紫外探测器件的研究成为国内外广泛关注的热点。紫外光探测技术不仅可以应用于国防军事领域,还可以应用到人民的生活日常方面,包括环境、火焰辐照、生物分析等检测方面。一维ZnO半导体纳米材料的禁带宽度为3.37 eV,激子结合能为60 meV,与GaN相比较,其激子结合能较大,因此,一维ZnO半导体纳米材料的激子在室温下可以稳定存在,是制备短波长激光器、光电二极管（LED）和紫外光电探测器的理想材料。为了改善ZnO半导体纳米材料的光电特性,本论文利用本征呈现p型的半导体纳米材料（Si和CuO）与n型ZnO半导体纳米材料结合来引入异质结,通过不同材料界面的能带弯曲,促进光生载流子的分离,从而影响光生载流子的传输,提高ZnO半导体纳米材料的光电性能。本论文的主要研究内容如下:（1）采用溶胶-凝胶辅助水热法制备ZnO纳米棒阵列并测试其光电性能。采用正交实验设计,以光电灵敏度为指数,得到了其相对最优的工艺参数:溶胶-凝胶锌离子浓度为（0.3 mol/L）、水热[Zn2+]/[（CH2）6N4]浓度比为（1:3）、水热锌离子浓度为（0.05 mol/L）、水热反应温度为（90℃）。并对最有工艺制备的样品进行表征与分析,ZnO纳米棒阵列光电器件的暗电流为4.89?A,光电流为996.33?A,其光电灵敏度为203.7。之后以水热[Zn2+]/[（CH2）6N4]浓度比为单因素,制备ZnO纳米棒阵列并研究其光电特性。水热[Zn2+]/[（CH2）6N4]浓度比为1:2.5时,所制备的ZnO纳米棒阵列的光电性能相对较好,其暗电流为3.98?A,光电流为1045.77?A,光电灵敏度为262.8,光电响应上升时间为53.6 s,光电响应下降时间为139.8 s。（2）采用溶胶-凝胶辅助水热法和水溶液化学法在FTO衬底上生长ZnO纳米棒阵列和CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料并研究其光电性能。结果表明:ZnO纳米棒阵列和CuO@Zn O纳米棒阵列复合材料的光电灵敏度分别为153.6和380.37,且CuO@Zn O纳米棒阵列复合材料的光电上升时间和下降时间较ZnO纳米棒阵列小的多,这是因为ZnO和CuO形成了良好的pn结,其加速了光生电子和空穴的分离和复合。之后,采用单因素制备CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料并研究其对结构、形貌和光学的影响,并且优化出制备较好的CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料。得到了其相对最优的工艺参数:Cu2+浓度为（0.04 mol/L）、反应时间为（45 s）、Cu2+源为（CuSO4·5H2O）、反应温度为（常温）、退火温度为（500℃）。相对最优的参数所制备的CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光电器件的暗电流为0.057?A,光电流为138.65?A,其光电灵敏度为2432.4。光电响应上升时间为46 s,下降时间为40 s。（3）采用Sn,La和Sb对优化后的CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料进行不同浓度的掺杂,并研究其对样品结构、形貌、光学和紫外光电性能的影响。结果显示:当[Sn4+]/[Cu2+]浓度比为2%时,所制备的Sn掺杂CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光电器件的暗电流为0.038?A,光电流为141.52?A,其光电灵敏度为3724.2。与未掺杂的CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光电器件相比较,其光电性能较好。但是,当[Sn4+]/[Cu2+]浓度比增加到4%且继续增加时,较大浓度的Sn掺杂阻碍了水合铜离子[Cu（H2O）4]2+物质（络合物）吸附在ZnO纳米棒表面,ZnO纳米棒表面的CuO纳米片的含量降低,使其形成的异质结减小,因此,Sn掺杂的CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光电器件的光电流和光电灵敏度降低。La掺杂改变了ZnO纳米棒表面的CuO纳米材料的形貌,且引入了CuSO4物质。随着[La3+]/[Cu2+]浓度比的增加,ZnO纳米棒表面的CuO混合纳米片变为纳米线须状,La掺杂的CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光电器件的暗电流有效的降低,光电灵敏度有效的增大,但是光电流有所降低。当[La3+]/[Cu2+]浓度比为4%时,所制备的La掺杂CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光电器的暗电流为0.026?A,光电流为106.63?A,光电灵敏度为4101.1。Sb掺杂阻碍了水合铜离子[Cu（H2O）4]2+物质（络合物）吸附在ZnO纳米棒表面,随着[Sb3+]/[Cu2+]浓度比的增加,ZnO纳米棒表面的CuO纳米材料急剧减少到不存在,因此在高温退火后Sb3+离子吸附在Zn O纳米棒表面以替位形式代替晶格中的Zn2+,制备Sb表面掺杂的ZnO纳米棒阵列。当[Sb3+]/[Cu2+]浓度比为8%时,所制备的Sb掺杂ZnO纳米棒阵列光电器件的暗电流为2.638?A,光电流为1372.73?A,其光电灵敏度为520.3。相比于未掺杂的ZnO纳米棒阵列光电器件,其光电性能较好。将三种掺杂的样品结果进行比较分析,当[La3+]/[Cu2+]浓度比为4%时,所制备的La掺杂CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光电器件的光电性能较好。且对ZnO纳米棒阵列材料进行Sb掺杂也能增加其光电性能。（4）采用Ag和Au对优化后的ZnO纳米棒阵列和CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料进行修饰,并研究其对样品结构、形貌、光学和紫外光电性能的影响。结果显示:Ag表面修饰可以有效的提高ZnO纳米棒阵列光电器件的光电性能。随着Ag纳米颗粒含量和尺寸的增大,ZnO纳米棒阵列光电器件的暗电流先减小再增大,而光电流和光电灵敏度先增大再减小。当紫外光照射时间为150 min时,所制备的Ag表面修饰ZnO纳米棒阵列光电器件的暗电流为0.332?A,光电流为1395.75?A,光电灵敏度为4204.1。Ag表面修饰可以有效的提高CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光电器件的光电性能。随着Ag纳米颗粒的含量和尺寸的增大,Ag表面修饰CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光电器件的暗电流先减小后增大,光电流和光电灵敏度先增大再减小。当紫外光照射时间为120min时,所制备的Ag表面修饰CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光电器件的暗电流为、0.018?A,光电流为465.21?A,光电灵敏度为25845.0。Au表面修饰可以有效的提高ZnO纳米棒阵列光电器件的光电性能。随着Au纳米颗粒含量的增大,ZnO纳米棒阵列光电器件的暗电流先减小再增大,而光电流和光电灵敏度先增大再减小。当紫外光照射时间为40 min时,所制备的Au表面修饰ZnO纳米棒阵列光电器件的暗电流为0.151?A,光电流为1994.89?A,其光电灵敏度为13211.1。Au表面修饰可以有效的提高CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光电器件的光电性能。随着Au纳米颗粒的含量和尺寸的增大,Au表面修饰CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光电器件的暗电流先减小后增大,光电流和光电灵敏度先增大再减小。当紫外光照射时间为40 min时,所制备的Au表面修饰CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光电器件的暗电流为0.012?A,光电流分别为438.65?A,其光电灵敏度分别为36554.2。将Ag和Au修饰的ZnO纳米棒阵列的光电性能相比较,当紫外光照射时间为40 min时,所制备的Au表面修饰ZnO纳米棒阵列光电器件的暗电流相对最小,光电流为相对最大,其光电灵敏度为相对最大。将Ag和Au修饰的CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的光电性能相比较,当紫外光照射时间为40 min时,所制备的Au表面修饰CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料列光电器件的暗电流相对最小,光电流相对最大,其光电灵敏度相对最大。
周章洋[9]（2020）在《Ag/VO2复合薄膜的制备及性能研究》文中研究指明二氧化钒（VO2）薄膜在68℃附近发生金属-半导体可逆相变,同时伴随着光、电等性质的突变,使其在光电器件和智能窗方面有着广泛的应用前景。针对制约VO2在光电器件和智能窗应用的主要因素:相对室温较高的相变温度（Tc）、低的太阳能调制效率(ΔTsol)和固有的棕黄色,本文将Ag纳米周期阵列（Ag PPAs）嵌入VO2薄膜中,利用不同微纳结构以及不同尺寸的Ag PPAs所特有的局域表面等离子体共振特性（LSPR）,实现复合薄膜光学性能的有效调控,进一步稀释VO2薄膜的固有棕黄色;同时随着不同数量的金属Ag PPAs的引用,逐步降低VO2的相变温度。本文首先利用聚苯乙烯（PS）模板法在硅（Si）和石英基片（SiO2）上分别制备了不同尺寸的Ag PPAs,然后与结晶质量良好的单斜相VO2薄膜进行复合。通过调控VO2薄膜中Ag PPAs的尺寸,研究复合薄膜的光/电性能。从电阻率-温度（ρ-T）曲线来看,随着复合薄膜中Ag纳米颗粒比表面积的增大,Tc降低;进一步通过能带模型分析,发现随着Ag纳米颗粒比表面积增大,更多的自由电子注入到VO2膜中,在纳米金属-半导体结处吸收了更多的能量,诱发相变在较低温度处发生。从样品在Si基片的吸收光谱来看,随着Ag纳米颗粒的体积的减小,LSPR吸收峰发生蓝移,稀释了薄膜固有的棕黄色。从样品在SiO2基片上的透射光谱来看,随着嵌埋的Ag纳米颗粒体积的减小,薄膜ΔTsol从17.26%增大到27.86%。通过离子束刻蚀PS模板,改变PS模板球的大小和球间距,得到了一系列不同规格的PS模板,基于刻蚀获得的PS模板,采用电子束蒸镀法成功的将不同尺寸的Ag纳米网（Ag NNS）嵌埋进入VO2薄膜中,形成Ag NNS/VO2/SiO2复合薄膜,并对复合薄膜的光/电性质进行了研究。从薄膜的ρ-T曲线看出,随着嵌埋的Ag NNS占复合薄膜体积百分比的增加,薄膜Tc降低。从薄膜相变前后透射光谱看出,随着嵌埋的Ag NNS占复合薄膜体积百分比从4.45%增加到24.07%,ΔTsol从26.56%减小到13.20%。因此,特殊微纳结构的Ag周期阵列的嵌入可以有效调控VO2薄膜的光/电性质。
王相宇[10]（2020）在《过渡金属异质原子修饰的镍/钴基化合物纳米结构的合成及电催化性能研究》文中指出电催化水分解制取氢气,是一种具有发展前景和竞争力的生产可再生能源的技术。但是直到现在,电催化水分解大规模生产氢气商业应用的主要挑战是阳极析氧反应（OER）缓慢的4 e-反应动力学,需要较大的过电位,导致电解效率总体低下。可以用两种有效的策略来应对这一挑战:（1）设计高活性和低成本的OER和HER双功能催化剂来加速OER动力学,从而降低通过全水分解制氢的能量需求;（2）用其它更容易发生的小分子氧化反应（例如肼,尿素,甲醇,二氢异喹啉等）替代OER。其中尿素氧化反应（UOR）因价格低廉、热力学电解电势极低（0.37 V）以及无毒的氧化产品（CO2和N2）,成为低能耗制氢的理想候选反应。基于这两种策略,本论文设计合成了过渡金属异质原子修饰的Ni/Co基化合物纳米结构用于高效制氢,包括用于全水分解制氢的Ag纳米颗粒@Ni3S2纳米片薄膜和Fe掺杂Ni3S2纳米线材料以及用于尿素辅助制氢的Cu掺杂Co（OH）2纳米片阵列材料。深入探讨了组成、结构与电催化性能之间的关系。本论文主要内容归纳如下:1.采用溶剂热法和室温还原法合成了负载于泡沫镍上的Ag@Ni3S2。将Ag纳米颗粒负载到Ni3S2纳米片薄膜上可以提高导电性,并提供更多的导电路径,从而实现更快的电荷传输。Ag与Ni3S2的相互作用优化了含氧/氢中间体的吸附和解吸特性,降低了氢吸附的自由能,从而提高了电催化性能。最佳的5.1%Ag@Ni3S2催化剂仅需要237 mV的过电位达到OER的30 mA cm-2。此外,它还显示了一个良好的HER催化性能,在146 mV的过电位下可以驱动10 mA cm-2。由5.1%Ag@Ni3S2电极组装的全水电解装置只需要1.57 V的电压就可以达到10 mA cm-2。2.在泡沫镍上,通过一步溶剂热法合成了直径约17 nm、长度为1.4～2μm的Fe掺杂Ni3S2纳米线,用于碱性水分解。在高电流密度下,OER和HER均展现出显着的活性和优异的耐久性。对于OER,最优的Fe13.7%-Ni3S2纳米线电极在相当低的过电位223 mV时可达到200 mA cm-2,245 mV时可达到500 mA cm-2。此外,它也展现出优秀的HER性能,在一个相当低的过电位109 mV下即可获得10 mA cm-2,在246mV时能够驱动500 mA cm-2的电流密度。Fe3+的加入同时改变了Ni3S2的电子结构和形貌,不仅提高了其导电性,而且产生了丰富的边缘活性位点。在强碱性电解液中,纳米线在原位发生轻微的表面限制性氧化会产生大量的界面,这使得OER和HER的反应活性和耐久性得以实现。因此,具有两个Fe13.7%-Ni3S2电极的碱性水电解槽只需1.53 V的低电压即可达到10 mA cm-2,而在1.95 V的电压下就可以驱动500 mA cm-2,并且具有优异的稳定性。此外,这对Fe13.7%-Ni3S2电极可以由1.5 V的干电池持续驱动。3.应用一步溶剂热法在泡沫镍上合成了Cu掺杂的Co（OH）2纳米片阵列,用于尿素辅助的高效产氢。Cu2+的结合显着促进了电子的运输,增加了暴露的活性位点,增强了亲水性,极大地改善了UOR及HER行为。Cu掺杂引起的缺陷促进了活性位点对水的吸附,进一步增强了催化剂表面的亲水性和相容性。最佳的Cu6.2%-Co（OH）2纳米片阵列具有良好的UOR活性,在相当低的电位1.31和1.418 V下可以分别驱动10和500 mA cm-2的电流密度。此外,对于HER,实现10 mA cm-2的电流密度仅需提供76 mV相当低的过电位,仅需234 mV的过电位即可达到500 mA cm-2。具有最优的Cu6.2%-Co（OH）2电极的尿素-碱性电解槽,能够在较低的1.389 V电池电压下提供10 mA cm-2的电流密度,在1.781 V电池电压下可以提供500 mA cm-2的电流密度,并且具有显着的操作稳定性。该催化剂的设计为通过适当的元素掺杂实现高性能尿素辅助产氢的钴基材料的结构优化策略提供了思路。
二、Ag纳米颗粒与纳米结构薄膜的研究进展（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、Ag纳米颗粒与纳米结构薄膜的研究进展（论文提纲范文）
（1）该用何种金属纳米颗粒来提升硅薄膜太阳电池的效率？（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 太阳电池的基本概念 |
| 2.1 太阳电池的工作原理 |
| 2.2 太阳电池的主要参数 |
| 2.3 表面等离激元概述 |
| 2.4 陷光结构及光栅技术概述 |
| 2.5 表面钝化技术概述 |
| 3 基于金属纳米颗粒的硅太阳电池的研究进展 |
| 3.1 用Au纳米颗粒增强硅太阳电池的效率 |
| 3.2 用Ag纳米颗粒增强硅太阳电池的效率 |
| 3.3 用Al纳米颗粒增强硅太阳电池的效率 |
| 3.4 用其他金属及化合物纳米颗粒增强硅太阳 |
| 4 硅太阳电池的表面钝化技术 |
| 5 其他陷光结构的硅太阳电池 |
| 6 结束语 |
（2）基于阳极氧化铝模板的表面等离激元光电探测器（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 AAO模板简介 |
| 1.2.1 AAO模板的形成机理 |
| 1.2.2 AAO模板的结构 |
| 1.3 基于AAO模板的光电探测器 |
| 1.3.1 光电探测器简介 |
| 1.3.2 基于AAO模板的纳米柱/线型光电探测器 |
| 1.3.3 基于AAO模板的颗粒型及纳米孔型光电探测器 |
| 1.4 本论文的研究目的及研究内容 |
| 第二章 单通AAO模板的制备研究 |
| 2.1 实验部分 |
| 2.1.1 实验仪器及材料试剂 |
| 2.1.2 实验步骤 |
| 2.2 100 nm周期的单通AAO模板制备及因素探究 |
| 2.2.1 铝的纯度对AAO模板形貌影响 |
| 2.2.2 一次氧化时间对AAO模板形貌影响 |
| 2.2.3 二次氧化时间对AAO模板形貌影响 |
| 2.3 500 nm周期的单通AAO模板制备及因素探究 |
| 2.3.1 不同扩孔时间对500 nm周期AAO模板形貌的影响 |
| 2.3.2 不同浓度添加剂对500 nm周期AAO模板有序度研究 |
| 2.3.3 不同氧化时间对500 nm周期AAO膜厚影响 |
| 2.4 本章小节 |
| 第三章 双通AAO模板的制备研究 |
| 3.1 实验方法与步骤 |
| 3.2 100 nm周期双通AAO模板的制备研究 |
| 3.2.1 小孔径AAO模板通孔时间探究 |
| 3.2.2 扩孔顺序对制备双通AAO模板形貌影响 |
| 3.3 500 nm周期双通AAO模板的制备研究 |
| 3.4 本章小节 |
| 第四章 基于AAO掩膜的表面等离激元光电探测器性能研究 |
| 4.1 实验原理 |
| 4.2 实验材料及表征方法 |
| 4.2.1 实验药品及试剂 |
| 4.2.2 实验仪器 |
| 4.2.3 测试与表征方法 |
| 4.3 表面等离激元光电探测器的制备 |
| 4.3.1 碳化硅基底清洗 |
| 4.3.2 超薄双通AAO模板的转移 |
| 4.3.3 热蒸镀工艺 |
| 4.3.4 模板去除与电极制备 |
| 4.4 Ag纳米颗粒对器件性能影响 |
| 4.4.1 Ag纳米颗粒的器件表面纳米结构及吸收性能表征 |
| 4.4.2 Ag纳米颗粒对的器件亮暗电流的影响 |
| 4.4.3 Ag纳米颗粒对探测性能影响 |
| 4.4.4 Ag 纳米颗粒对器件响应恢复时间的影响 |
| 4.5 不同高度金属纳米颗粒对器件性能的影响 |
| 4.5.1 不同高度颗粒对器件亮电流的影响 |
| 4.5.2 不同高度颗粒对器件响应的影响 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（3）化学铜及其原位衍生的微纳米阵列在电子器件中的应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.1.1 高密度电子封装 |
| 1.1.2 化学铜 |
| 1.2 化学镀铜工艺 |
| 1.2.1 化学镀铜的基本原理 |
| 1.2.2 镀液成分及其作用 |
| 1.2.3 化学镀铜工艺的特点 |
| 1.3 化学铜在电子设备中的应用及研究进展 |
| 1.3.1 PCB孔金属化处理 |
| 1.3.2 PCB内层板铜层处理 |
| 1.3.3 电磁屏蔽 |
| 1.3.4 印刷电路 |
| 1.4 铜的衍生物在电子器件中的应用及研究进展 |
| 1.4.1 锂离子电池 |
| 1.4.2 锂金属电池 |
| 1.4.3 超级电容器 |
| 1.4.4 热电材料与器件 |
| 1.4.5 电化学传感器 |
| 1.5 化学铜在电子领域中的发展趋势与挑战 |
| 1.6 本文研究目的与研究内容 |
| 第2章 实验原料、仪器与测试表征 |
| 2.1 主要化学试剂与耗材 |
| 2.2 实验制备用主要设备 |
| 2.3 分析测试用常规设备 |
| 2.4 薄膜热导率测试设备 |
| 第3章 化学镀铜用Sn/Ag纳米高效催化剂制备及其催化性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 催化剂的制备 |
| 3.2.2 催化剂性能表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 材料形貌、结构和组成 |
| 3.3.2 催化性能 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 化学铜导电图案的“加成法”制备及其镀层性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 基材表面预处理 |
| 4.2.2 化学铜导电图案制备 |
| 4.2.3 镀层结合力与柔性测试 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 基于PCB环氧基板制备的化学铜图案及其性能 |
| 4.3.2 基于柔性基底制备的化学铜图案及其性能 |
| 4.4 本章小节 |
| 第5章 基于化学铜集流体原位转化的柔性微电容器件的构筑及其性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 Cu(OH)_2@FeOOH/Cu电极的制备 |
| 5.2.2 微电容器件的构筑 |
| 5.2.3 微电容器件比电容、功率密度与能量密度的计算 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 Cu(OH)_2@FeOOH/Cu电极制备工艺 |
| 5.3.2 化学铜集流体设计 |
| 5.3.3 材料形貌、结构和组成 |
| 5.3.4 微电容器件的电化学性能 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 基于化学铜镀膜原位转化的p型 Cu_2Se柔性热电薄膜的制备及其性能研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.2.1 Cu_2Se/PI柔性热电薄膜的制备 |
| 6.2.2 Cu_2Se自支撑热电薄膜的制备 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 Cu_2Se热电薄膜制备工艺 |
| 6.3.2 材料形貌、结构和组成 |
| 6.3.3 Cu2Se热电薄膜性能 |
| 6.4 本章小结 |
| 第7章 基于化学铜图案原位转化的pCu_2Se-nAg_2Se柔性热电器件的构筑及其性能研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 实验部分 |
| 7.2.1 n型 Ag_2Se/PI柔性热电薄膜的制备 |
| 7.2.2 自支撑n型 Ag_2Se热电薄膜的制备 |
| 7.2.3 pCu_2Se-nAg_2Se热电器件的制备 |
| 7.3 结果与讨论 |
| 7.3.1 pCu_2Se-nAg_2Se热电器件制备工艺 |
| 7.3.2 材料形貌、结构和组成 |
| 7.3.3 Ag2Se热电薄膜性能 |
| 7.3.4 pCu_2Se-nAg_2Se热电器件性能 |
| 7.4 本章小结 |
| 第8章 总结与展望 |
| 8.1 本文工作总结 |
| 8.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（4）基于Ag@SiO2核壳纳米复合功能层的有机浮栅存储器研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 有机浮栅存储器的研究背景 |
| 1.2.1 有机半导体存储器概述 |
| 1.2.2 有机浮栅存储器的研究进展 |
| 1.2.3 有机浮栅存储器的研究现状 |
| 1.3 有机浮栅存储器研究面临的主要问题 |
| 1.4 本论文的研究目的和研究内容 |
| 第二章 有机浮栅存储器的器件物理概述 |
| 2.1 器件结构 |
| 2.2 器件材料与制备工艺 |
| 2.2.1 常用的功能层材料 |
| 2.2.2 器件的制备工艺 |
| 2.3 工作原理与特性参数 |
| 2.3.1 工作原理 |
| 2.3.2 特性参数 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 Ag纳米颗粒和Ag@SiO_2核壳纳米球及其纳米单层的制备及表征 |
| 3.1 Ag纳米颗粒的制备及表征 |
| 3.1.1 Ag纳米颗粒的制备方法 |
| 3.1.2 Ag纳米颗粒的物性表征 |
| 3.1.3 Ag纳米颗粒的粒径控制 |
| 3.2 Ag@SiO_2核壳纳米球的制备和表征 |
| 3.2.1 Ag@SiO_2核壳纳米球的制备过程 |
| 3.2.2 Ag@SiO_2核壳纳米球的物性表征 |
| 3.2.3 Ag@SiO_2核壳纳米球壳层的可控生长 |
| 3.3 Ag纳米颗粒单层和Ag@SiO_2核壳纳米单层的制备和表征 |
| 3.3.1 Ag纳米颗粒单层和Ag@SiO_2核壳纳米单层的制备 |
| 3.3.2 Ag纳米颗粒单层和Ag@SiO_2核壳纳米单层的表征 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 Ag-PMMA堆叠结构浮栅存储器和Ag@SiO_2复合功能层浮栅存储器及其电学存储特性 |
| 4.1 器件结构设计与制备过程 |
| 4.1.1 器件的结构设计 |
| 4.1.2 器件的制备过程 |
| 4.1.3 有机半导体有源层的表征 |
| 4.2 Ag-PMMA堆叠结构浮栅存储器及其电学存储特性 |
| 4.2.1 器件的场效应特性 |
| 4.2.2 器件的电学存储特性 |
| 4.2.3 Ag纳米颗粒粒径尺寸对电学存储特性的影响 |
| 4.2.4 PMMA隧穿层厚度对电学存储特性的影响 |
| 4.2.5 器件的电荷保持特性和抗疲劳特性 |
| 4.3 Ag@SiO_2复合功能层浮栅存储器及其电学存储特性 |
| 4.3.1 器件的场效应特性 |
| 4.3.2 器件的电学存储特性 |
| 4.3.3 Ag@SiO_2壳层厚度对电学存储特性的影响 |
| 4.3.4 器件的电脉冲编程-擦除机理分析 |
| 4.3.5 器件的电荷保持特性和抗疲劳特性 |
| 4.4 Ag-PMMA器件和Ag@SiO_2器件的电学存储性能对比 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 Ag@SiO_2复合功能层浮栅存储器的光辅助擦除特性 |
| 5.1 Ag@SiO_2器件的光响应特性 |
| 5.1.1 器件功能层的光吸收特性 |
| 5.1.2 器件的光响应特性 |
| 5.2 Ag@SiO_2器件的光辅助擦除特性 |
| 5.2.1 器件的光辅助擦除特性 |
| 5.2.2 Ag@SiO_2壳层厚度对器件光辅助擦除特性的影响 |
| 5.2.3 器件的电荷保持特性和抗疲劳特性 |
| 5.2.4 器件的光辅助擦除机理分析 |
| 5.3 Ag@SiO_2器件存储性能对比研究 |
| 5.3.1 不同擦除操作条件下的存储性能对比 |
| 5.3.2 不同核壳功能材料作浮栅有机存储器的性能对比 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 论文工作总结 |
| 6.2 未来工作展望 |
| 参考文献 |
| 在学期间的研究成果 |
| 致谢 |
（5）TiN/Ag复合薄膜的制备及其SPR效应研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 SPR传感器概述 |
| 1.1.1 SPR传感器基本原理 |
| 1.1.2 SPR传感器的基本类型 |
| 1.1.3 SPR传感器的特点及应用 |
| 1.2 等离子体材料的选择 |
| 1.3 过渡金属氮化物等离子体材料 |
| 1.4 本文研究内容 |
| 1.4.1 选题目的 |
| 1.4.2 论文安排 |
| 第二章 TiN/Ag复合薄膜的制备和研究方法 |
| 2.1 磁控溅射原理 |
| 2.2 薄膜的表征技术 |
| 2.2.1 R1 角度分辨光谱仪 |
| 2.2.2 椭圆偏振光谱仪 |
| 2.2.3 积分球测试 |
| 2.2.4 SEM |
| 2.2.5 TEM |
| 2.2.6 表面增强拉曼光谱 |
| 2.2.7 XPS |
| 2.2.8 白光三维光学显微镜 |
| 2.3 FDTD仿真 |
| 2.3.1 FDTD理论 |
| 2.3.2 FDTD Solutions参数选择 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 TiN/Ag复合薄膜的制备和研究 |
| 3.1 单层TiN薄膜SPR特性研究 |
| 3.1.1 单层TiN薄膜的制备与表征 |
| 3.1.2 不同氮氩比单层TiN薄膜SPR特性研究 |
| 3.1.3 不同厚度单层TiN薄膜SPR特性研究 |
| 3.1.4 单层TiN薄膜表面形貌 |
| 3.2 TiN:Ag薄膜 |
| 3.2.1 LSPR概述 |
| 3.2.2 TiN:Ag薄膜仿真研究 |
| 3.2.3 TiN:Ag薄膜的制备 |
| 3.2.4 TiN掺杂Ag薄膜的制备的表征 |
| 3.2.5 TiN:Ag薄膜SPR特性研究 |
| 3.3 纳米结构Ag/TiN薄膜 |
| 3.3.1 纳米结构Ag/TiN仿真研究 |
| 3.3.2 纳米结构Ag的制备 |
| 3.3.3 纳米结构Ag的透射率及形貌 |
| 3.3.4 纳米结构Ag的R1 测试 |
| 3.3.5 纳米结构Ag/TiN薄膜形貌 |
| 3.3.6 纳米结构Ag/TiN薄膜Raman研究 |
| 3.3.7 纳米结构Ag/TiN薄膜的SPR特性研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 Ag/TiN叠层双曲超材料传感器 |
| 4.1 双曲材料概述 |
| 4.2 Ag/TiN叠层双曲超材料薄膜的制备 |
| 4.3 Ag/TiN HMMs薄膜的实验和模拟研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻硕期间取得的研究成果 |
（6）飞秒激光与低维材料及介电晶体相互作用及其应用（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号说明 |
| 第一章 绪论 |
| 参考文献 |
| 第二章 理论基础和实验方法 |
| 2.1 低维纳米材料与介电晶体材料 |
| 2.2 飞秒激光与低维纳米材料的相互作用 |
| 2.3 飞秒激光与介电晶体的相互作用 |
| 2.4 基于光波导平台的紧凑型激光器 |
| 参考文献 |
| 第三章 二维材料的准粒子超快动力学研究及太赫兹能带调制器 |
| 3.1 二维层状二硒化钯材料的制备及基础表征 |
| 3.2 飞秒激光诱导能带重整化及太赫兹相干声子振荡 |
| 参考文献 |
| 第四章 嵌入式金属纳米颗粒的光学性质及在近红外光开关的应用 |
| 4.1 离子注入制备嵌入式金属纳米颗粒及光学特性研究 |
| 4.2 基于嵌入式纳米颗粒与飞秒直写光波导的波导激光器 |
| 参考文献 |
| 第五章 飞秒激光写入YVO_4包层光波导及超高重复频率激光性能研究 |
| 5.1 基于石墨烯、MoS_2、Bi_2Se_3饱和吸收体的6.5 GHz调Q锁模波导激光 |
| 5.2 基于WSe_2饱和吸收体的6.5 GHz调Q锁模波导激光 |
| 参考文献 |
| 第六章 新型二维材料的超快非线性光学特性及在波导激光中的应用 |
| 6.1 Graphene/WS_2二维异质结的非线性光学性质及其在调Q激光中的应用 |
| 6.2 Ag纳米颗粒修饰对Graphene的非线性光学响应增强及其应用 |
| 6.3 基于ReSe_2新型可饱和吸收体的连续锁模波导激光器 |
| 参考文献 |
| 第七章 飞秒激光写入Nd:YAG晶体光波导及在脉冲激光器中的应用 |
| 7.1 基于Nd:YAG包层波导与新型二维材料PtSe_2的8.8 GHz脉冲激光器 |
| 7.2 飞秒激光烧蚀制备Nd:YAG脊型光波导及在波导激光中的应用 |
| 参考文献 |
| 第八章 飞秒激光写入β-BBO晶体包层光波导的研究 |
| 8.1 实验过程 |
| 8.2 结果与讨论 |
| 8.3 小结 |
| 参考文献 |
| 第九章 总结与展望 |
| 9.1 总结 |
| 9.2 主要创新点 |
| 9.3 展望 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间的学术成果及获得的奖励 |
| 学术论文 |
| 发明专利 |
| 参加的国内及国际会议 |
| 获得的荣誉、奖励: |
| 附三篇已发表论文 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（7）三维SERS衬底的构筑及对有机污染物的敏感性（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 表面增强拉曼散射效应(SERS)简介 |
| 1.2.1 拉曼散射效应 |
| 1.2.2 表面增强拉曼散射效应概述 |
| 1.2.3 增强机理研究 |
| 1.3 表面增强拉曼散射衬底 |
| 1.3.1 SERS衬底分类 |
| 1.3.2 三维SERS衬底的发展及制备 |
| 1.3.3 柔性SERS衬底的发展及制备 |
| 1.4 基于SERS的污染物检测 |
| 1.4.1 持久性有机污染物的危害 |
| 1.4.2 几种常见的持久性有机污染物 |
| 1.4.3 持久性有机污染物的检测 |
| 1.5 本论文研究内容及意义 |
| 第二章 Ag纳米颗粒修饰的氧化锌纳米棒阵列及其对有机污染物的SERS敏感性 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验材料 |
| 2.2.2 单层聚苯乙烯小球模板的制备方法 |
| 2.2.3 Ag纳米颗粒@ZnO纳米棒阵列的制备 |
| 2.2.4 Ag纳米颗粒@ZnO纳米棒阵列的结构表征 |
| 2.2.5 Ag纳米颗粒@ZnO纳米棒阵列的SERS性能测试 |
| 2.3 实验结果和讨论 |
| 2.3.1 Ag纳米颗粒@ZnO纳米棒阵列的结构表征 |
| 2.3.2 衬底对R6G的SERS敏感性 |
| 2.3.3 增强因子的计算 |
| 2.3.4 衬底的SERS信号均匀性 |
| 2.3.5 衬底对有毒农药的SERS敏感性 |
| 2.3.6 Ag纳米颗粒@ZnO纳米棒阵列的循环使用性 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 自支撑三维互联Ag纳米棒阵列的制备及其SERS敏感性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验材料 |
| 3.2.2 三维相互连接的AAO膜的制备 |
| 3.2.3 自支撑三维Ag纳米棒阵列的制备 |
| 3.2.4 自支撑三维Ag纳米棒阵列的结构表征 |
| 3.2.5 SERS性能表征 |
| 3.3 实验结果和讨论 |
| 3.3.1 三维Ag纳米棒阵列的结构表征 |
| 3.3.2 三维Ag纳米棒阵列的SERS信号均匀性 |
| 3.3.3 三维Ag纳米棒阵列对R6G的SERS敏感性 |
| 3.3.4 三维Ag纳米棒阵列对福美双的SERS敏感性 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 自支撑的三维互联多孔Au纳米棒阵列的制备及其SERS敏感性 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验材料 |
| 4.2.2 三维相互连接的多孔氧化铝模板的制备 |
| 4.2.3 自支撑三维多孔Au纳米棒阵列的制备 |
| 4.2.4 自支撑三维多孔Au纳米棒阵列的性能表征 |
| 4.3 实验结果和讨论 |
| 4.3.1 自支撑三维互连多孔Au纳米棒阵列的结构表征 |
| 4.3.2 自支撑三维多孔Au纳米棒的SERS性能 |
| 4.3.3 增强因子的计算 |
| 4.3.4 三维互连多孔Au纳米棒阵列的SERS均匀性 |
| 4.3.5 三维互连多孔Au纳米棒阵列对农药的SERS敏感性 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 Ag纳米颗粒@细菌纤维素复合结构作为三维柔性SERS衬底以及敏感性测试 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 实验材料 |
| 5.2.2 细菌纤维素的预处理 |
| 5.2.3 Ag纳米颗粒@细菌纤维素的制备 |
| 5.2.4 Ag纳米颗粒@细菌纤维素的结构表征 |
| 5.2.5 Ag纳米颗粒@细菌纤维素的SERS性能表征 |
| 5.3 实验结果和讨论 |
| 5.3.1 Ag纳米颗粒@细菌纤维素结构的表征 |
| 5.3.2 Ag纳米颗粒@细菌纤维素的形成机理分析 |
| 5.3.3 衬底对R6G的SERS敏感性 |
| 5.3.4 增强因子的计算 |
| 5.3.5 Ag纳米颗粒@细菌纤维素信号的均匀重复性 |
| 5.3.6 衬底的稳定性和柔性 |
| 5.3.7 衬底对毒性有机物的检测 |
| 5.4. 本章小结 |
| 第六章 全文总结与展望 |
| 6.1 全文研究总结 |
| 6.2 有待解决的问题 |
| 6.3 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（8）铜基氧化物/ZnO复合材料的制备及光电性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 紫外光电探测器 |
| 1.2.1 紫外光电探测器的发展现状 |
| 1.2.2 紫外光电探测器的参数指标 |
| 1.3 ZnO纳米材料的基本性质 |
| 1.4 ZnO紫外光电探测器的研究进展 |
| 1.4.1 ZnO光电导型紫外光探测器 |
| 1.4.2 ZnO肖特基结型紫外光电探测器 |
| 1.4.3 ZnOp-n结型紫外光探测器 |
| 1.5 本文的选题意义与主要研究内容 |
| 第二章 实验方法与测试表征方法 |
| 2.1 实验方法 |
| 2.1.1 溶胶-凝胶法 |
| 2.1.2 水热法 |
| 2.1.3 水溶液化学法 |
| 2.2 实验的方案设计 |
| 2.2.1 实验试剂与设备 |
| 2.2.2 实验工艺流程 |
| 2.3 样品的测试手段和表征方法 |
| 2.3.1 结构和物相分析表征 |
| 2.3.2 光学性能表征 |
| 2.3.3 光电性能表征 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 ZnO纳米棒阵列的制备和光电性能的研究 |
| 3.1 ZnO纳米棒阵列的制备和表征 |
| 3.1.1 ZnO纳米棒阵列的实验方案和制备 |
| 3.1.2 ZnO纳米棒阵列的结构与性能表征 |
| 3.1.3 ZnO纳米棒样品的正交分析结果 |
| 3.2 ZnO纳米棒阵列的优化工艺结果与表征 |
| 3.2.1 优化参数条件下ZnO纳米棒阵列的制备 |
| 3.2.2 优化工艺参数下制备的ZnO纳米棒阵列的结构与物相表征 |
| 3.2.3 优化工艺参数下制备的ZnO纳米棒阵列的光电性能 |
| 3.3 水热[Zn~(2+)]/[(CH_2)_6N_4]浓度比对ZnO纳米棒阵列的影响 |
| 3.3.1 水热[Zn~(2+)]/[(CH_2)_6N_4]浓度比的单因素实验与制备 |
| 3.3.2 水热[Zn~(2+)]/[(CH_2)_6N_4]浓度比对ZnO纳米棒阵列的结构形貌的影响 |
| 3.3.3 水热[Zn~(2+)]/[(CH_2)_6N_4]浓度比对ZnO纳米棒阵列的光学性能的影响 |
| 3.3.4 水热[Zn~(2+)]/[(CH_2)_6N_4]浓度比对ZnO纳米棒阵列的光电性能的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的制备及光电性能的研究 |
| 4.1 ZnO和 CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的制备及光电性能研究 |
| 4.1.1 ZnO和 CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的制备 |
| 4.1.2 ZnO和 CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的结构与形貌表征 |
| 4.1.3 ZnO和 CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的光学性能表征 |
| 4.1.4 ZnO和 CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的光电性能表征 |
| 4.2 Cu~(2+)浓度对CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的影响 |
| 4.2.1 Cu~(2+)浓度的单因素实验与制备 |
| 4.2.2 Cu~(2+)浓度对CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料结构与形貌的影响 |
| 4.2.3 Cu~(2+)浓度对CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光学性能的影响 |
| 4.3 时间对CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的影响 |
| 4.3.1 时间的单因素实验与制备 |
| 4.3.2 时间对CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料结构与形貌的影响 |
| 4.3.3 时间对CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光学性能的影响 |
| 4.4 Cu~(2+)源对CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的影响 |
| 4.4.1 Cu~(2+)源的单因素实验与制备 |
| 4.4.2 Cu~(2+)源对CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料结构与形貌的影响 |
| 4.4.3 Cu~(2+)源对CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光学性能的影响 |
| 4.5 溶液温度对CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的影响 |
| 4.5.1 溶液温度的单因素实验与制备 |
| 4.5.2 溶液温度对CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料结构与形貌的影响 |
| 4.5.3 溶液温度对CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光学性能的影响 |
| 4.6 退火温度对CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的影响 |
| 4.6.1 退火温度的单因素实验与制备 |
| 4.6.2 退火温度对CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料结构与形貌的影响 |
| 4.6.3 退火温度对CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料光学性能的影响 |
| 4.7 优化的CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的光电性能 |
| 4.7.1 优化参数条件下CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的制备 |
| 4.7.2 优化的CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料结构与形貌的影响 |
| 4.7.3 优化的CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的光电性能 |
| 4.8 本章小结 |
| 第五章 金属掺杂CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的制备及光电性能的研究 |
| 5.1 Sn掺杂CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的制备和性能研究 |
| 5.1.1 Sn掺杂CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的制备 |
| 5.1.2 Sn掺杂CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的结构与形貌表征 |
| 5.1.3 Sn掺杂CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的光学性能表 |
| 5.1.4 Sn掺杂CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的光电性能表征 |
| 5.2 La掺杂ZnO纳米棒阵列复合材料的制备和性能研究 |
| 5.2.1 La掺杂ZnO纳米棒阵列复合材料的制备 |
| 5.2.2 La掺杂ZnO纳米棒阵列复合材料的结构与形貌表征 |
| 5.2.3 La掺杂ZnO纳米棒阵列复合材料的光学性能表征 |
| 5.2.4 La掺杂ZnO纳米棒阵列复合材料的光电性能表征 |
| 5.3 Sb掺杂CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的制备和性能研究 |
| 5.3.1 Sb掺杂CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的制备 |
| 5.3.2 Sb掺杂CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的结构与形貌表征 |
| 5.3.3 Sb掺杂CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的光学性能表征 |
| 5.3.4 Sb掺杂CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的光电性能表征 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 金属表面修饰ZnO和 CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的制备及光电性能的研究 |
| 6.1 Ag表面修饰ZnO纳米棒阵列复合材料的制备和性能研究 |
| 6.1.1 Ag表面修饰ZnO纳米棒阵列复合材料的制备 |
| 6.1.2 Ag表面修饰ZnO纳米棒阵列复合材料的结构与形貌表征 |
| 6.1.3 Ag表面修饰ZnO纳米棒阵列复合材料的光学性能表征 |
| 6.1.4 Ag表面修饰ZnO纳米棒阵列复合材料的光电性能表征 |
| 6.2 Ag表面修饰CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的制备和性能研究 |
| 6.2.1 Ag表面修饰CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的制备 |
| 6.2.2 Ag表面修饰CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的结构与形貌表征 |
| 6.2.3 Ag表面修饰CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的光学性能表征 |
| 6.2.4 Ag表面修饰CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的光电性能表征 |
| 6.3 Au表面修饰ZnO纳米棒阵列复合材料的制备和性能研究 |
| 6.3.1 Au表面修饰ZnO纳米棒阵列复合材料的制备 |
| 6.3.2 Au表面修饰ZnO纳米棒阵列复合材料的结构与形貌表征 |
| 6.3.3 Au表面修饰ZnO纳米棒阵列复合材料的光学性能表征 |
| 6.3.4 Au表面修饰ZnO纳米棒阵列复合材料的光电性能表征 |
| 6.4 Au表面修饰CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的制备和性能研究 |
| 6.4.1 Au表面修饰CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的制备 |
| 6.4.2 Au表面修饰CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的结构与形貌表征 |
| 6.4.3 Au表面修饰CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的光学性能表征 |
| 6.4.4 Au表面修饰CuO@ZnO纳米棒阵列复合材料的光电性能表征 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 本文的总结 |
| 7.2 今后的工作展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的学术成果 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（9）Ag/VO2复合薄膜的制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 VO_2 的结构与特性 |
| 1.2.1 VO_2 的晶体结构 |
| 1.2.2 VO_2 的相变特性 |
| 1.3 VO_2 薄膜的应用前景 |
| 1.3.1 智能薄膜窗 |
| 1.3.2 光电开关 |
| 1.3.3 激光防护 |
| 1.3.4 其他应用 |
| 1.4 VO_2 智能窗研究现状 |
| 1.4.1 金属离子掺杂VO_2薄膜 |
| 1.4.2 基于VO_2多分子层结构 |
| 1.4.3 仿生VO_2复合薄膜结构 |
| 1.4.4 金属纳米阵列/VO_2复合薄膜结构 |
| 1.5 本课题研究的内容与意义 |
| 1.5.1 本课题研究的内容 |
| 1.5.2 本课题研究的意义 |
| 2 样品的制备与表征方法 |
| 2.1 实验试剂和材料 |
| 2.2 主要仪器设备 |
| 2.3 Ag/VO_2 复合薄膜的制备 |
| 2.3.1 VO_2 薄膜的制备 |
| 2.3.2 PS模板的制备 |
| 2.3.3 Ag纳米阵列的制备 |
| 2.3.4 Ag纳米网络的制备 |
| 2.4 样品的表征 |
| 2.4.1 掠入射X射线衍射分析(XRD) |
| 2.4.2 场发射扫描电子显微镜分析(SEM) |
| 2.4.3 紫外可见分光光度计(UV-Vis-NIR) |
| 2.4.4 变温电阻率测试(ρ-T)及霍尔效应 |
| 3 Ag PPAs/VO_2/Si复合薄膜的制备及性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 VO_2 薄膜形貌和结构的研究 |
| 3.2.1 生长温度对薄膜形貌和结构的影响 |
| 3.2.2 退火温度对薄膜形貌和结构的影响 |
| 3.2.3 退火压强对薄膜形貌和结构的影响 |
| 3.3 PS模板的制备 |
| 3.3.1 转速对预模板致密性影响 |
| 3.3.2 提拉速度对PS模板致密性的影响 |
| 3.4 Ag PPAs/VO_2/Si复合薄膜形貌和结构的表征 |
| 3.4.1 SEM分析 |
| 3.4.2 XRD及 EDS分析 |
| 3.5 Ag PPAs/VO_2/Si复合薄膜光/电性质研究 |
| 3.5.1 ρ-T分析 |
| 3.5.2 UV-Vis-NIR分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 Ag PPAs/VO_2/SiO_2 复合薄膜的制备及性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Ag PPAs/VO_2/SiO_2 复合薄膜形貌和结构的表征 |
| 4.2.1 XRD分析 |
| 4.2.2 SEM分析 |
| 4.3 Ag PPAs/VO_2/SiO_2 复合薄膜光/电性质研究 |
| 4.3.1 ρ-T及热滞回线分析 |
| 4.3.2 UV-Vis-NIR分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 Ag NNS/VO_2/SiO_2 复合薄膜的制备及性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Ag NNS的制备及表征 |
| 5.2.1 刻蚀功率对PS模板形貌的影响 |
| 5.2.2 刻蚀时间对PS模板形貌的影响 |
| 5.2.3 Ag NNS的制备及表征 |
| 5.3 Ag NNS/VO_2/SiO_2 复合薄膜形貌和结构的表征 |
| 5.3.1 XRD分析 |
| 5.3.2 SEM及 EDS分析 |
| 5.4 Ag NNS/VO_2/SiO_2 复合薄膜光/电性质研究 |
| 5.4.1 ρ-T分析 |
| 5.4.2 UV-Vis-NIR分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
（10）过渡金属异质原子修饰的镍/钴基化合物纳米结构的合成及电催化性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 硫化镍纳米材料和钴基纳米材料的合成及分别用于全水分解和全尿素电解的研究进展 |
| 1.2.1 硫化镍复合纳米材料的研究进展 |
| 1.2.2 Fe掺杂Ni_3S_2纳米材料的研究进展 |
| 1.2.3 钴基纳米材料及其用于全尿素电解的研究进展 |
| 1.3 本论文的选题依据、基本内容和创新点 |
| 1.3.1 本论文的选题依据 |
| 1.3.2 本论文的基本内容和创新点 |
| 参考文献 |
| 第二章 Ag纳米颗粒@Ni_3S_2纳米片薄膜复合结构用于电催化水分解 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.3 表征 |
| 2.4 电化学测试 |
| 2.5 结果与讨论 |
| 2.5.1 Ag纳米颗粒@Ni_3S_2纳米片薄膜结构的形貌和结构 |
| 2.5.2 Ag纳米颗粒@Ni_3S_2 纳米片薄膜结构的OER性能 |
| 2.5.3 Ag纳米颗粒@Ni_3S_2 纳米片薄膜结构的HER性能 |
| 2.5.4 Ag纳米颗粒@Ni_3S_2纳米片薄膜结构的全水分解性能 |
| 2.6 结论 |
| 参考文献 |
| 第三章 表面限制氧化的Fe掺杂Ni_3S_2纳米线结构的合成及电催化水分解性能的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.3 表征 |
| 3.4 电化学测试 |
| 3.5 结果与讨论 |
| 3.5.1 Fe掺杂Ni_3S_2纳米线结构的形貌和结构 |
| 3.5.2 Fe掺杂Ni_3S_2 纳米线结构的OER性能 |
| 3.5.3 Fe掺杂Ni_3S_2 纳米线结构的HER性能 |
| 3.5.4 Fe掺杂Ni_3S_2纳米线结构的全水分解性能 |
| 3.6 结论 |
| 参考文献 |
| 第四章 Cu掺杂Co(OH)_2纳米片阵列结构用于尿素辅助电催化产氢性能的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.3 表征 |
| 4.4 电化学测试 |
| 4.5 结果与讨论 |
| 4.5.1 Cu掺杂Co(OH)_2纳米片结构的形貌和结构 |
| 4.5.2 Cu掺杂Co(OH)_2纳米片结构的UOR性能 |
| 4.5.3 Cu掺杂Co(OH)_2纳米片结构的HER性能 |
| 4.5.4 Cu掺杂Co(OH)_2纳米片结构的全尿素电解性能 |
| 4.6 结论 |
| 参考文献 |
| 在读研究生期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
四、Ag纳米颗粒与纳米结构薄膜的研究进展（论文参考文献）
- [1]该用何种金属纳米颗粒来提升硅薄膜太阳电池的效率？[J]. 李海龙,杨盛谊,张珍衡,胡津铭,蒋玉蓉,唐利斌. 激光与光电子学进展, 2021(17)
- [2]基于阳极氧化铝模板的表面等离激元光电探测器[D]. 沈洁莲. 太原理工大学, 2021(01)
- [3]化学铜及其原位衍生的微纳米阵列在电子器件中的应用研究[D]. 谢金麒. 中国科学院大学(中国科学院深圳先进技术研究院), 2021(01)
- [4]基于Ag@SiO2核壳纳米复合功能层的有机浮栅存储器研究[D]. 郭小星. 兰州大学, 2021(09)
- [5]TiN/Ag复合薄膜的制备及其SPR效应研究[D]. 李明成. 电子科技大学, 2021(01)
- [6]飞秒激光与低维材料及介电晶体相互作用及其应用[D]. 李子琦. 山东大学, 2020
- [7]三维SERS衬底的构筑及对有机污染物的敏感性[D]. 霍德贤. 中国科学技术大学, 2020(01)
- [8]铜基氧化物/ZnO复合材料的制备及光电性能研究[D]. 吕媛媛. 西北大学, 2020(01)
- [9]Ag/VO2复合薄膜的制备及性能研究[D]. 周章洋. 西南科技大学, 2020(08)
- [10]过渡金属异质原子修饰的镍/钴基化合物纳米结构的合成及电催化性能研究[D]. 王相宇. 安徽师范大学, 2020(01)