一、微波集成电路图形镀金工艺研究（论文文献综述）
聂源[1]（2020）在《氮化铝基薄膜电路基板制作及性能研究》文中研究说明新一代的氮化铝（AlN）陶瓷基板,导热系数高达230W（m.k）,介电损耗0.0002,相对介电常数8.7,电阻率>1014Ω.m,热膨胀率4.0-6.0,3点抗弯强度450MPa,成本为氧化铝（Al2O3）陶瓷的1/4,为氧化铍（Be O）陶瓷的1/5,性能参数已可完美替代Al2O3陶瓷基板和Be O陶瓷基板,可同时满足高频通讯和大功率器件散热要求。因此,AlN基板表面金属化电路制作成为混合集成电路（HIC）设计应用的重要研究内容。微带电路由微带线和电子元件组成,而主要的电路基板为Al2O3陶瓷和Be O陶瓷。由于Be O陶瓷加工时的毒性,对人体和环境的严重危害,Al2O3陶瓷由于其导热系数不高29 W（m.k）,不能运用到大功率散热器件上。本次课题以AlN陶瓷基板为底材,通过薄膜电路技术制备后其表面的导带并集成薄膜电阻、电感等无源器件并加工制作金属化接地孔,有效的解决了微波电路小型化、集成化的问题,产品可靠性更佳,制造成本更低,未来在市场应用更广。1.简要介绍AlN陶瓷基板特性、应用现状及国内外研究动态,介绍本次课题自身主要研究工作,以及产品主要技术指标。2.完成AlN陶瓷基板的电路设计与工艺路线实现。设计出3种AlN基板电路:S波段电桥电路、功率电阻电路和金属化孔电路,完成后分别测试其电性能参数指标,验证是否达到设计要求;通过对AlN基板电路制作金属化方法研究,最终确定薄膜工艺路线,通过磁控溅射法进行AlN基表面金属层种植。3.对AlN基板电路制作关键工艺进行研究,研究了打孔夹具、占空比、扫描速度对激光加工质量的影响;不同清洗条件及清洗方案对表面清洗质量的影响;不同溅射工艺条件及参数对着膜质量的影响;钛钨（Ti W）抗刻蚀层对湿法蚀刻线路质量的影响以及弹性模量对划片质量的研究,完成了AlN基板电路金属化制作,并制作出了成品。4.完成AlN基3种电路基板的各项参数测试,电性能指标满足设计及使用要求。
钟怀磊[2]（2019）在《混合集成X波段小型化T/R组件的设计与实现》文中研究说明T/R组件作为相控阵雷达的核心部件,其各项性能直接决定了雷达整体性能的好坏。随着电子产品逐渐向小型化方向发展,为减少整个雷达整机的重量,体积,使之能适合舰载,机载,车载等需要灵活应用的场合,T/R组件的小型化成为雷达组件设计制作中的重要研究内容。本课题源自亚光电子股份有限公司,主要研究基于微波多层板平台实现T/R组件的小型化。X波段相控阵雷达工作频率高,波长短,探测精度高,因此广泛应用在各种军用电子系统上。针对军用产品小批量,多品种的特点,微波多层板结合了多层电路的成熟工艺与微波材料的特点,在保证高频信号传输低损耗的同时,使用灵活,性价比较高,是军用电子系统优选的工艺路线之一。1.简要介绍相控阵雷达,介绍T/R组件在相控阵雷达上的应用。介绍混合集成工艺,微波多层板工艺在T/R组件上的应用情况。2.完成X波段T/R组件的设计与实现。介绍了T/R组件中的数控移相器,数控衰减器原理。完成了数控移相器和多功能芯片两款芯片的制作,同时详细测试了该两款产品的关键参数。根据任务书要求完成了组件发射通道,接收通道的原理设计,元器件的选用及各项指标的计算。3.基于微波多层板平台,研究了微波多层板的材料以及工艺过程,针对小型化使用到的埋阻工艺进行了创新。进行T/R组件的加工制作,梳理了微组装工艺过程并对其中关键步骤进行了研究,对微组装过程中的各种方法进行了分析比较,完成了该产品最终的微组装实现过程,制作完成的产品体积和重量都达到了产品小型化的需求。4.完成X波段T/R组件的各项参数测试,所有指标均满足项目要求。
万欢欢[3]（2018）在《LTCC基板材料酸蚀行为与化学镀技术研究》文中认为近年来,低温共烧陶瓷（LTCC）技术由于其优异的高频宽通带和高集成度特性,已成为电子元器件集成封装的首选方式。为降低LTCC组件生产成本,采用银导体代替金导体的使用是必然的发展趋势;但银导体存在表面氧化和电迁移现象,难以满足高可靠性要求,故采用化学镀镍/金工艺对银导体进行表面保护是合理的选择。LTCC基板表面化学镀镍/金工艺要求LTCC材料具有良好的耐酸蚀性能。因此,论文开展LTCC基板材料酸蚀行为研究,设计并制备耐酸蚀性能优良的LTCC基板材料及其配套银电极浆料,进而制备LTCC基板样件,开展LTCC基板样件表面化学镀镍/金技术研究,为促进LTCC技术进步与推广应用提供参考。论文采用SEM、EDS、XRD和ICP等方法系统地研究了不同LTCC基板材料的酸蚀行为,研究内容主要包括基板材料酸蚀前后的失重、微观形貌和表面物相变化。结果表明,以硅灰石和钡长石为主晶相的微晶玻璃和微晶玻璃+陶瓷系LTCC基板材料均与酸液发生反应,基板表面酸蚀明显并大量失重;以非晶态硼硅酸盐玻璃为烧结助剂,氧化铝为主要晶相的玻璃+陶瓷体系LTCC基板材料耐酸蚀性能优良,在80℃下浓度为1N的硝酸溶液中浸泡30h后的失重量低于10mg.cm-2.以B2O3-Al2O3-Si O2玻璃和Al2O3陶瓷为主成分设计并制备了耐酸蚀性能优良的玻璃+陶瓷体系LTCC基板材料,采用DSC、DIL和介电频谱测试仪等表征了B2O3-Al2O3-SiO2/Al2O3基板材料的烧结致密化行为和综合性能。结果表明,软化温度为625.3℃的非晶态B2O3-Al2O3-SiO2玻璃对Al2O3陶瓷具有良好的润湿效果,能有效促进氧化铝的烧结致密化;其中,氧化铝含量为45%的B2O3-Al2O3-Si O2/Al2O3基板材料综合性能最优,其密度为2.51 g.cm-3,介电常数为5.27,介电损耗为0.0027（1 MHz）,热膨胀系数为5.79 ppm/℃,抗弯强度为142.5MPa,在80℃下浓度为1N的硝酸溶液中浸泡30h后的失重量为2.78mg.cm-2。以球形银粉、硼硅酸盐玻璃粉和松油醇体系有机载体为原料制备银电极浆料,测得银浆的粘度为90～130Pa.s,细度小于15μm。以此为表面布线导体,制备LTCC基板样件,样件表面银导体致密、平整,方阻小于5mΩ/sq。对该基板样件进行表面化学镀镍/金处理,结果表明,施镀过程不会造成导体层的脱落与基板的酸蚀;化学镀样品镀层致密、平整。其中,镍镀层的厚度为2～4μm,金镀层的厚度约为0.1μm;镀金样品金丝键合性能优良,金丝直径为25μm时,样品的平均键合强度为7.5～8.5 g;水滴实验结果表明化学镀镍/金工艺可以有效改善银导体的电迁移现象,大大提高了样品的可靠性。
戴广乾,曾策,边方胜,许冰,闵显超,林玉敏,陈全寿[4]（2018）在《微波印制电路引线镀金厚度均匀性的改善》文中认为通过采用整体包胶、结构可调的电镀夹具,将待镀微波印制电路片表面调整至与阳极平行,并令镀液温度和电流密度分别由52°C和0.15 A/dm2升至60°C和0.30 A/dm2,改善了引线镀金厚度的均匀性,厚度均匀性系数（COV）由原来的20%25%降至11%以下,制程能力指数（CPK）由0.65提升至2.10以上。
孙林,谢新根,程凯,刘玉根[5]（2018）在《脉冲电镀参数对薄膜电路镀金层性能的影响》文中提出研究了薄膜电路脉冲电镀金过程中平均电流密度和占空比对镀金速率,镀金层表面形貌、表面粗糙度、厚度均匀性,以及微带线厚宽比的影响。结果表明,随平均电流密度或占空比增大,镀金速率和镀金层的表面粗糙度均增大,微带线的厚宽比减小。当平均电流密度为0.4 A/dm2,占空比为30%时,所得镀金层的表面形貌最佳。当平均电流密度为0.4 A/dm2,占空比为50%时,微带线的厚宽比最大。
夏庆水[6]（2018）在《高绝缘低损耗高温共烧黑瓷的制备与性能研究》文中进行了进一步梳理由于半导体通常具有光敏性,要求其封装用的外壳具有遮光性,因此用于半导体芯片陶瓷封装中的高温共烧陶瓷的颜色必须是黑色。氧化铝陶瓷在高温共烧陶瓷中占有大部分市场份额,而其中的黑瓷又占有很大比例。目前国内高温共烧黑瓷的技术和生产工艺与国际先进水平还有较大差距,但国外的技术封锁使得我国在该领域的发展受到诸多限制,因此自主研制性能优异的高绝缘低损耗的高温共烧黑瓷具有重要的意义。氧化铝黑瓷通常加入过渡元素氧化物作为着色剂,因此其体电阻率通常比白瓷有所降低,而介电损耗则会增大。而用于高温共烧陶瓷的黑瓷必须具有高绝缘低损耗的特性,因此协调好着色效果与电性质之间的关系是影响氧化铝黑瓷实践应用的关键。本文采用了Mo、Cr和Ti的氧化物作为着色剂,并控制对电性能有影响的Ti的氧化物的使用比例,得到了高绝缘低损耗的高温共烧黑瓷。通过研究得出如下结论:（1）通过研究流延浆料中溶剂、粘结剂、增塑剂、分散剂和无机粉体的作用,设计出流延浆料的配比,其中无机粉体以Mo、Cr和Ti的氧化物作为着色剂,粘结剂采用PVB,溶剂采用无水乙醇和乙酸丁酯,增塑剂采用DBP,通过球磨混料得到了分散均匀、无大颗粒团聚的流延浆料。通过对流延烘干机理、烘干中的问题进行分析,确定了流延的烘干参数,流延出外观合格的生瓷带,生瓷带的拉伸强度大于2MPa,满足多层陶瓷工艺的使用要求。（2）通过多层陶瓷加工工艺制备得到生瓷件,对多层陶瓷加工工艺中填孔裂纹、印刷膜厚和印刷精度等问题进行了分析和实验验证。提高填孔浆料的固含量等措施解决了填孔中出现的圆形孔裂纹的问题。印刷工艺中刮刀压力中保证图形清楚的情况下应小于30lbs,刮刀的压力应小于3in/s,丝网的感光膜厚度在1030μm较好,印刷浆料的粘度在50150kcps时,可保证适当的膜厚和印刷精度。（3）采用高温烧结制备了氧化铝黑瓷样品,烧结气氛是加湿的氢气和氮气混合气体,通过对烧结工艺研究,得出了采用推板烧结炉的合适保温温度在1575?C;对比25%、50%和75%氢气含量烧结样品的性能,可以发现烧结气氛以75%氢气含量为最好。利用X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）的表征结果显示,陶瓷晶粒分布均匀,晶粒直径约24μm,陶瓷的晶相以a-Al2O3为主,另外含有少量MgAl2O4和MgCr2O4.尖晶石。采用绝缘电阻测试仪和矢量网络分析仪等的测试结果显示,所得Al2O3黑瓷保持了高绝缘低损耗的功能特性,陶瓷的体电阻率大于1012Ω·m,介电损耗tanδ小于5×10-3,满足频率38GHz以内高频电路的使用要求。（4）对高温共烧黑瓷外壳镀覆和钎焊工艺进行了研究。采用化学镀镍工艺可以得到镀镍的陶瓷件和金属零件,通过钎焊工艺把金属零件与陶瓷件焊接形成外壳。通过对外壳的焊料流散分析和实验得出在可伐合金（KOVAR）零件不镀镍,采用氮气气氛并合理控制焊接温度的工艺条件下,可以将焊料的流散宽带控制在0.20mm以内,得到外观良好的多层陶瓷外壳。高温共烧黑瓷的体积电阻率和介电损耗与着色剂的添加有很大关系,尤其是TiO2的添加比例对陶瓷的电性能有重要影响。实验发现,当TiO2在陶瓷中的重量百分比小于1%时,陶瓷的体电阻率大于1012Ω·m,介电损耗也大幅度降低,本论文通过将TiO2的添加比例降低到0.5%以下,并添加适量的MoO3对黑瓷的颜色进行调整,使得黑瓷的颜色均匀一致,而且介电损耗也降低到了5×10-3以下。
朱晶[7]（2018）在《电子工业中电沉积金镀层的应用与发展》文中研究指明金镀层具有良好的导电性、耐腐蚀性、稳定性等特点,在半导体、集成电路、电子元器件产品等方面具有重要的应用价值。随着电子产品零件表面镀金的重要性日益提升,国内外一直在提高镀金工艺技术的稳定性、镀层功能性方面进行了大量研究,而且在多种电子工业产品中的关键镀金技术研究方面开展的工作也越来越深入。从不同的角度综述了目前电子及相关行业中应用电镀金层及电镀金技术的情况,探讨了电镀金层及电镀金技术在电子工业领域的应用进展,分析了在不同基体材料表面沉积金层的技术（如制作薄膜基板的导带、线路板的接地通孔及上下层互连通孔、键合点、焊盘及空气桥等）,介绍了镀金层的主要功能（如抗变色和抗化学腐蚀性能,低的接触电阻和导电性,高温下的抗氧化性能,贮存过程中的焊接性能,物理、机械性能等）。对电子行业现代化带动镀金技术的发展与需求,提出了开发和应用无氰镀金技术以及学科交叉对促进镀金技术发展的趋势,肯定了镀金技术对电子领域科技进步的贡献。
杜林[8]（2017）在《新型微波/毫米波基片集成波导滤波器》文中认为随着通信技术的快速发展,微波/毫米波系统对滤波器提出了小型化、多通带、易于系统集成等要求。本文对基片集成波导滤波器（Substrate Integrate Waveguide Filter,SIWF）的新型谐振腔结构、新材料的加工工艺和设计方法开展了相关研究。本文的主要研究工作主要包括以下几个方面:1.SIWF小型化技术研究。提出了一种在双模滤波器表面附加双Z形交叉槽线结构双模SIW小型化方法,与普通方形双模SIWF相比,双Z形槽线结构可以将SIWF有效面积缩小了25%,在滤波器阻带两个可控的传输零点之外增加了一个传输零点,拥有更好的阻带特性。测量结果表明SIW滤波器双Z形交叉槽线结构在上阻带具有良好的带外抑制能力。2.双通带SIWF研究。提出了在双模SIWF上刻蚀十字槽线和方环形槽线结构的双通带滤波器,通过改变方环形槽线的大小可以控制两个通带的中心频率,通过十字形槽线的结构尺寸可以确定第一通带的中心谐振频率,调节第二通带的中心谐振频率的偏移,在双通带SIWF的设计中可以根据需求改变十字槽线和方形槽线的参数来获得所需要滤波器的频率响应。3.研究了高阻硅片的深通孔刻蚀方法。优化了KOH溶液刻蚀高阻硅的工艺参数,包括KOH溶液浓度、水浴温度、超声功率和IPA参数浓度,将KOH刻蚀高阻硅的工艺分为快速刻蚀和表面抛光两步,实验结果证明,优化的刻蚀工艺获得了低粗糙度和高刻蚀速率。通过扫描电镜表征了红外激光刻蚀和皮秒紫外激光刻蚀的通孔形貌,分析了红外激光和紫外激光加工Si单晶的物理机理。实验结果表明,热扩散控制是获得优良通孔形貌的关键步骤;研究了高阻硅Bosch加工方法,提出了三段式Bosch工艺的来实现高阻硅深通孔刻蚀方法,使用微拉曼光谱仪表征了该方法加工的高阻硅深通孔侧壁质量。利用SEM研究了三种高阻硅基片的深刻蚀方法,比较了不同刻蚀工艺加工的高阻硅通孔形貌,并分析了加工机理对通孔形貌的影响。4.研究了基于高阻硅的SIWF的设计方法和实现方法。利用低通原型和微波结构仿真技术综合了Ku波段切比雪夫型滤波器。讨论了级联谐振腔滤波器设计方法,分析了通孔倾斜角对滤波器性能参数的影响,优化了滤波器结构尺寸,并加工实现了高阻硅SIWF。SEM和AFM测量结果表明硅片表面和通孔内壁金属层质量好,滤波器测试插入损耗为1.2 dB,表明利用高阻硅材料适用于制备低损耗微波SIWF。5.提出了一种新型毫米波准圆波导谐振腔,利用有限元方法分析了准圆波导的结构尺寸和电磁谐振特性的关系。提出了一种中心频点和零点可调的新型双模准圆波导谐振腔滤波器,对该滤波器的耦合结构、谐振频率分别进行了优化设计,设计了一种工作频率在160 GHz的双模准圆波导3D滤波器。利用LTCC工艺加工了毫米波双模准圆波导谐振腔滤波器并进行了测量分析。滤波器的插入损耗约为2.4 dB,带内反射系数优于-17 dB。与传统的通孔磁耦合不同,谐振器之间的耦合是电耦合,利于设计窄带滤波器。6.提出了一种新型毫米波准同轴谐振腔,利用仿真分析了准同轴谐振腔的特征结构尺寸和谐振频率的关系,将准同轴谐振腔与基片集成波导谐振腔耦合设计了3-D毫米波准同轴滤波器。利用LTCC工艺加工了毫米波准同轴谐振腔滤波器并进行了测量分析,滤波器的工作频率在100 GHz以上,插入损耗为2.6 dB,反射损耗低于10 dB。
陈琳[9]（2014）在《基于Silvaco TCAD软件的肖特基梁式引线二极管的设计与研制》文中研究说明Silvaco TCAD软件以DeckBuild为运行核心仿真器的交互式环境工具,给半导体工艺所有阶段的设计仿真提供了强大的帮助,Silvaco TCAD软件包括可视工具DeckBuild和Tonyplot、器件编辑器DevEdit、工艺仿真工具ATHENA和器件仿真工具ATLAS,可以对肖特基梁式引线二极管进行模拟设计及器件仿真。梁式引线（beam lead）技术用于高集成度二极管和微波组件中,其目的是尽可能地改进模块及提高互联的可靠性。肖特基梁式引线二极管（beam lead-SBD）的问世,很好地减小了器件的尺寸、体积,提高了使用频率。本论文正是为了满足市场及国产化需求,以国内外市场通用的HSCH5340型肖特基梁式引线二极管为研制目标。从高频段微波肖特基梁式引线二极管的理论设计及其工艺技术的实现出发,通过Silvaco TCAD软件设计和器件仿真,对肖特基梁式引线二极管进行设计和工艺优化,实现了肖特基梁式引线二极管的工艺贯通,最终使器件达到研制目标。主要内容为:1.结合近年来国内外对肖特基梁式引线二极管的研究,论述了肖特基二极管与pn二极管的区别,着重论述了本文的组织架构。2.简单介绍了Silvaco TCAD软件的特点及用途,结合国外对肖特基梁式引线二极管的研究,分析了梁式引线二极管的结构及使用。3.重点分析了肖特基梁式引线二极管的设计,包括材料选择对肖特基电参数的影响、肖特基梁式引线二极管的VF、C、NF、VR、RD等电参数的设计、Silvaco TCAD软件对氧化等工序进行仿真设计以及在器件可靠性设计。4.具体介绍了肖特基梁式引线二极管的的工艺实现。大致介绍了经典梁式引线二极管的通用工艺;梁式引线二极管的金属“梁”的分析与设计;重点描述了肖特基梁式引线二极管的工艺流程,通过五次光刻最终实现肖特基梁式引线二极管的工艺贯通。5.对肖特基梁式引线二极管的工艺实现进行详细讨论。综上所述,通过对肖特基梁式引线二极管的优化设计以及Silvaco TCAD软件对各工艺的仿真设计,经过多次工艺试验,完整实现了肖特基梁式引线二极管的工艺实现,完成了对产品的研制。
丁皓,董季玲[10]（2014）在《无氰镀金研究与应用现状》文中研究说明近年来随着对环境的重视程度的提高,无氰镀金工艺越来越得到业界的重视。本文主要讨论了现有无氰镀金工艺,通过对各种无氰镀金镀液体系的特点和存在问题的探讨,希望对了解无氰镀金的应用现状及展望其发展前景有所帮助。
二、微波集成电路图形镀金工艺研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、微波集成电路图形镀金工艺研究（论文提纲范文）
（1）氮化铝基薄膜电路基板制作及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 氮化铝陶瓷基板简介 |
| 1.1.1 氮化铝基板特性 |
| 1.1.2 氮化铝基板的应用现状 |
| 1.1.3 本课题的研究价值与意义 |
| 1.1.4 氮化铝基板电路制作的研究动态 |
| 1.2 本课题的主要工作及产品技术指标 |
| 1.2.1 本课题的主要工作 |
| 1.2.2 产品主要技术指标 |
| 1.3 本章小结 |
| 第二章 ALN基板电路设计与工艺设计 |
| 2.1 AlN基板电路设计 |
| 2.1.1 S波段电桥电路设计方案 |
| 2.1.2 功率电阻设计方案 |
| 2.1.3 金属化孔基板设计方案 |
| 2.2 AlN基板电路制作工艺设计 |
| 2.2.1 材料选型 |
| 2.2.2 氮化铝陶瓷基板表面金属化方法研究 |
| 2.2.3 薄膜金属化制作方法研究 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 ALN基板电路制作关键工艺研究 |
| 3.1 AlN基板激光加工的研究 |
| 3.1.1 激光加工的原理 |
| 3.1.2 打孔夹具方案设计 |
| 3.1.3 占空比对加工质量的影响 |
| 3.1.4 扫描速度对加工质量的影响 |
| 3.2 AlN基板清洗工艺的研究 |
| 3.2.1 清洗工艺实验材料及检测仪器 |
| 3.2.2 高温处理对AlN基板表面元素成分的影响 |
| 3.2.3 不同清洗工艺的对比试验及检测 |
| 3.3 AlN基板溅射工艺的研究 |
| 3.3.1 AlN基板金属化膜系的选择 |
| 3.3.2 不同工艺条件对TaN薄膜的影响 |
| 3.3.3 不同工艺条件对TiW-Au膜层附着力的影响 |
| 3.4 TiW抗蚀刻层湿法工艺的研究 |
| 3.4.1 实验方案 |
| 3.4.2 实验内容 |
| 3.4.3 结果分析 |
| 3.5 AlN基板划片工艺研究 |
| 3.5.1 划片过程分析 |
| 3.5.2 划片实验方案 |
| 3.5.3 划片实验结果及讨论 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 ALN基板电路性能测试与研究 |
| 4.1 AlN基板电路工艺技术指标测试 |
| 4.1.1 AlN基板电路检验 |
| 4.1.2 AlN基板附着力检验 |
| 4.1.3 AlN基板线宽精度测试 |
| 4.1.4 AlN基板金属化孔测试 |
| 4.1.5 AlN基板电阻精度测试 |
| 4.2 AlN基板电路设计性能指标测试 |
| 4.2.1 AlN基板电桥电路性能测试 |
| 4.2.2 AlN基板功率电阻性能测试 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（2）混合集成X波段小型化T/R组件的设计与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 相控阵雷达与T/R组件 |
| 1.2 T/R组件发展概况 |
| 1.3 本课题的研究内容及主要工作 |
| 1.3.1 本项目的主要研究内容 |
| 1.3.2 X波段T/R组件的基本指标 |
| 1.3.2.1 发射通道基本指标 |
| 1.3.2.2 接收通道基本指标 |
| 1.3.2.3 公共部分指标及其它要求 |
| 1.3.3 实现T/R组件小型化主要工作 |
| 第二章 T/R组件电路设计与实现 |
| 2.1 T/R组件结构介绍 |
| 2.2 X波段T/R组件设计与实现 |
| 2.2.1 数控移相器 |
| 2.2.2 数控衰减器 |
| 2.2.3 移相衰减多功能芯片 |
| 2.2.4 T/R组件总体设计 |
| 2.2.5 T/R组件发射通道设计与实现 |
| 2.2.5.1 发射通道指标预算 |
| 2.2.5.2 输出功率带内起伏 |
| 2.2.5.3 发射功率一致性 |
| 2.2.5.4 发射通道相位一致性 |
| 2.2.5.5 发射信号带外杂散抑制 |
| 2.2.5.6 收发转换时间 |
| 2.2.5.7 发射通道电流概算 |
| 2.2.5.8 组件发射效率 |
| 2.2.6 T/R组件接收通道设计与实现 |
| 2.2.6.1 接收通道噪声,增益概算 |
| 2.2.6.2 接收通道输入P-1 计算 |
| 2.2.6.3 接收通道增益起伏 |
| 2.2.6.4 接收通道同频点下增益不一致性 |
| 2.2.6.5 接收通道相位一致性 |
| 2.2.6.6 接收单通道电流计算 |
| 2.2.7 T/R组件收发公共部分 |
| 2.2.7.1 数控移相器 |
| 2.2.7.2 输入输出端口驻波 |
| 2.2.7.3 组件效率 |
| 2.2.8 T/R组件外形设计及三维示意图 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 T/R组件制作关键工艺实现 |
| 3.1 微波多层板在T/R组件上的应用 |
| 3.1.1 微波多层板材料的选择 |
| 3.1.1.1 基材对特性阻抗的影响 |
| 3.1.1.2 基材对传输损耗的影响 |
| 3.1.1.3 介电常数对线宽的影响 |
| 3.1.1.4 基材的物化性能考虑 |
| 3.1.2 T/R组件微波多层板工艺研究 |
| 3.1.2.1 微波多层板工艺流程 |
| 3.1.2.2 内埋电阻工艺在T/R组件小型化上的应用 |
| 3.1.2.3 内埋电阻工艺实现 |
| 3.2 基于微波多层板平台的X波段T/R组件加工 |
| 3.2.1 微波多层板加工 |
| 3.2.2 基于微波多层板平台的X波段T/R组件微组装 |
| 3.2.2.1 环氧粘贴 |
| 3.2.2.2 冶金烧结 |
| 3.2.2.3 引线键合及互连 |
| 3.2.2.4 金属外壳封装 |
| 3.2.3 X波段T/R组件微组装过程 |
| 3.3 微波多层板在T/R组件上的适用性分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 T/R组件测试 |
| 4.1 发射部分测试 |
| 4.2 接收部分测试 |
| 4.3 公共部分测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（3）LTCC基板材料酸蚀行为与化学镀技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 LTCC技术简介 |
| 1.1.1 LTCC制备工艺流程 |
| 1.1.2 LTCC技术的特点 |
| 1.1.3 LTCC技术的应用 |
| 1.2 LTCC基板材料及其技术进展 |
| 1.3 LTCC基板表面化学镀技术 |
| 1.3.1 化学镀技术的分类及应用 |
| 1.3.2 化学镀镍/金在LTCC技术领域的应用需求 |
| 1.3.3 化学镀镍/金工艺流程 |
| 1.3.4 LTCC材料表面化学镀技术研究现状 |
| 1.4 论文选题依据及主要工作 |
| 1.4.1 选题依据 |
| 1.4.2 论文主要工作 |
| 第二章 实验过程与方法 |
| 2.1 实验原材料与设备 |
| 2.2 实验样品制备方法 |
| 2.2.1 玻璃粉制备 |
| 2.2.2 生带制备 |
| 2.2.3 导体浆料制备 |
| 2.2.4 LTCC基板样件制备 |
| 2.3 性能测试与表征方法 |
| 2.3.1 玻璃粉热物化性能表征 |
| 2.3.2 玻璃+陶瓷复合样品烧结收缩与热膨胀性能表征 |
| 2.3.3 基板材料烧结致密性与抗弯强度表征 |
| 2.3.4 基板材料介电性能表征 |
| 2.3.5 基板材料耐酸蚀性能表征 |
| 2.3.6 导体浆料粘度及共烧样品导电性能测试 |
| 2.3.7 共烧银导体膜层性能与界面结合性能表征 |
| 2.3.8 LTCC基板样件化学镀处理及镀层性能表征 |
| 2.3.9 银导体膜层可靠性表征 |
| 第三章 LTCC基板材料酸蚀行为研究 |
| 3.1 酸蚀条件对基板失重的影响 |
| 3.2 酸蚀对基板微观形貌和微区元素组成的影响 |
| 3.3 酸蚀对基板表面物相组成的影响 |
| 3.4 LTCC基板材料酸蚀机理探究 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 耐酸蚀LTCC基板制备技术研究 |
| 4.1 基板材料制备与性能研究 |
| 4.1.1 硼硅酸盐玻璃的制备与热力学性能表征 |
| 4.1.2 玻璃成分对硼硅酸盐玻璃+氧化铝复相陶瓷烧结性能的影响 |
| 4.1.3 氧化铝含量对复相陶瓷基板烧结致密程度及综合性能的影响 |
| 4.1.4 B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2/Al_2O_3基板材料与银导体理化兼容性表征 |
| 4.2 表层布线银电极浆料成分设计与制备 |
| 4.3 LTCC基板样件制备技术研究 |
| 4.3.1 LTCC基板样件的制备及性能表征 |
| 4.3.2 玻璃软化点对共烧银导体膜层性能的影响 |
| 4.3.3 玻璃含量对共烧银浆的导电性能和膜层性能的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 LTCC基板样件表面化学镀镍/金技术研究 |
| 5.1 化学镀镍/金工艺方法研究 |
| 5.2 化学镀镍/金样品镀层性能表征 |
| 5.3 化学镀镍/金工艺对LTCC基板样件可靠性的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
（4）微波印制电路引线镀金厚度均匀性的改善（论文提纲范文）
| 1 实验 |
| 1.1 工艺流程 |
| 1.2 现有电镀金配方和工艺参数 |
| 1.3 性能检测和表征方法 |
| 1.3.1 厚度及其均匀性 |
| 1.3.2 实际加工能力 |
| 1.3.3 表面形貌 |
| 1.3.4 键合强度 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 现有电镀工艺的厚度均匀性评测 |
| 2.2 新型电镀夹具的设计 |
| 2.2.1 特点 |
| 2.2.1. 1 电路片表面与阳极平行放置 |
| 2.2.1. 2 整体框架和夹点均为包胶设计, 采用螺纹固定夹持电路片 |
| 2.2.1. 3 新夹具的结构可根据产品拼版尺寸不同而改变 |
| 2.2.2 评测 |
| 2.3 采用新夹具后的电镀工艺参数优化 |
| 2.3.1 镀液温度 |
| 2.3.2 电流密度 |
| 2.4 键合强度测试结果 |
| 3 结论 |
（5）脉冲电镀参数对薄膜电路镀金层性能的影响（论文提纲范文）
| 1 实验 |
| 1.1 待镀样品制备 |
| 1.2 电镀金工艺 |
| 1.3 性能检测 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 薄膜电路的镀金速率 |
| 2.2 薄膜电路镀金层的表面形貌 |
| 2.3 薄膜电路镀金层的表面粗糙度 |
| 2.4 薄膜电路微带线的厚宽比 |
| 2.5 薄膜电路镀金层的厚度均匀性 |
| 3 结论 |
（6）高绝缘低损耗高温共烧黑瓷的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 氧化铝陶瓷 |
| 1.3 高温共烧陶瓷 |
| 1.4 高温共烧黑瓷与陶瓷着色 |
| 1.5 流延工艺 |
| 1.5.1 流延浆料的组成 |
| 1.5.2 流延浆料的稳定机理 |
| 1.5.3 流延浆料的流变性能 |
| 1.6 高温共烧黑瓷的应用领域 |
| 1.6.1 表面贴装器件外壳 |
| 1.6.2 双列直插式封装 |
| 1.6.3 方型扁平式封装 |
| 1.6.4 插针网格阵列封装 |
| 1.6.5 球栅阵列封装 |
| 1.7 本论文的选题背景和研究内容 |
| 第二章 实验原料、仪器与测试方法 |
| 2.1 实验原料与仪器 |
| 2.2 表征与测试方法 |
| 2.2.1 XRD物相分析 |
| 2.2.2 扫描电子显微分析 |
| 2.2.3 热重分析与示差扫描量热 |
| 2.2.4 弯曲强度测试 |
| 2.2.5 热膨胀系数测试 |
| 2.2.6 电性能测试 |
| 第三章 流延浆料和流延工艺研究 |
| 3.1 流延浆料工艺研究 |
| 3.1.1 流延浆料有机组分的设计 |
| 3.1.2 流延浆料制备工艺的研究 |
| 3.1.3 流延浆料的粘度模型 |
| 3.2 流延工艺研究 |
| 3.2.1 流延浆料干燥过程及其机理研究 |
| 3.2.2 流延生瓷带的性能研究 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 多层陶瓷生瓷样品制备工艺研究 |
| 4.1 填孔工艺 |
| 4.2 丝网印刷工艺 |
| 4.2.1 印刷工艺参数研究 |
| 4.2.2 感光膜的厚度 |
| 4.2.3 浆料粘度 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 高温共烧黑瓷烧结工艺与性能研究 |
| 5.1 烧结温度研究 |
| 5.2 烧结气氛研究 |
| 5.3 生瓷样品尺寸和层数烧结影响研究 |
| 5.4 黑瓷结构表征与性能测试 |
| 5.4.1 结构表征与分析 |
| 5.4.2 性能测试及研究 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 高温共烧黑瓷镀敷和钎焊工艺研究 |
| 6.1 高温共烧黑瓷的镀覆工艺研究 |
| 6.1.1 镀镍工艺 |
| 6.1.2 镀金工艺 |
| 6.2 高温共烧黑瓷的钎焊工艺研究 |
| 6.2.1 金属零件退火工艺研究 |
| 6.2.2 钎焊焊料控制研究 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 结论 |
| 7.1 全文总结 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士期间发表的论文及成果 |
（7）电子工业中电沉积金镀层的应用与发展（论文提纲范文）
| 1 电沉积金在电子工业的应用 |
| 2 电子产品镀金所涉及到的基材范围 |
| 3 镀金及金合金层的主要功能 |
| 4 电子工业中镀金技术的新进展 |
（8）新型微波/毫米波基片集成波导滤波器（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 基片集成波导技术研究现状 |
| 1.3 SIWF技术研究进展 |
| 1.4 本文主要内容及组织架构 |
| 第二章 微波/毫米波SIWF设计基础 |
| 2.1 微波/毫米波SIWF理论分析基础 |
| 2.2 SIW的结构形式与发展 |
| 2.3 SIW分析方法 |
| 2.4 基片集成波导馈源设计 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 双模SIWF模式设计方法研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 SIW滤波器的双模扰动与耦合原理 |
| 3.3 附加双Z形槽线的双模SIWF |
| 3.4 利用组合槽线实现双通带可调节SIWF |
| 3.5 双模SIWF损耗分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 高阻硅深通孔刻蚀工艺研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 KOH溶液湿法刻蚀工艺对SI材料刻蚀形貌的影响 |
| 4.3 红外/紫外激光直接刻蚀方法对高阻SI材料刻蚀形貌的影响 |
| 4.4 BOSCHICP刻蚀工艺对SI材料刻蚀形貌的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 高阻硅SIWF的设计、加工与测试 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 高阻硅SIWF设计 |
| 5.3 高阻硅SIWF关键工艺流程 |
| 5.4 测试结果分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 新型LTCC毫米波谐振腔与SIWF |
| 6.1 引言 |
| 6.2 新型3-DSICWR毫米波滤波器 |
| 6.3 新型3-DSICR毫米波滤波器 |
| 6.4 小结 |
| 第七章 结束语 |
| 7.1 论文研究的主要成果 |
| 7.2 需要进一步研究的问题 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（9）基于Silvaco TCAD软件的肖特基梁式引线二极管的设计与研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 肖特基梁式引线二极管概述 |
| 1.2 肖特基梁式引线二极管的国内外动态 |
| 1.3 论文研究内容及组织结构 |
| 第二章 SILVACO TCAD软件简介 |
| 2.1 SILVACO TCAD软件的特点 |
| 2.1.1 数值计算 |
| 2.1.2 基于物理的计算 |
| 2.2 SILVACO TCAD软件的功能 |
| 2.3 SILVACO TCAD软件的主要组件 |
| 2.3.1 DeckBuild |
| 2.3.2 可视化工具TonyPlot |
| 2.3.3 工艺仿真系统ATHENA |
| 2.3.4 器件仿真系统ATLAS |
| 2.3.5 DevEdit结构和Mesh编辑器 |
| 2.3.6 掩膜输出编辑器 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 梁式引线二极管简介 |
| 3.1 肖特基梁式引线二极管的结构 |
| 3.2 梁式引线二极管的特点 |
| 3.3 梁式引线二极管使用注意事项 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 肖特基梁式引线二极管设计与仿真 |
| 4.1 梁式引线二极管的材料的选用 |
| 4.2 梁式引线二极管的电参数优化设计 |
| 4.2.1 正向导通电压 |
| 4.2.2 电容设计 |
| 4.2.3 噪声系数NF |
| 4.2.4 反向击穿电压 |
| 4.2.5 串联电阻 |
| 4.3 SILVACO软件设计及工艺仿真 |
| 4.3.1 Atlas器件仿真 |
| 4.3.2 基于Silvaco-TCAD沉积氧化层仿真研究 |
| 4.3.3 基于Silvaco-TCAD刻蚀仿真研究 |
| 4.3.4 基于Silvaco-TCAD金属淀积 |
| 4.4 梁式引线二极管的可靠性水平 |
| 4.4.1 可靠性分析 |
| 4.4.2 可靠性设计 |
| 4.4.3 可靠性水平 |
| 4.5 标准和通用化 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 肖特基梁式引线二极管工艺设计 |
| 5.1 梁式引线二极管的通用工艺 |
| 5.2 梁式引线二极管金属“梁”的分析与设计 |
| 5.3 梁式引线二极管的表面钝化分析 |
| 5.4 梁式引线二极管的工艺流程 |
| 5.4.1 背面减薄 |
| 5.4.2 硅片清洗 |
| 5.4.3 快速生长SiO_2 |
| 5.4.4 一次光刻（双面光刻） |
| 5.4.5 刻蚀硅外延层 |
| 5.4.6 二次光刻+刻蚀 |
| 5.4.7 生长复合膜 |
| 5.4.8 三次光刻 |
| 5.4.9 蒸发Ni合金 |
| 5.4.10 淀积金属膜+镀金 |
| 5.4.11 四次光刻 |
| 5.4.12 五次光刻（背面光刻） |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 梁式引线二极管的工艺实现 |
| 6.1 硅片清洗 |
| 6.1.1 化学清洗的重要性 |
| 6.1.2 不同杂质对器件的影响 |
| 6.1.3 硅片表面沾污杂质的类型 |
| 6.1.4 硅片清洗的流程 |
| 6.2 低温生长SIO2工艺 |
| 6.2.1 SiO_2的性质 |
| 6.2.2 SiO_2在器件生产中的作用 |
| 6.2.3 表面态控制技术 |
| 6.3 光刻 |
| 6.3.1 光刻流程 |
| 6.3.2 光刻质量检查 |
| 6.3.3 光刻套刻 |
| 6.4 多层金属化技术 |
| 6.4.1 电子束蒸发 |
| 6.4.2 溅射 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 测试分析及可靠性验证 |
| 7.1 电参数测试及分析 |
| 7.2 可靠性验证 |
| 第八章 结论 |
| 8.1 本文的主要贡献 |
| 8.2 下一步工作的展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（10）无氰镀金研究与应用现状（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 亚硫酸盐镀液 |
| 2 硫代硫酸盐镀液 |
| 3 亚硫酸盐-硫代硫酸盐混合镀液 |
| 4 硫脲镀液 |
| 5 其它镀液 |
| 6 结论 |
四、微波集成电路图形镀金工艺研究（论文参考文献）
- [1]氮化铝基薄膜电路基板制作及性能研究[D]. 聂源. 电子科技大学, 2020(03)
- [2]混合集成X波段小型化T/R组件的设计与实现[D]. 钟怀磊. 电子科技大学, 2019(04)
- [3]LTCC基板材料酸蚀行为与化学镀技术研究[D]. 万欢欢. 国防科技大学, 2018(01)
- [4]微波印制电路引线镀金厚度均匀性的改善[J]. 戴广乾,曾策,边方胜,许冰,闵显超,林玉敏,陈全寿. 电镀与涂饰, 2018(15)
- [5]脉冲电镀参数对薄膜电路镀金层性能的影响[J]. 孙林,谢新根,程凯,刘玉根. 电镀与涂饰, 2018(13)
- [6]高绝缘低损耗高温共烧黑瓷的制备与性能研究[D]. 夏庆水. 东南大学, 2018(05)
- [7]电子工业中电沉积金镀层的应用与发展[J]. 朱晶. 表面技术, 2018(03)
- [8]新型微波/毫米波基片集成波导滤波器[D]. 杜林. 西安电子科技大学, 2017(01)
- [9]基于Silvaco TCAD软件的肖特基梁式引线二极管的设计与研制[D]. 陈琳. 电子科技大学, 2014(03)
- [10]无氰镀金研究与应用现状[A]. 丁皓,董季玲. 第十二届全国表面工程·电镀与精饰年会暨2014(重庆)国际表面工程论坛论文集, 2014